东芝公司旗下半导体与存储产品公司推出新的2000万像素(MP)设备“T4KA7”，以此加强公司BSICMOS图像传感器的产品阵容，该设备的光学格式为1/2.4英寸。
量产出货即日启动。
在面向智能手机和平板电脑的CMOS图像传感器中，这款分辨率达2000万像素的新传感器当之无愧是像素最高的，即使使用数码变焦拉近镜头时，依然可确保清晰、精细的图像显示。
该传感器像素尺寸为1.12微米，支持1/2.4英寸的光学格式，使得面向移动设备、高度等于或小于6毫米的摄像头模
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东芝 CMOS
导读：大家在买相机的时候，一般都会看到有COMS镜头和CCD镜头，这俩镜头有什么区别吗?他们各有的特点是什么?先让我们看看他们的自我介绍。
cmos和ccd的区别——CCD简介
CCD的英文全称是“Charge-coupledDevice”，中文全称是电行耦合元件，通常称为CCD图像传感器。CCD是一种半导体器件，能够把光学影像转化为数字信号，CCD上植入的微小光敏物质称作像素(Pixel)，一块CCO上包含的像素数越多，其提供的画面分辨
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cmos ccd cmos和ccd的区别
ATmega32和ATmega64是基于增强的AVR RISC结构的低功耗8位CMOS微控制器。由于其先进的指令集以及单时钟周期指令执行时间，ATmega64 的数据吞吐率高达1 MIPS/MHz，从而可以缓减系统在功耗和处理速度之间的矛盾。本文介绍基于ATmega32和ATmega64的经典设计方案，供大家参考。
基于ATmega32的漏电保护器智能化测试仪的设计
本文介绍的测试仪操作简单，解决了手动测试方法存在的测量不准确的问题，达到了自动测量的目的，可检测在线与非在线运行的漏电保护器
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AVR CMOS
ATmega16是基于增强的AVR RISC结构的低功耗8 位CMOS微控制器。由于其先进的指令集以及单时钟周期指令执行时间，ATmega16 的数据吞吐率高达1 MIPS/MHz，从而可以减缓系统在功耗和处理速度之间的矛盾。本文将基于ATmega16的经典设计方案汇总，供大家参考。
采用ATMEGA16单片机设计的两轮自平衡电动车
本文采用AVR Atmega16芯片作为主控制芯片，设计制作了两轮的自平衡电动车。文中分析了测量角度和角速度传感器的选择，利用PID控制算法控制自平衡车的平衡
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CMOS PWM
根据市调公司Yole Developpement表示，随着CMOS影像感测器在汽车应用的快速攀升，提高了对于从智慧型手机崛起转型而来的市场成长率预期。从2014年至 2020年，全球 CMOS 影像感测器市场预计将以10.6%的年复合成长率(CAGR)成长，在2020年时达到162亿美元的市场规模。
2013～2014年全球CMOS影像感测器生态系统经营模式变化(来源：Yole Developpement)
这表示该市场在2014年约有88.5亿的市场价值，并且
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CMOS 传感器
光学在半导体、电子、资通讯产业的运用相当广泛，例如光电半导体的LED可做为灯号、照明;光电半导体的CCD、CMOS影像感测器可做数位相机、数位监控，光机电微系统的DMD可做投影机;光电晶体、耦合器用于自动控制等。
或者是光储存，如BD蓝光光碟片;或者是光通讯，如FTTH光纤到府宽频，而光通讯实际上又分成有线与无线，有线如光纤到府，即xPON的各种被动式光学网路;或者是大企业的资讯机房、资料中心内所用的储存区域网路SAN;消费性电子领域，如过去Sony MD用的光学S/
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光通讯 CCD CMOS
ESD(静电放电)是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。
1 引言
静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧 厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的
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ESD CMOS
在当前图像传感器市场，CMOS传感器以其低廉的价格得到越来越多消费者的青睐。在目前的应用中，多数采用软件进行数据的读取，但是这样无疑会浪费指令周期，并且对于高速器件，采用软件读取在程序设计上、在时间配合上有一定的难度。因此，为了采集数据量大的图像信号，本文设计一个以CPLD为核心的图像采集系统，实现了对OV7110CMOS图像传感器的高速读取，其读取速率可达8 Mb/s。
1、硬件电路方案
图1为基于CPLD的OV7110CMOS图像传感器的高速数据采集系统原理框图，他主要由2个部分组成：
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CPLD CMOS OV7110
引言
但是，目前市场上的大部分基于CMOS图像传感器的图像采集系统都是采用DSP与图像传感器相连，由DSP来控制图像传感器，然后由DSP采集到图像后再通过USB接口将图像数据传输到PC机进行后续的处理。这样的图像采集系统成本较高，功耗大，而且体积上也有一定的限制，并不适合一些简单的应用。
本文设计了一种基于S3C2410的CMOS图像传感器数据采集系统。该系统成本更为低廉、结构更为简单、设计更为新颖。
1 CMOS图像传感器结构性能及工作原理
该系统选用OmniVision公司
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ARM9 CMOS
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件，CMOS则应用于较低影像品质的产品中。由于CCD器件有光照灵敏度高、噪音低、像素小等优点，所以在过去15年里它一直主宰着图像传感器市场。与之相反，CMOS图像传感器过去存在着像素大，信噪比小，分辨率低这些缺点，一直无法和CCD技术抗衡。但
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CMOS 图像传感器
0 前言
织物上的疵点主要是由纤维上的花结引起的，计花器是纺织业中的一种常用设备，主要用于统计(或清除)纺锭上的花结，是确定纤维质量等级的主要依据。目前国产计花器主要有电容式和光电式两种，精度较低，对高支纤维的处理较困难。本文提出利用CMOS图像传感器，进行纤维花结的感知，其精度可达0.02mm，完全可以满足当前高支纤维的生产需要。
1 ME1010简介
ME1010是一个使用方便的综合图像传感器，由Microne公司采用专利结构开发，旨在使其更便于与计算机产品构成一个整体。不同于传
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CMOS 图像传感器 ME1010
引言
CMOS图像传感器是近年来得到快速发展的一种新型固态图像传感器。它将图像传感部分和控制电路高度集成在同一芯片里，体积明显减小、功耗也大大降低，满足了对高度小型化、低功耗成像系统的要求。与传统的CCD图像传感器相比，CMOS图像传感器还具有集成度高、控制简单、价格低廉等诸多优点。因此随着CMOS集成电路工艺的不断进步和完善，CMOS图像传感器已经广泛应用于各种通用图像采集系统中。同时作为一种PC机与外围设备间的高速通信接口，USB具有许多突出的有点：连接简便，可热插拔，无需定位及运行安装程序
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USB CMOS
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor) 推出新一代1,300万像素(MP)图像传感器AR1335，扩充其宽广的图像产品系列。基于先进的1.1微米(μm)像素技术，AR1335确立了灵敏度新基准，量子效率 (QE) 和线性电位井容量也得以显著提升。这图像传感器专为智能手机相机应用而设计，带来近乎数码相机的成像优质体验，同时也针对移动设备优化了功耗和占板空间。
安森美半导体为高性能智能手机传感器开发了创新的 1.1 μm像素技术，先进的像素和颜色滤波阵列 (CF
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安森美 CMOS 传感器
刚刚过去的2014年，加速了全球物联网的落地和普及，通过无线网络进行连接已渐成主流。未来5年，全球将有超过500亿个终端相互连接，进入一个全新的互联网时代。
然而，在一直被视为“高资本行业”的整个芯片产业，射频前端芯片作为移动网络连接的关键部分，却仍旧面临着一些挑战，技术良莠不齐的产业发展瓶颈亟待解决。
RFaxis市场与应用工程副总裁钱永喜
据了解，目前射频器件的主流制造材料是砷化镓，射频元件的成本较高，众多厂商都希望寻找更高性价
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物联网 射频 CMOS
“硅是上帝送给人类的礼物，整个芯片业几乎都拿到了这份礼物，无线通信领域应该尽快得到它。”RFaxis公司市场与应用工程副总裁钱永喜日前在接受媒体采访时如是说。他认为传统采用GaAs(砷化镓)或SiGe(硅锗)BiCMOS工艺制造RF射频前端的时代“该结束”了，纯CMOS工艺RF前端IC将在未来十年内主宰移动互联网和物联网时代。
业界对CMOS PA产品的热情一直没有减退。2014年6月，高通(Qualcomm)并购CMOS PA供应商Black S
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CMOS GaAs ZigBee
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