实例解析：近场天线测试系统解决大型暗室测试难题-所有移动服务运营商都面临测试大型基站天线的问题。测试这种天线需要配有特殊性能极大且昂贵的全电波暗室。对于这些运营商来说，RFX2天线特性测试系统解决了在大型暗室测试的难题，即高的让人望而却步费用及耗时的测试过程。
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暗室测试 近场天线 测试系统 RF
硅光子芯片设计突破结构限制瓶颈-当今的硅光子芯片必须采用复杂的制造制程连接光源与芯片，而且也和晶圆级堆栈密不可分。
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硅光子 半导体芯片 CMOS 芯片设计
新技术将打破射频干扰难捕获的僵局-从商业无线网络和设备到军事通信、雷达和电子战争(EW)系统，射频干扰无处不在。由于干扰不可预测，要解决这一问题十分棘手。不过一种称为无间断捕获的RF录存技术，对解决这一问题可能会特别有用。
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RF 射频干扰 信号分析仪 无间断录存
利用有源偏置控制器偏置RF的最佳解决方案-射频(RF)和微波放大器在特定偏置条件下可提供最佳性能。偏置点所确定的静态电流会影响线性度和效率等关健性能指标。虽然某些放大器是自偏置，但许多器件需要外部偏置并使用多个电源，这些电源的时序需要加以适当控制以使器件安全工作。
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rf 放大器
解读RF放大器的输出限制-这篇博文是非射频（RF）与射频放大器规格对比系列博文的第三篇。我在之前的两篇博文中讨论了噪声和双音失真。今天，我们将讨论一个同样重要的话题-放大器的输出限制。对于任何应用中的放大器，输出电压的摆动范围以及可供给负载的电流量都有一个限制。
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RF 放大器 输出限制 射频放大器
无线射频技术原理及电路设计技巧-RF（射频）专指具有一定波长可用于无线电通信的电磁波。电磁波可由其频率表述为：KHz（千赫），MHz（兆赫）及GHz（千兆赫）。其频率范围为VLF（极低频）也即10-30KHz至EHF（极高频）也即30-300GHz。
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无线射频 rfid rf
无线充电技术多层次生态系统结构解析-随着物联网（IoT）、可穿戴和便携式设备的发展，消费者开始厌倦杂乱的电缆和需要频繁充电的电池。无线充电的优势远远不止于摆脱线缆的束缚。当前市场上各种各样的近场、远场充电无线技术，其中包括感应式、谐振式、RF、超声及红外线充电，这些技术都需要遵循不同的标准，也需要不同程度的折中。随着人们对无线世界的向往，预计充电技术将出现急剧增长。
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无线充电 RF IoT
cmos+忆阻器实现高效分布式处理兼存储功能的传感器架构-依靠忆阻器执行像素级自适应背景提取算法的成像传感器架构,与全cmos成像传感器相比，基于忆阻器的解决方案可取得更小的像素间距和非易失性存储功能，让设计人员能够使用可编程时间常数建立图像背景模型。
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cmos 忆阻器 传感器
你不得不知的8大降低RF电路寄生信号的设计-通过电路板布局评测，我们可发现可能发射或接收杂散RF音调的结构。要跟踪每一条线路，有意识地明确其回流路径，确保它能够与线路并行，特别是要彻底检查过渡。
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rf
ccd与cmos的区别及六大硬件技术指标-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后产生电子的基本原理相同，但是读取过程不同：CCD 是在同步信号和时钟信号的配合下以帧或行的方式转移，整个电路非常复杂，读出速率慢；CMOS 则以类似 DRAM的方式读出信号，电路简单，读出速率高。
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ccd cmos 图像传感器
图像传感器原理及分类-图像传感器是各种工业及监控用相机、便携式录放机、数码相机，扫描仪等的核心部件。目前，这个快速增长的市场现在已经延伸到了玩具、手机、PDA、汽车和生物等领域。
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图像传感器 CCD CMOS
汽车元件中EMI抗干扰测试分析-多年以来，电磁干扰（EMI）效应一直是现代电子控制系统中备受关注的一个问题。尤其在今天的汽车工业中，车辆采用了许多关键的和非关键 （critical and non-critical）的车载电子模块，例如引擎管理模块、防抱死系统、电子动力转向功能模块（electrical power steering functions）、车内娱乐系统和热控制模块。
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RF EMI 汽车电子
IF/RF数据转换器中的数字信号处理-在现代数字移动通信系统中，发射和接收路径（包括下面描述中的反馈接收路径）可根据信号特性分为三个主要电路级：射频级、模拟中频级和数字中频级。图1是典型发射机和接收机的框图。射频级处理射频信号，在当前LTE标准中，其信号频率范围一般是700 MHz到3.8 GHz。
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转换器 RF 无线通信
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出业内首个基于300毫米晶圆的RF SOI代工解决方案。8SW SOI技术是格芯最先进的RF SOI技术，可以为4G LTE以及6GHz以下5G移动和无线通信应用的前端模块(FEM)带来显著的性能、集成和面积优势。 格芯全新的低成本、低功耗、高度灵活8SW的解决方案可以在300毫米生产线上制造具有出色开关性能、低噪声放大器(LNA)和逻辑处理能力的产品。与上一代产品相比，该技术可以将功耗降低至70%，实现更高的电
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格芯 RF-SOI
有人说过，世界上只有两种电子工程师：经历过电磁干扰的和没有经历过电磁干扰的。伴随着PCB走线速递的增加，电磁兼容设计是我们电子工程师不得不考虑的问题。面对一个设计，当进行一个产品和设计的EMC 分析时，有以下5 个重要属性需考虑： (1) 关键器件尺寸：产生辐射的发射器件的物理尺寸。射频(RF) 电流将会产生电磁场，该电磁场会通过机壳泄漏而脱离机壳。PCB 上的走线长度作为传输路径对射频电流具有直接的影响。 (2) 阻抗匹配：源和接收器的
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PCB RF
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