- 随着上海自贸区挂牌时间的临近，本周自贸热卷土重来：龙头股外高桥及陆家嘴连续收出两个涨停板，且涨势有向纵深方向扩散的迹象。此前，市场人士就已获悉，允许国外企业在华销售游戏机将是上海自贸区蓝图的一部分;本月23日晚间，百视通发布的与微软在上海自贸区组建合资公司的公告，更是令自贸区相关游戏机概念的炒作热潮一触即发，百视通昨日就强势涨停。
分析人士表示，百视通与微软在上海自贸区设立合资公司的举措表明，实行了十三年的游戏机禁令将在上海自贸区正式终结;在此背景下，预计与游戏机生产相关的软硬件公司，如水晶光电
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红外LED CMOS
- 铜柱凸点和微焊点将改变倒装芯片的市场和供应链。之所以这样说，是因为除了移动产品用处理器和内存外，其他CMOS半导体也需要在比现在更小的芯片面积上实现更多的I/O个数以及更高的带宽，并采取更好的散热措施。
目前全球倒装芯片市场规模为200亿美元，以年增长率为9%计算，到2018年将达到350米亿美元。在加工完成的倒装芯片和晶圆中，铜柱凸点式封装的年增长率将达到19%。到2014年，已形成凸点的晶圆中将有50%使用铜柱凸点，从数量上来说，铜柱凸点式封装将占到倒装芯片封装市场的2/3。
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CMOS 倒装芯片
- 致力于提供功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation, 纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 宣布扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS) MOSFET产品系列，两款更大功率、更高电压(V) VRF2944 和VRF3933器件经设计在2-60 megahertz (MHz)的工业、科学和医疗(ISM)频率范围运作
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美高森美 RF MOFET
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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可重构天线 RF-PIN开关 MIMO 射频电流
- 高介电常数(High-k) 金属闸极应用于先进互补式金氧半导体(CMOS) 技术的关键挑战是什么?
高介电常数/金属闸极(HKMG) 技术的引进是用来解决标准SiO2/SiON 闸极介电质缩减所存在的问题。虽然使用高介电常数介电质能够持续缩减等效氧化物厚度(EOT)，整合这些材料需对NMOS及PMOS 元件采用不同的金属闸极。为了以最低临界电压(从而为最低功率)操作元件，NMOS元件必须使用低工作函数金属而PMOS 元件则必须使用高工作函数金属。即便有许多种金属可供挑选，但其中仅有少数具有稳定的
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ASM CMOS
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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微波功率传感器 功率计 RF
- 无线限位开关可减少因接近传感器而导致设备停机时间以及生产力损失
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无线限位 传感器 RF
- 2013年2月25日，NI在召开于西班牙巴塞罗那的世界移动通信大会上发布了其第二款矢量信号收发仪。与第一款矢量信号收发仪一样，全新的NI PXIe-5645R也是基于软件设计的系统架构，工程师们可以使用NI LabVIEW来对其进行配置以满足他们特定的需求。
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NI 信号收发仪 RF
- 加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2013 年 9 月 3 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corpor ...
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变频混频器 无缘混频器 RF
- 东芝公司（Toshiba Corporation） （TOKYO:6502）已经扩充了其200mA单输出CMOS-LDO稳压器阵容。该系列产品专为移动 ...
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移动设备 CMOS-LDO
- 开发一个针对汽车无线电和全球定位系统(GPS)接收器的射频(RF)信号测试解决方案，减少耗时且昂贵的现场测试，同时进一步提高设备的质量。
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NI GPS IAV RF PXI
- 电压的准确测量需要尽量减小至被测试电路之仪器接线的影响。典型的数字电压表 (DVM) 采用 10M 电阻器网络以把负载效应保持在不显眼的水平，即使这会引起显著的误差，尤其是在包含高电阻的较高电压电路中。
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凌力尔特 LTC6090 CMOS 放大器 电阻器
- 台湾第3季IC封测产业产值可较第2季成长4.5%。展望第3季台湾半导体封装测试产业趋势，IEK ITIS计划预估，第3季台湾封装及测试业产值分别可达新台币757亿元和336亿元，分别较第2季微幅成长4.6%和4.3%。
IEK ITIS计划指出，展望第3季，高阶智慧型手机市场反应趋弱，封测厂蒙上一层阴影;第3季智慧型手机、平板电脑以及大型数位电视终端产品需求可能趋缓，汰旧换新动能略有转弱，整体电子业库存调整时间可能拉长。
展望今年全年IC封装测试产业表现，IEK ITIS计划指出，虽然高阶
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IC封测 CMOS
- CMOS图像传感器能够快速发展，一是基于XMOS技术的成熟，二是得益于固体图像传感器技术的研究成果。进入20世纪90年代，关于CMOS图像传感器的研究工作开始活跃起来。苏格兰爱丁堡大学和瑞典Linkoping大学的研究人员分别进行了低成本的单芯片成像系统开发，美国喷气推进实验室研究开发了高性能成像系统，其目标是满足NASA对高度小型化、低功耗成像系统的需要。他们在CMOS图像传感器研究方面取得了令人满意的结果，并推动了CMOS图像传感器的快速发展。
当前研究开发CMOS图像传感器的机构很多，其中
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CMOS 图像传感器
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