- 虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数，但为了选择出合适的MOSFET，工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。例如，对于服务器电源中的负载开关这类应用，由于MOSFET基本上
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MOSFET
- 本电源设计小贴士以及下次的小贴士中，我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法。热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流。这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断。通
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MOSFET 热插拔 方法
- 本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全,只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数,以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。 数据表中的参数分为两类:即最大额定值和电气特性值。
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MOSFET 数据表 分析
- 提升功率密度和轻载效率是服务器、电信和AC-DC电源设计人员的主要考虑问题。此外，这些开关电源(SMPS)设计中的同步整流需要具有高性价比的电源解决方案，以便最大限度地减小线路板空间，同时提高效率和降低功耗。
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飞兆 MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET，适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。
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IR MOSFET
- 汽车上许多组建的多元应用，从车上的灯泡到继电器、从LED显示照明到启动马达，不仅提供了各式各样的高负载型、低成本效益的解决方案，也兼具了注重安全性汽车所必须的通讯和诊断能力。因此，设计人员为了增加车上电子
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MOSFET 详细介绍 如何运用 安全系统
- 我们先来看看MOS关模型：
Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。
Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是
耗尽区电容
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MOSFET 驱动器 功耗计算
- 标签：电源 谐振转换器 高压电源 直流电源 MOSFET现代电子设备功能越来越多，设备功能的高功耗对环境的影响也越来越大。提高电源效率是降低功耗的方法之一。谐振拓扑具有较高效率，很多大功率消费电子产品和计算机
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同步 MOSFET 控制 方案 检测 电压 电源 转换 效率 定时
- 过去15到20年间，汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象，且其封装简单，主要采用TO220 和 TO247
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MOSFET 功率器件 汽车电子
- 金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面(p-n junction)所组成。自从在1960年首次证明后，MOSFET快速的发展
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MOSFET 双峰效 方法
- 瑞萨电子公司 (TSE: 6723)，高级半导体解决方案的主要供应商，日前宣布推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管(超级结MOSFET)，具有如下的特点：600V功率半导体器件中的导通电阻X栅极电荷，适用于高速电机驱动、DC-DC转换器和DC-AC逆变器应用。
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瑞萨 MOSFET
- 我们先来看看MOS关模型：
Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。
Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是
耗尽区电容
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MOSFET 驱动器 功耗计算 方法
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。
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Vishay MOSFET SiA436DJ
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