- 1. RF无线射频电路设计中的常见问题
射频(RF) PCB设计，在目前公开出版的理论上具有很多不确定性，常被形容为一种“黑色艺术”。通常情况下，对于微波以下频段的电路( 包括低频和低频数字电路) ，在全面掌握各类设计原则前提下的仔细规划是一次性成功设计的保证。对于微波以上频段和高频的PC类数字电路，则需要2~3个版本的PCB方能保证电路品质。而对于微波以上频段的RF电路，则往往需要更多版本的PCB设计并不断完善，而且是在具备相当经验的前提下。由此可知RF电设计上的困难。
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射频 RF 隔离
- 英飞凌科技股份公司针对射频前端扩大高效集成电路解决方案产品组合，推出一款天线调谐专用开关。新款天线调谐开关(Aperture tuning)对提升4G智能手机和平板电脑的终端用户体验助益匪浅。该新产品从根本上优化天线特性，在相关的LTE频带上可让运行中的数据率达到最高水平。BGS1xGN10系列开关采用市面上最小封装，这对新一代智能手机和其他便携式设备等空间受限的应用而言至关重要。此外，该系列进一步降低电流消耗，延长此类设备的待机和工作时间。 采用英飞凌射频CMOS开关技术的天线调谐专用开关有利于开
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英飞凌 BGSA14GN10 CMOS
- 英飞凌科技股份公司近日宣布，其用于智能电话和平板电脑的射频开关的出货量已经突破10亿大关。这凸显了英飞凌作为发展速度最快的射频开关领先供应商之一的地位。预计，今后数年，随着新一代智能电话和平板电脑集成越来越多的LTE频段，射频开关需求将呈两位数增长。 随着4G/LTE手机可支持的工作频段和运行模式越来越多，其射频前端部件设计日益复杂、苛刻。除形形色色的频段或模式选择应用之外，天线开关也是射频前端至关重要的主要组件。这些天线开关要么可以选择连接至4G/LTE主用天线的发射(TX)/接收(RX)通道，要
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英飞凌 LTE CMOS
- 专注于为无线连接和蜂窝移动市场开发创新型下一代射频(RF)解决方案的领先无晶圆半导体公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布，该公司用于无线局域网络(WLAN)应用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量产。 RFX241最新加入RFaxis瞄准快速增长的无线接入点(AP)、路由器(Router)、机顶盒(STB)、家庭网关(HGW)、热点(Hotspot)等无线基础设施市场的纯CMOS大功率CMOS PA产品系列。RFX241可与包括RTC6649E在内的目前市场上
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RFaxis RF CMOS
- 日前，德州仪器 (TI) 宣布其基站软件开发包 (Base Station SoftwarePac) 新增 RF 软件开发套件 (RFSDK)，可使小型基站开发人员配置基带至射频通信并在仅仅一天之内即实现首次调用或系统验证，而此前所需的时间长达数周甚至数月之久。借助该新型 RFSDK，基于 TI KeyStone™ 的 TCI6630K2L 小型基站片上系统 (SoC) 和 TCI6631K2L 回程 SoC 如今能够无缝地实现诸如数字预失真 (DPD) 和波形因数抑制 (CFR) 等数字
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德州仪器 RF 基站
- 在市场再度传言IBM将10亿美元出售其芯片部门给GlobalFoundries的同时，该公司正在加速量产新一代绝缘上覆硅(silicon-on-insulator，SOI)与硅锗(silicongermanium，SiGe)制程，以扩大在射频(RF)芯片代工市场的占有率;该类芯片传统上大多是采用更稀有的砷化镓(galliumarsenide，GaAs)制程。
IBM的两种新制程都在该公司只提供晶圆代工的美国佛州Burlington晶圆厂运作，该座8吋晶圆厂以往曾生产IBM高阶服务器处理器以及
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RF 芯片
- 致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布进军单片微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit, MMIC)市场领域。在其丰富的RF、微波和毫米波解决方案历史的基础下，新的产品系列最初将提供涵盖DC-40GHz范围的16种产品，包括宽带放大器、低噪声放大器和开关产品，设计用于国防、通信、仪器仪表和航空航天工业。
美高森美一直活跃于MMIC产品的开发工作，同时使用成熟的
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美高森美 RF
- Molex 公司的柔性微波电缆组件(Flexible Microwave Cable Assemblies)通过结合Temp-FlexÒ同轴电缆和高性能射频(RF)连接器，替代半刚性组件。这些组件具有出色的电气性能及使用专有技术组装，最大限度地减小电压驻波比(Voltage Standing Wave Ratio)和插入损耗，用于完整的端至端互连解决方案。
Molex产品经理Darren Schauer表示：“半刚性电缆组件被弯曲放入现今较小的模块时可能出现性能退化
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Molex RF VOP
- 在地热生产和石油生产过程中温度通常会超过200℃，高于设备所用的传统微芯片一般能耐受的最高温度。德国弗劳恩霍夫微电子电路与系统研究所(IMS)的研究人员近日开发出一种新型的高温工艺，可以制造出超紧凑型微芯片，这种微芯片在高达300℃的温度下也能正常工作。
传统的CMOS芯片有时能耐受250℃的高温，但其性能与可靠性会迅速下降。还有一种方法是对热敏感的微芯片实施持续冷却，但是很难实现。此外，市场上也存在专门的高温芯片，但是尺寸过大(最小尺寸也达1微米)。
IMS开发的微芯片尺寸仅有0
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微芯片 CMOS
- Analog Devices, Inc.(NASDAQ：ADI)，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商及数据转换器市场份额领先者*，日前宣布推出双通道、1.25 V、14位、1 GSPS ADC AD9680 ，它具有同类产品中的最佳噪声和动态范围性能，支持通讯、仪器仪表和军事/航空航天领域的直接RF采样应用。其154 dBFs/Hz的噪声密度为业内最低。ADI公司的宽带RF数据采集技术具有突破性的性能、带宽、集成功能，能够在拥堵的RF环境中，以史无前例的带宽更好地提取信号。AD9680可与主要制造
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ADI AD9680 RF
- 因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连，或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准，于是采用衬底驱动技术进行模拟电路设计就成为较好的解决方案[1].衬底驱动技术的原理是：在栅极和源极之间加上足够大的固定电压，以形成反型层，输入信号加在衬底和源极之间，这样阈值电压就可以减小或从信号通路上得以避开。衬底驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟
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MOS CMOS
- 当平面工艺已经无法满足对于性能提升的需求时，3D架构是业界首先能想到的提升方式。
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CMOS 纳米
- 作为专注在WiFi、蓝牙、GPS连接性射频芯片技术供应商，卓胜微电子今日宣布，公司GPSLNA芯片产品MXDLN16S在三星累计出货超过2000万颗。
“卓胜微电子的GPSLNA产品能够给三星大批量供货体现了我们产品的卓越性能。”卓胜微电子总经理许志翰表示：“作为全球智能手机市场的领先者，三星对产品的创新和品质有着不懈追求，同时它对合作伙伴也有着非常高的品质和供货能力的要求。这么大批量的稳定出货证明了我们的能力。”
卓胜微电子的GPS
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卓胜微电子 CMOS
- 2014年5月5日，作为专注在WiFi，蓝牙，GPS连接性射频芯片技术供应商，卓胜微电子宣布其GPSLNA芯片产品MXDLN16S在三星累计出货超过2000万颗。
“卓胜微电子的GPSLNA产品能够给三星大批量供货体现了我们产品的卓越性能。”卓胜微电子总经理许志翰表示：“作为全球智能手机市场的领先者，三星对产品的创新和品质有着不懈追求，同时它对合作伙伴也有着非常高的品质和供货能力的要求。这么大批量的稳定出货证明了我们的能力。”
卓胜微电子的G
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GPSLNA 卓胜 RF CMOS
- 市场研究机构CoughlinAssociates的最新报告预测，磁阻式随机存取记忆体(MRAM)──包含磁场感应(field-induced)以及自旋力矩转移(spin-torquetransition，STT)等形式──将在未来因为取代DRAM与SRAM而繁荣发展。
CoughlinAssociates的报告指出，因为具备省电与非挥发特性，MRAM/STTMRAM市场营收规模可望由2013年的1.9亿美元左右，到2019年成长至21亿美元;期间的复合年平均成长率(CAGR)估计为50%。
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MRAM CMOS
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