本文蒋介绍ESD引起集成电路损坏原理模式及实例 一.ESD引起集成电路损伤的三种途径(1)人体活动引起的摩擦起电是重要的静电来源，带静电的操作者与器件接触并通过器件放电。(2)器件与用绝缘材料制作的包装袋、传递盒和传送带等摩擦，使器件本身带静电，它与人体或地接触时发生的静电放电。(3)当器件处在很强的静电场中时，因静电感应在器件内部的芯片上将感应出很高的电位差，从而引起芯片内部薄氧化层的击穿。或者某一管脚与地相碰也会发生静电放电。根据上述三种ESD的损伤途径，建立了三种ESD损伤模型：人体带电模型、
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ESD 集成电路
在不了解会受到何种损害的情况下，具备高深的数字电子知识的设计师发现，当需要给无线器件确定滤波器参数时，急需复习射频基础知识。如果没有考虑滤波器类型和最低技术规格要求方面的基本要素，可能导致产品不能通过“测试”，结果产品又得重新开始设计，导致代价昂贵的生产推迟。另一方面，懂得如何准确确定滤波器参数，将有助于使生产出的产品满足客户的生产标准和功能。事实上，这种知识有助于在提高产品在市场上的成功机会的同时，控制生产费用。 从基础开始 在当今无线领域，激烈的扩展带宽的竞争迫使人们要更加关注滤波器的性能。如
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RF 微波滤波器
RF电路布局要想降低寄生信号，需要RF工程师发挥创造性。记住以下这八条规则，不但有助于加速产品上市进程，而且还可提高工作日程的可预见性。
规则1：接地通孔应位于接地参考层开关处
流经所布线路的所有电流都有相等的回流。耦合策略固然很多，不过回流通常流经相邻的接地层或与信号线路并行布置的接地。在参考层继续时，所有耦合都仅限于传输线路，一切都非常正常。不过，如果信号线路从顶层切换至内部或底层时，回流也必须获得路径。
图1就是一个实例。顶层信号线路电流下面紧挨着就是回流。当它转移到底层时，回
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RF 寄生信号
本文以改善RF的信号质量(频带外的不必要辐射)为目的，介绍使用了片状铁氧体磁珠和片状电感器的移动终端的PA电源线的噪声对策方法。 以智能手机为首的移动无线终端的Power Amplifier (PA)中，为了抑制不必要的辐射(频带外的&杂散发射)，寻求改善PA的电源质量(PI: 电源完整性)的例子很多。在无线通信中，以国际标准(ITU)为首，3GPP(无线通信标准机构)，以及各运营商都对不必要的辐射的范围值设定了严格的标准。因此，我们有必要通过PA的电源线的噪声
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RF 噪声
第五届EEVIA年度中国ICT媒体论坛暨2016产业和技术展望研讨会 时间：2016.01.14 下午 地点：深圳南山软件创业基地 IC咖啡 演讲主题：RF integrated module to support CA and global phone 演讲人：陶镇 - Qorvo移动产品市场战略部亚太区经理 陶镇：大家早上好!我是陶镇，来自Qorvo公司。刚才主持人介绍
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Qorvo RF
随着电子产品迅速走向随身使用化、功能强大化与低功耗化，半导体技术的持续微缩就没有停止的可能性。然而，这样的演变趋势造就了电子产品‘使用可靠性的设计工作’重要性和电子产品‘功能的设计工作’本身一样重要。
这是因为外在的暂态杂讯干扰能量变得很容易进入电子产品内部，加上电子产品内部的晶片零组件因半导体微缩而变得十分孱弱，从而导致电子产品本身的正常运作就变得易于受到干扰与破坏。
Silicon Labs执行长Tyson T
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ESD EOS
据国外媒体报道，佛罗里达州的RF(射频)技术研发商ParkerVision本周向美国国际贸易委员会(ITC)和佛罗里达州地区法院提出起诉，指控苹果、三星、LG和高通等4家公司侵犯了它的某些无线连网专利。 ParkerVision表示，高通和三星制造的无线接收器侵犯它的4项无线连网专利。苹果、三星和LG都在各自的移动产品中使用了侵权的高通芯片，三星自主研发的Shannon 928 RF收发器也面临着进一步的审查。 本案涉及的专利包括第6879817号、第7929638号、第8571135号和第911
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RF 苹果
2015年11月27日，全球领先的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司之全资子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)2015年度技术论坛，继9月23日首场在深圳获得热烈反响后，于今日在北京丽亭华苑酒店再度拉开帷幕。来自北京、长三角、西部地区的150多位IC设计精英、知名合作伙伴、行业分析师和媒体朋友齐聚一堂，就产业趋势和市场热点进行了深入交流，并分享了华虹宏力新的技术成果。 公司执行副总裁范恒先生和执行副总裁孔蔚然博士等公司高层亲临论坛现场，与参会嘉宾互动交流。同时公司派出了阵容
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华虹 RF-CMOS
在不了解会受到何种损害的情况下，具备高深的数字电子知识的设计师发现，当需要给无线器件确定滤波器参数时，急需复习射频基础知识。如果没有考虑滤波器类型和最低技术规格要求方面的基本要素，可能导致产品不能通过“测试”，结果产品又得重新开始设计，导致代价昂贵的生产推迟。另一方面，懂得如何准确确定滤波器参数，将有助于使生产出的产品满足客户的生产标准和功能。事实上，这种知识有助于在提高产品在市场上的成功机会的同时，控制生产费用。 从基础开始 在当今无线领域，激烈的扩展带宽的竞争迫使人们要更加关注滤波器的性能。如
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RF，微波滤波器
近二十年来，电子工业以惊人的速度发展。新技术的进步在减小设备尺寸的同时，也加大了分立元件制造商开发理想性能器件的压力。 在这些器件中，晶片电阻当前始终保持很高的需求，并且是许多电路的基础构件。它们的空间利用率优于分立式封装电阻，减少了组装前期准备的工作量。随着应用的普及，晶片电阻具有越来越重要的作用。主要参数包括 ESD 保护、热电动势 (EMF)、电阻热系数 (TCR)、自热性、长期稳定性、功率系数和噪声等。 以下技术对比中将讨论线绕电阻在精密电路中的应用
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电阻 ESD
让我们从几个示例开始。在这些示例中，我们试着保护系统不受以下情况的影响：
在静电放电 (ESD) 不安全的环境中安装或校准某些系统，这样做会导致ESD损坏。 工业控制系统往往跨越很远距离并且有可能暴露在自然危险下，诸如雷击，的大型系统。 与环境寄生效应耦合在一起的开关瞬变会生成高频辐射和耦合射线。
你在保护模拟输出时所需要应对的瞬变情况与其生成的低压 (<24V) 和低频 (<10kHz) 信号十分不同。工业瞬变是高电压
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TIPD153 ESD
ESD试验作为EMC测试标准的一项基本测试项目，如果产品的前期设计考虑不足，加上经验不够的话，往往会让人焦头烂额。一般中小型企业，如果没有专门的EMC工程师，往往这项工作就必须由硬件工程师来承担。对于整机来说，ESD抗扰能力不仅仅来自芯片的ESD耐压，PCB的布局布线，甚至与工艺结构也有密切关系。
常见的ESD试验等级为接触放电：1级——2KV;2级——4KV;3级——6KV;4级—&
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EMC ESD
ESD：Electrostatic Discharge，即是静电放电，每个从事硬件设计和生产的工程师都必须掌握 ESD 的相关知识。为了定量表征 ESD 特性，一般将 ESD 转化成模型表达方式，ESD 的模型有很多种，下面介绍最常用的三种。
1.HBM：Human Body Model，人体模型：
该模型表征人体带电接触器件放电，Rb 为等效人体电阻，Cb 为等效人体电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件 HBM 模型的 ESD 等级。
ESD人体模型
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ESD 静电放电
简介：大部分的ESD电流来自电路外部，因此ESD保护电路一般设计在PAD旁，I/O电路内部。典型的I/O电路由输出驱动和输入接收器两部分组成。ESD 通过PAD导入芯片内部，因此I/O里所有与PAD直接相连的器件都需要建立与之平行的ESD低阻旁路，将ESD电流引入电压线，再由电压线分布到芯片各个管脚，降低ESD的影响。
引言
静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧 厚度越来越薄，芯片的面
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CMOS ESD
简介：本人是做手机硬件的，实际上是打杂的。日常的工作都是一些比较琐碎杂乱的事情，比如焊接、测试、校准、维修、打静电等等。工作差不多两年了，虽然经验丰富不多，但在不断地重复工作中也有些自己的总结，希望与大家分享一下。因为我们做的是国内的客户，客户入网的比较多。所以对静电的要求比较高。而不入网的客户的机子的外壳也大多是锌合金的，ESD问题也让人头痛。这里主要是想分享一下自己对静电方面的一些经验。
在必要的IO口加上TVS管如TP线、侧键的IO线、开关键。不推荐用压敏电阻。因为现在的压敏电阻太水了，根
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ESD Vbat
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