MCS96系列单片机是一种16位字长，比MCS51系列单片机功能更全、性能更高的单片机，在仪器仪表、过程控制等领域应用极为广泛。在采用MCS96系列单片机的应用开发中，我们碰到一个难题：当需要大容量的数据存储时，数据存
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RAM 扩展 技术 外部 大容量 段式 管理 采用
在各种单片机应用系统中，存储器的正常与否直接关系到该系统的正常工作。为了提高系统的可靠性，对系统的可靠性进行测试是十分必要的。通过测试可以有效地发现并解决因存储器发生故障对系统带来的破坏问题。本文针对
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RAM 单片机系统 测试方法
引言长条的LED显示屏在生活中应用得很多，这种显示屏的控制电路简单，扫描线有限，显示信息量也不是很大。当显示信息量比较大时，若采用一般的长屏显示屏，显示信息过慢，即使采用超长屏的显示屏，其数据输出速率也很
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显示屏 控制系统 设计 LED 矩形 RAM 技术 基于
基于FPGA的双口RAM实现及应用,摘要：为了在高速采集时不丢失数据，在数据采集系统和CPU之间设置一个数据暂存区。介绍双口RAM的存储原理及其在数字系统中的应用。采用FPGA技术构造双口RAM，实现高速信号采集系统中的海量数据存储和时钟匹配。功能仿
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实现 应用 RAM 双口 FPGA 基于
双端口RAM原理介绍及其应用,摘要：IDT7132/IDT7142是一种高速2k×8双端口静态RAM,它拥有两套完全独立的数据、地址和读写控制线。文中分析了双端口RAM（DPRAM）的设计方案。并以IDT7132/7142为例介绍了双端口RAM的时序、竞争和并行通讯接口设计以及雷达仿真平台中的应用。
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及其 应用 介绍 原理 RAM 双端口
在各种单片机应用系统中，存储器的正常与否直接关系到该系统的正常工作。为了提高系统的可靠性，对系统的可靠性 ...
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单片机系统 RAM
自从OLED显示技术面世以来，可弯曲折叠的“显示器”并不算少见，不过可以卷曲的RAM你见过么?近日，韩国科学技术研究院(KAIST)的研究人员制造出了柔性、非挥发(断电不丢数据)的RRAM(阻抗式内存)。研究结果发表在10月末的美国化学会期刊《纳米通讯》上。
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OLED RAM
摘要：为了提高PCI总线与AVR单片机之间的数据传输速度，利用双口RAM通过共享的方式实现PCI总线与AVR单片机之间的高速数据交换。利用有限状态机方法将PCI接口芯片局部端逻辑转换为双口RAM读写控制信号和地址数据信号，
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接口 设计 应用 AVR 总线 RAM PCI 双口
RAM读写时序限制解决方案,本文为了提高AVS解码器的处理速度，综合了国内外学者的设计思想提出了一种逆扫描、反量化与反变换模块结构，在消耗逻辑资源允许的情况下提高了处理速度，做到速度和面积的平衡。 本文将逆扫描、反量化和反变换模块
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解决方案 限制 时序 读写 RAM
图2．2 （1）静态RAM结构组成原理图静态RAM的结构组成原理图如图2．2（1）所示，存储体是一个由64×64=4096个六管静态存 ...
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静态 RAM 原理图
法拉电容也叫超级电容器，双电层电容，其体积小、容量大、电压记忆特性好、可靠性高。与充电电池相比,具有充电时间短、功率密度高、使用寿命长、低温特性好及无环境污染等优势[2]。在数据保护电路中采用法拉电容取代
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应用 保护 数据 RAM 电容
摘要：介绍一种基于双口RAM的LonWorks现场总线智能通信节点的设计方法，并给出详细的设计步骤、硬件及软件实现。通过此LonWorks智能通信节点，能够完成RS-232-C/RS-485标准与LonTalk协议间的转换提供RS-232-C/RS-485
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通信 节点 设计 智能 LonWorks 双口 RAM 基于
Ramtron International Corporation(简称Ramtron)宣布，现在已经可广泛提供在新IBM公司生产线上制造的首批预验证铁电存储器(F-RAM)样片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分别为4kbit和16kbit的串行5V F-RAM产品，这些器件可为电子系统提供高性能非易失性数据采集和储存解决方案。Ramtron的F-RAM产品具有非易失性RAM存储性能、无延迟(NoDelay™)写入、高读/写耐用性及低功耗特性。
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Ramtron F-RAM
据业内人士透露，存储芯片厂商华邦电子公司日前决定将部分高端移动设备用RAM芯片产品交由其伙伴公司力晶代工，华邦目前正在努力提高此类产品的产能，预计今年年底前华邦外包给力晶生产的移动RAM芯片产品将可开始供货。
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华邦 RAM
从3月23日开始，三星出货4Gb容量的LPDDR2 RAM，该芯片为30纳米制程，采用该芯片的设备主要为手机和平板电脑，有望带来手机和平板运行速度上的提升。
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三星 RAM
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