- 据国外媒体报道，惠普周二宣布与韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)达成合作协议，共同研发下一代内存技术电阻式内存并将其推向市场。
据一份声明显示，两家公司将合作开发新型材料和技术，实现电阻式内存(ReRAM)技术的商业化。海力士将会采用由惠普实验室研发出的新型元件忆阻器(memristor)。忆阻器相比现有的固态存储技术能耗更低，速度更快，而且能在断电时存储数据。惠普今年春季称表示，忆阻器也能够执行逻辑。
ReRAM技术的初衷是成为低功耗Flash的替代品。ReRAM
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海力士 内存 ReRAM
reram介绍
日本富士通的川崎实验室透露,他们研发除了一种新型的非挥发ReRAM(电阻式记忆体),能提供更低的功耗.
包含钛镍氧化物结构的ReRAM,在刷写时只需要100mA的电流甚至更少,相比传统ReRAM,研究人员还降低了90%的波动电阻值,这一技术指标在反复高速写入和擦除时会影响产品质量和寿命.
新的技术可以更快地完成存取,5毫秒内存取10000次.
这种ReRAM未来可以替代目前的 [
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