问题：什么是S参数？它有哪些主要类型？ 答案：S参数描述了RF网络的基本特征，其主要类型有小信号、大信号、脉冲、冷模式和混合模式S参数。 引言本文延续之前的一系列短文
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RF 散射参数 ADI
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其超低钳位和超低电容ESD保护二极管系列产品组合。该产品组合旨在保护USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽车A/V监视器、显示器和摄像头等高速数据线。此外，该产品组合还旨在解决未来高速视频链路以及开放技术联盟MGbit以太网应用。 新晋产品包括2引脚单线器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q，采用超紧凑型DFN1006BD-2封装，同时优化了布线灵活性。此外，还有两款采用DFN1006-3封装的3引脚
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Nexperia 超低电容 ESD 保护二极管 汽车数据接口
本文延续之前的一系列短文，旨在为非RF工程师讲解RF的奥秘。其中一些RF文章如下：“RF揭秘——了解波反射” ，探讨了波反射；“如何轻松选择正确的频率产生器件”，探讨了RF信号链中发挥作用的频率产生器件的主要类型。问题:什么是S参数？它有哪些主要类型？答案:S参数描述了RF网络的基本特征，其主要类型有小信号、大信号、脉冲、冷模式和混合模式S参数。引言本文延续之前的一系列短文，旨在为非RF工程师讲解RF的奥秘。其中一些RF文章如下：“RF揭秘——了解波反射” ，探讨了波反射；“如何轻松选择正确的频率产生器件
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ADI RF
如今的射频 (RF) 系统变得越来越复杂。高度的复
杂性要求所有系统指标（例如严格的链接和噪声预算）
达到最佳性能。确保整个信号链的正确设计至关重要。
而信号链中，有一个部分经常会被忽视，那就是直流电
源。它在系统中占据着重要地位，但也会带来负面影
响。RF 系统的一个重要度量是相位噪声，根据所选的
电源解决方案，这个指标可能降低。本文研究电源设计
对 RF 放大器相位噪声的影响。我们的测试数据证明，
选择合适的电源模块可以使相位噪声改善 10 dB，这是
优化 RF 信号链性能的关键。
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202207 电源 ADI RF 相位噪声
基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件，适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计，而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。这两款产品均使用Nexperia的成熟TrEOS技术，集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。 重定时器和信号中继器是设计高速USB4接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短，从而降低寄生电感，但也会意外地降低整体系统
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Nexperia USB4 ESD 二极管件
DPD是数字预失真的首字母缩写，许多射频(RF)工程师、信号处理爱好者和嵌入式软件开发人员都熟悉这一术语。DPD在蜂窝通信系统中随处可见，使功率放大器(PA)能够有效地为天线提供最大功率。随着5G使基站中的天线数量增加，频谱变得更加拥挤，DPD开始成为一项关键技术，支持开发经济高效且符合规格要求的蜂窝系统。对于DPD，无论从纯粹的数学角度出发，还是在微处理器上实现更受限制，我们许多人都有自己独特的见解。您可能是负责评估RF基站产品中DPD性能的工程师，或者是一名算法开发人员，很想知道数学建模技术在实际系统
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rf
PerSe™产品组合包括三个系列新品：PerSe Connect、PerSe Connect Pro以及PerSe Control 中国上海，2021年11月18日 —— 全球领先的高性能模拟和混合信号半导体产品及先进算法供应商Semtech Corporation（纳斯达克股票代码：SMTC）近日宣布推出针对消费类智能设备市场的PerSe™系列传感器。PerSe产品组合由PerSe Connect、PerSe Connect Pro以及PerSe Control三个核心产品系列组成，通过智能和
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RF 模块 智能
高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作，经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效，本文结合大量失效品分析与电路设计分析，对IGBT失效原因及失效机理分析，分析结果表明：经过对IGBT失效分析及IGBT工作电路失效分析及整机相关波形检测、热设计分析、IGBT极限参数检测对比发现IGBT失效由多种原因导致，IGBT在器件选型、器件可靠性、闩锁效应、驱动控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析论证后从IGBT本身及电路设计方面全部提升IGBT工作可靠性。
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主动式PFC升压电路 IGBT SOA 闩锁效应 ESD 热击穿失效 202108 MOSFET
非对称双向可控硅（ADDSCR）是在考虑了保护环结构之后，为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构，但是其维持电压较低，容易闩锁。为了提高传统ADDSCR的维持电压，基于0.18 μm BCD工艺，设计维持电压高的HHVADDSCR。经TCAD仿真，证明HHVADDSCR具有高维持电压，避免了闩锁，且器件适用于传输电平在18~60 V的芯片信号端口的静电保护。
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202107 非对称可控硅 维持电压 ESD 闩锁效应
基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布推出一系列ESD保护器件，专门用于保护汽车应用中越来越多的高速接口，特别是与信息娱乐和车辆通讯相关的车载网络(IVN)。 随着数据传输速率的提高和车载电子含量的增加，EMC保护的需求变得越来越重要，提供正确的保护类型已成为设计工程师的巨大挑战。Nexperia的TrEOS技术优化了ESD保护的三大关键参数（信号完整性、系统保护和鲁棒性），以提供具有低电容、低钳位电压和高ESD鲁棒性的理想组合的器件。 全新的PESD4USBx系列总共包括十二款采用Tr
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Nexperia 高速接口 ESD
是德科技近日推出一款新型高性能微波手持式分析仪，可以加快 5G、雷达和卫星通信系统的安装速度。是德科技提供先进的设计和验证解决方案，旨在加速创新，创造一个安全互联的世界。全球毫米波频谱中的 5G 新空口（NR）业务持续增长，卫星通信系统的部署数量显著上升，这对经济高效的外场网络测试、监控和故障诊断工具提出了更高的要求。是德科技的新型 FieldFox 微波手持式分析仪支持更高的频率范围，测量完整性可以媲美实验室用的仪器。新型宽带分析仪是一款紧凑、耐用的多功能工具，可供用户安装毫米波基础设施，从而对外场网络
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RF NR
任务关键型网络和其他重要的企业基础设施需要不断从网络时间服务器接收到准确的时间信息，才能保持可靠运行。但这些服务器易遭受到全球定位系统（GPS）干扰和欺骗这类的网络安全威胁。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）近日推出一项解决方案，通过将其BlueSky技术信号异常检测软件集成到SyncServer S600系列网络时间服务器和仪器中，成功解决这一难题。Microchip是首家将GPS干扰和欺骗检测和保护以及本地射频（RF）数据记录和分析完全集成在一个时间服务器内的公司。
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RF GPS
通过技术和Equipment Intelligence®（设备智能）的创新，Vantex™重新定义了高深宽比刻蚀，助力芯片制造商推进3D NAND和DRAM的技术路线图。近日，泛林集团 近日发布了专为其最智能化的刻蚀平台Sense.i™所设计的最新介电质刻蚀技术Vantex™。基于泛林集团在刻蚀领域的领导地位，这一开创性的设计将为目前和下一代NAND和DRAM存储设备提供更高的性能和更大的可延展性。泛林集团Vantex™新型刻蚀腔室搭载其行业领先的Sense.i™刻蚀平台3D存储设备通
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RF
IDC预计，2021年全球物联网支出将恢复两位数的增长率，并在2020—2024年的预测期间实现11.3%的复合年增长率（CAGR）。机器对机器（M2M）通信采用UWB、WLAN、Zigbee、蓝牙等低功耗网络传输数据，推动着物联网的普及。NB-IoT、LTE Cat-M等LPWAN技术和5G高效传输网络的出现，也加速了物联网的发展。3G和4G网络促进了人与人之间的无线通信，而5G网络则将连接范围扩大到了“事物”之间，这一转变促使人们开发多样化的物联网解决方案，应对各种各样的行业和环境挑战。徐苏翔TE C
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连接器 RF
无论是设计测试和测量设备还是汽车激光雷达模拟前端（AFE），使用现代高速数据转换器的硬件设计人员都面临高频输入、输出、时钟速率和数字接口的严峻挑战。问题可能包括与您的现场可编程门阵列（FPGA）相连、确信您的首个设计通道将起作用或确定在构建系统之前如何对系统进行最佳建模。本文中将仔细研究这些挑战。快速的系统开发开始新的硬件设计之前，工程师经常会在自己的测试台上评估最重要的芯片。一旦获得了运行典型评估板所需的设备，组件评估通常会在理想情况的电源和信号源下进行。TI大多数情况下会提供车载电源和时钟，以便您可使
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RF AMI AFE FPGA ADC
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