- 目前，混合动力汽车是大规模应用新能源汽车的切入点。功率半导体器件与模块在混合动力汽车中起着不可替代的作用。除降低成本之外，混合动力汽车还需要在电池、电动、传动及电气系统等方面得到改善。
节能和环保的双重需求使得新能源汽车在全球范围内日益引起业界的重视，在最近的国际汽车展上，多家汽车企业推出了电动和混合动力汽车，这预示着新能源汽车即将进入真正的商用阶段。如今，中国对于新能源汽车的推广也进入了一个关键时期，今年2月，财政部、科技部发出《关于开展节能与新能源汽车示范推广试点工作的通知》，推广节能与
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新能源 IGBT F-RAM 混合动力
- 世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商 Ramtron International Corporation宣布已与 IBM 达成代工服务协议，两家企业计划在 IBM 位于美国 佛蒙特 州伯灵顿市的先进晶圆制造设施内增设 Ramtron 的 F-RAM 半导体工艺技术，一旦安装完毕，这一新代工服务将成为 Ramtron 推出高成本效益的新型高性能 F-RAM 半导体产品的基础。
Ramtron首席运营官 Bob Djokovich 称：“我们期
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Ramtron F-RAM IBM
- 世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商 Ramtron International Corporation宣布已与 IBM 达成代工服务协议，两家企业计划在 IBM 位于美国 佛蒙特 州伯灵顿市的先进晶圆制造设施内增设 Ramtron 的 F-RAM 半导体工艺技术，一旦安装完毕，这一新代工服务将成为 Ramtron 推出高成本效益的新型高性能 F-RAM 半导体产品的基
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Ramtron F-RAM 半导体
- 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA 封装的4兆位 (Mb) F-RAM存储器。FM22LD16 是采用48脚FBGA 封装的3V、4Mb 并口非易失性FRAM，具有高访问速度、几乎无限的读/写次数以及低功耗等优点。FM22LD16 与异步静态 RAM (SRAM) 在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多
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Ramtron F-RAM FBGA 封装
- 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出全新F-RAM系列产品中的第二款串行器件FM25V05，提供高速读/写性能、低电压工作和可选器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8脚SOIC封装，特点包括快速访问、无延迟 (NoDelay™) 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V05是工业控制、仪表、医
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存储器 RAM Ramtron FM25V10
- Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8脚SOIC封装，其特点是快速访问、无延迟(NoDelay?) 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1Mb串行闪存和串行EEPRO
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存储器 F-RAM Ramtron 闪存
- Ramtron International Corporation宣布应用工业计算平台制造商其阳科技 (Aewin Technologies) 已在其以Intel为基础的 GA-2000 及以AMD 为基础的GA-3000游戏和高分辨率多媒体PC电路板中，设计使用Ramtron的FM22L16 4兆位 (Mb) F-RAM非易失性存储器。4Mb F-RAM具有快速写入、高耐用性和低功耗特点，可在其阳科技的游戏机解决方案中替代电池供电的SRAM (BBSRAM)，以确保数据的完整性，并能同时
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存储器 Ramtron F-RAM Aewin
- 恒忆 (Numonyx) 今日宣布推出 Velocity LPTM NV-RAM 产品系列，此系列是业界最快速的低功耗双倍数据传输速率 (LPDDR) 非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比目前其他解决方案价格更低。这些装置在提供高动态随机存储器（DRAM）内容平台低成本解决方案的同时，还可达到比传统NOR Flash存储器快两到三倍读取频宽的性能。恒忆 Velocity LP NV-RAM 系列的推出为该公司未来相变存储器 (PCM) 产品提供了无缝的绝佳架构途
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- IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）日前宣布，其不断扩大的多口RAM系列又添两个新型双口RAM器件。从工业控制到医疗成像和通信，新的 9Mb 和 4Mb 双端口器件可实现高达 200MHz 的性能，以满足苛刻的存储器缓冲要求。这两款器件采用 1.8V 内核电压，比现有解决方案的功耗更低。
双端口器件集成了存储器和控制逻辑，可以通过独立端口实现对通用中央存储器的同时存取。该IDT 解决方案有助于客户通过解决芯片间连接问题，增加带宽并降低设计
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IDT RAM 双端口 低功耗
- 非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布升级其FM31x Processor Companion (处理器伴侣) 系列。升级产品融入了更高效的涓流充电器和标准12.5pF外部晶振实时时钟 (RTC)。新型 FM3127x/L27x Processor Companion具有4、16、64或256Kb非易失性F-RAM存储器、高速双线接口及高度集成的支持与外设功能，适用于基于处理器的先进系统。
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- 非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出基于F-RAM的事件数据记录仪 (EDR) -- FM6124，这是集成式的事件监控解决方案，能够连续监控状态的变化，将数据存储在F-RAM中并向系统提出有关变化的报警。FM6124与可编程逻辑控制器 (PLC) 类似，具有简单的器件设置和资料检索功能，便于系统集成和缩短设计周期。
FM6124是针对工业控制、医疗和计量等广泛的工业应用而设计。EDR能够实现
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Ramtron F-RAM 存储器 数据记录仪 EDR
- 1 Flash在SOPC中的作用
Flash在SOPC中的作用主要表现在两方面：一方面，可用Flash来保存FPGA的配置文件，从而可以省去EPCS芯片或解决EPCS芯片容量不够的问题。当系统上电后，从Flash中读取配置文件，对FPGA进行配置。另一方面，可用Flash来保存用户程序。对于较为复杂的SOPC系统，用户程序一般较大，用EPCS来存储是不现实的。系统完成配置后，将Flash中的用户程序转移到外接RAM或片内配置生成的RAM中，然后系统开始运行。
2 Flash编程的实现
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FPGA SOPC Flash RAM NiosII
- 引言
80C51系列单片机是一类经典的8位微处理器，其设计方法和体系结构一直是其他各类单片机设计的参考典范，自从20世纪80年代面世以后,得到了极大的发展与应用。直到今天,市场上还有一大部分单片机应用成品将其作为处理核心。基于80C51系列单片机无知识产权保护、市场应用广泛等优点，对其进行功能拓展,既有利于经济上节约成本,也有利于成果的推广使用。而随着单片机应用日趋复杂化,传统的51系列单片机在设计上的不足逐渐显现出来。如在现有128字节内部RAM基础上，处理一些比较复杂的算法就显不足。鉴于此,
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IP核 RAM 80C51 寄存器
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