- Molex 公司的柔性微波电缆组件(Flexible Microwave Cable Assemblies)通过结合Temp-FlexÒ同轴电缆和高性能射频(RF)连接器，替代半刚性组件。这些组件具有出色的电气性能及使用专有技术组装，最大限度地减小电压驻波比(Voltage Standing Wave Ratio)和插入损耗，用于完整的端至端互连解决方案。
Molex产品经理Darren Schauer表示：“半刚性电缆组件被弯曲放入现今较小的模块时可能出现性能退化
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Molex RF VOP
- 在地热生产和石油生产过程中温度通常会超过200℃，高于设备所用的传统微芯片一般能耐受的最高温度。德国弗劳恩霍夫微电子电路与系统研究所(IMS)的研究人员近日开发出一种新型的高温工艺，可以制造出超紧凑型微芯片，这种微芯片在高达300℃的温度下也能正常工作。
传统的CMOS芯片有时能耐受250℃的高温，但其性能与可靠性会迅速下降。还有一种方法是对热敏感的微芯片实施持续冷却，但是很难实现。此外，市场上也存在专门的高温芯片，但是尺寸过大(最小尺寸也达1微米)。
IMS开发的微芯片尺寸仅有0
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微芯片 CMOS
- Analog Devices, Inc.(NASDAQ：ADI)，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商及数据转换器市场份额领先者*，日前宣布推出双通道、1.25 V、14位、1 GSPS ADC AD9680 ，它具有同类产品中的最佳噪声和动态范围性能，支持通讯、仪器仪表和军事/航空航天领域的直接RF采样应用。其154 dBFs/Hz的噪声密度为业内最低。ADI公司的宽带RF数据采集技术具有突破性的性能、带宽、集成功能，能够在拥堵的RF环境中，以史无前例的带宽更好地提取信号。AD9680可与主要制造
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ADI AD9680 RF
- 因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连，或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准，于是采用衬底驱动技术进行模拟电路设计就成为较好的解决方案[1].衬底驱动技术的原理是：在栅极和源极之间加上足够大的固定电压，以形成反型层，输入信号加在衬底和源极之间，这样阈值电压就可以减小或从信号通路上得以避开。衬底驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟
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MOS CMOS
- 当平面工艺已经无法满足对于性能提升的需求时，3D架构是业界首先能想到的提升方式。
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CMOS 纳米
- 作为专注在WiFi、蓝牙、GPS连接性射频芯片技术供应商，卓胜微电子今日宣布，公司GPSLNA芯片产品MXDLN16S在三星累计出货超过2000万颗。
“卓胜微电子的GPSLNA产品能够给三星大批量供货体现了我们产品的卓越性能。”卓胜微电子总经理许志翰表示：“作为全球智能手机市场的领先者，三星对产品的创新和品质有着不懈追求，同时它对合作伙伴也有着非常高的品质和供货能力的要求。这么大批量的稳定出货证明了我们的能力。”
卓胜微电子的GPS
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卓胜微电子 CMOS
- 2014年5月5日，作为专注在WiFi，蓝牙，GPS连接性射频芯片技术供应商，卓胜微电子宣布其GPSLNA芯片产品MXDLN16S在三星累计出货超过2000万颗。
“卓胜微电子的GPSLNA产品能够给三星大批量供货体现了我们产品的卓越性能。”卓胜微电子总经理许志翰表示：“作为全球智能手机市场的领先者，三星对产品的创新和品质有着不懈追求，同时它对合作伙伴也有着非常高的品质和供货能力的要求。这么大批量的稳定出货证明了我们的能力。”
卓胜微电子的G
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GPSLNA 卓胜 RF CMOS
- 市场研究机构CoughlinAssociates的最新报告预测，磁阻式随机存取记忆体(MRAM)──包含磁场感应(field-induced)以及自旋力矩转移(spin-torquetransition，STT)等形式──将在未来因为取代DRAM与SRAM而繁荣发展。
CoughlinAssociates的报告指出，因为具备省电与非挥发特性，MRAM/STTMRAM市场营收规模可望由2013年的1.9亿美元左右，到2019年成长至21亿美元;期间的复合年平均成长率(CAGR)估计为50%。
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MRAM CMOS
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出先进的74AUP2G双门超低功率 CMOS微型逻辑器件系列，为低压和低功耗模式设计，可延长手机、电子书阅读器及平板电脑等多种掌上消费性电子产品的电池寿命。 这款逻辑器件的漏电流少于0.9 μA，达到低静态功耗的效果。其功耗电容在3.6V供电下一般为6pF，可将动态功耗降到最低。74AUP2G系列提供从0.8V到3.6V的供电电压范围，使电路供电降到最低等级。 全新超低功率74AUP2
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Diodes 电池 CMOS
- 最近以来智能手表、体征监测等穿戴式电子设备受到业界的极大关注，但市场一直处于“雷声大，雨点小”的状态。究其原因，有以下几个因素制约了穿戴式电子设备实现突破：小型化低功耗技术还满足不了需求、“杀手级”应用服务缺失、外观工艺粗糙、用户使用习惯仍需培养。 从技术层面上看，先进封装将是穿戴式电子取得成功的关键技术之一，特别是系统级封装(SiP)以及3D封装等。据深圳市半导体行业协会秘书长蔡锦江介绍，2001年以色列Given Imaging公司推出的胶囊内镜就采用SiP技术将光学镜头、应用处理器、
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穿戴式 SiP 3D CMOS
- 全球可编程平台领导厂商赛灵思公司 (Xilinx, Inc. )在 2011 年 SCTE 有线电视技术博览会 (SCTE Cable-Tec Expo 2011)上演示了有线电视行业第一个用单个 RF 端口支持多达 160 个正交幅度调制 (QAM )信道的方案，该方案是在基于赛灵思 28nm 7 系列
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Xilinx FPGA RF
- 超低功耗(ULP)射频(RF)专业厂商 Nordic Semiconductor ASA发布用于蓝牙智能(Bluetooth® Smart)信号台(beacon)的参考设计，该设计基于Nordic多个获奖及同类领先的nRF51822多协议蓝牙智能和专有2.4GHz系统级芯片(System-on-Chip, SoC)。蓝牙智能信号台是低成本、低功耗的蓝牙低功耗 (Bluetooth low energy)无线信号发送器，能够
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Nordic 蓝牙智能 nRF51822 ULP RF
- 支持在低光条件下捕获高灵敏度视频 东京—东芝公司(TOKYO：6502)今天宣布，该公司将在4月底开始批量生产用于监控摄像头和行车记录器的1/4英寸VGA CMOS图像传感器“TCM3211PB”。 这款新传感器采用5.6 µm大像素，提高了低光敏感度。即使在月光[1]，也可以捕获明亮的图像。 该传感器还整合了基于东芝算法的单帧HDR(高动态范围)功能[2] 。它可以减少假色[3] ，并能够真实再现高对比度图像的黑暗和明亮区域。 该产品的60
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东芝 CMOS 传感器
- 与其他竞争对手不同，凭借重要的自主知识产权(IP)，以及与无线接入市场领先原始设备制造商(OEM)的深入合作，飞思卡尔在定义架构，提高系统集成化水平实现性能、功率和成本优势方面居于独特地位。由于相对独立于外部IP供应商的下一代技术和时间表，飞思卡尔推出的器件路线图可帮助OEM实现其下一代无线技术的性能目标，并满足发布进度的要求。
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OEM RF DSP
- 时延是一个关键网络指标，对用户语音通话和数据交易体验具有重要影响，如视频和互联网应用。主要挑战是满足PHY层处理严格的时延预算要求，最大限度提高其他PHY处理和MAC层调度任务的可用时间预算。LTE标准规定最终用户往返时延低于5ms，要求基站内延迟更低(下行链路低于0.5ms，上行链路低于1ms)
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3GPP DFE LTE RF
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