- 为数字家庭、网络和移动应用提供业界标准处理器架构与内核的领导厂商美普思科技公司携手台湾矽统科技公司共同宣布，双方将共同推动 Android™ 平台进入数字家庭应用，树立新的里程碑。两家公司合作推出以矽统科技新款 MIPS-Based™ 集成网络电视平台为基础的优化 Android 解决方案，现已面市。同时，矽统科技获得了全新超标量多处理 MIPS32TM 1074Kf™ 同步多处理系统(CPS)授权，用于开发下一代芯片产品。
MIPS 科技营销和业务开发副总裁
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MIPS Android MIPS-Based
- 在数据处理中为了更好地对被测对象进行处理和分析，研究人员们把重点更多的放在高速、高精度、高存储深度的数据采集系统的研究上 由于A／D芯片及高性能的FPGA的出现，已经可以实现高速高精度的数据处理，则
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SDRAM DDR 高速数据 采集系统
- 处理器外接SDRAM的控制技术介绍,现代的处理器(SoC)或DSP都内建有内存控制器，它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAMhellip;hellip;等内存的控制接口。但不同处理器内部的内存控制方式都不尽相同，而且它们的控制程序大部分都位于开机程序内，皆属于
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介绍 技术 控制 SDRAM 处理器
- DDR是双倍数据速率的SDRAM内存，如今大多数计算机系统、服务器产品的主流存储器技术，并且不断向嵌入式系统应用领域渗透。孰不知，随着iPhone等大牌智能手机的采纳，DDR内存俨然成为智能手机转变的方向之一，例如韩国泛泰去年底最新推出的Android智能手机Vega X就搭载了512MB的DDR2内存。
DDR技术不断发展，并行总线达到了串行技术的速度，时钟速度达到1GHz。目前，DDR3现在已经具备1.6Gb/s的数据速率，而DDR3-1866及更高速率版本正在开发中，很快就会出现在市场上。
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SDRAM DDR测试
- 要FPGA与的数字信号采集系统。可以提供大容量的存储空间。提供优秀的系统适应能力。该方案通过计算机并口实现与计算机的通信 ,但是高性能的逻辑分析仪价格昂贵,而且存取深度不足限制了对于海量数字电视信号的分析能力
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SDRAM FPGA 数字电视信号 采集系统
- 采用90nm工艺制造的DDR3 SDRAM存储器架构支持总线速率为600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高带宽，工作电压低至1.5V，因此功耗小，存储密度更可高达2Gbits。该架构无疑速度更快，容量更大，单位比特的功耗更低，但问
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SDRAM FPGA DDR3 存储器
- 基于SDRAM文件结构存储方式的数据缓存系统,O 引言 面对不同的应用场景，原始采样数据可能包含多种不同样式的信号，这给传统基于连续存储方式的数据缓存系统带来了挑战。除此之外，由于对不同信号的处理往往需要不同的数据帧结构，缓存系统的设计需要保存原
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方式 数据 系统 存储 结构 SDRAM 文件 基于
- 基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存储器接口控制器的设计, 本白皮书讨论各种存储器接口控制器设计所面临的挑战和 Xilinx 的解决方案，同时也说明如何使用 Xilinx软件工具和经过硬件验证的参考设计来为您自己的应用(从低成本的 DDR SDRAM 应用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 这样
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接口 控制器 设计 存储器 SDRAM Xilinx FPGA DDR2 基于
- 台系DRAM厂陆续启动多角化产品线策略，近期茂德悄悄与钰创进行结盟，将在中科12寸晶圆厂为钰创代工高容量256Mb DDR2产品，采用72纳米制程，目前已进入试产，这是茂德跨入消费性电子市场重要里程碑，对钰创而言，亦在SDRAM产能吃紧情况下获得及时雨。
2008~2009 年DRAM产业低潮虽然仅淘汰欧系奇梦达(Qimonda)，但各家DRAM业者都意识到太过执著于标准型DRAM产品，终究是一条不归路，因此自 2010年开始，陆续传出DRAM厂开始布局非标准型DRAM产品领域，包括SDRAM、
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Qimonda DRAM SDRAM
- Cyclone II如何实现的DDR SDRAM接口,在不增加电路板复杂度的情况下要想增强系统性能，改善数据位宽是一个有效的手段。通常来说，可以把系统频率扩大一倍或者把数据I/O管脚增加一倍来实现双倍的数据位宽。这两种方法都是我们不希望用到的，因为它们会增加
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SDRAM 接口 DDR 实现 II 如何 Cyclone
- 力晶总经理王其国表示，目前12寸晶圆厂不论在标准型DRAM或是代工业务如LCD驱动IC芯片、SDRAM产品上，产能都相当吃紧，未来DRAM业者在转制程和盖新厂上，会因为财务问题而放缓脚步，因此短期内不担心供过于求的问题，尤其是相当看好智能型手机(Smart Phone)对于DRAM产能的消耗量，算是杀手级的应用，对于未来DRAM产业看法相当正面。
王其国表示，过去摩尔定律认为每隔18个月晶圆产出数量可多出1倍，但未来随著DRAM产业制程技术难度增加，制程微缩的脚步放缓，可能较难达成，加上现在转进
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力晶 SDRAM DRAM
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