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power-mos 文章 最新资讯

怎样正确使用MOS 集成电路

  • 　　所有MOS集成电路(包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路)都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm50nm80nm三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD)，实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。按损伤的严重程度静电损害有多种形式，最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与
  • 关键字： MOS  集成电路  

到底什么是fmax讲解

  • 　　简介： 今天一个刚刚入行的朋友找到我说，他的老板给了他一个MOS管让他测管子的fmax,帮他测完之后，他还问到怎么才能加大这个fmax~~想到自己也曾千辛万苦的琢磨这个参数，就写个短短的文章说一下fmax到底是什么和哪些参数有关。 　　这两个频率都是晶体管的重要参数，无论BJT还是MOS，也决定了将来电路能工作到的最大频率(当然这个最大频率是绝对不可能到fmax和ft的)。这两个频率其实离得不远，那他们有什么差别呢：ft是用电流增益来定义的，fmax是用最大功率增益来定义的，千万别弄混了哦。下图是一
  • 关键字： MOS  fmax  

Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC为辅助和待机电源带来革命性变化

  • 　　关注高能效电源转换的高压集成电路业界领导者Power Integrations公司今日发布InnoSwitch™-EP系列恒压/恒流离线反激式开关IC。新的IC产品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精确的次级反馈检测控制，因此可提供出色的多路输出交叉调整率，同时提供全面的输入电压保护和即时动态响应，并且空载功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC还采用Power Integrations创新的FluxLink™技术，可设计出无需光耦的高效率、高精度和
  • 关键字： Power Integrations  MOSFET  

Power Integrations推出业界首款兼容高通公司Quick Charge 3.0技术的充电器接口IC

  • 　　致力于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations今日宣布推出ChiPhy™充电器接口IC产品系列的最新器件CHY103D，这是首款兼容Qualcomm Inc.旗下子公司Qualcomm Technologies, Inc.所开发的Quick Charge (QC) 3.0协议的离线式AC-DC充电器IC。 　　与Power Integrations的InnoSwitch™ AC-DC开关IC一起使用，CHY103D器件可提供支持QC 3
  • 关键字： Power Integrations  CHY103D  

一种简单的防短路保护方法

  • 　　简介：注释：静电损坏器件是击穿，和烧毁是两个概念，不要混淆在一起。 　　前段时间开发了一个产品，由单片机控制对负载供电，满负载时基准电流为800毫安，程序提供不同的供电模式，具体是由单片机输出一个PWM信号控制MOS管，从而按要求调整工作电流。我们知道MOS管导通时内阻非常小，我们所用的型号约为0.1欧姆的样子，这样正常工作时上面最大压降非常小，只有800毫安*0.1欧姆=0.08伏，上面的功率损耗为0.064瓦，对于电源控制来说是一种效果不错的器件。 　　虽然MOS管导通内阻非常小，但所流过的电
  • 关键字： 静电损坏  MOS  

IBM突破7纳米制程瓶颈　或左右Power处理器发展

  • 　　IBM与合作伙伴成功研制出7纳米的测试芯片，延续了摩尔定律，突破了半导体产业的瓶颈。对于IBM而言，7纳米制程技术的后续发展将会影响旗下Power系列处理器的规划蓝图。 　　据The Platform网站报导，7纳米制程芯片背后结合了许多尚未经过量产测试的新技术，IBM与GlobalFoundries、三星电子(Samsung Electronics)等合作伙伴，对何时能实际以7纳米制程制作处理器与其他芯片并未提出时程表。 　　IBM这次利用矽锗(silicon germanium)制造一部分的电
  • 关键字： IBM  Power  

低待机功耗电源方案选择

  • 　　欧盟EUP环保指令你知道吗?你知道此指令对静态能耗有什么要求吗?我们产品上需要怎样应对呢?下面给你解决此问题的电源供电方案。 　　2009年1月6日，欧盟电子类产品待/关机模式之EuP能耗指令执行措施已正式生效，其生态化设计要求与去年7月经欧盟生态化设计管理委员会批准的工作草案相同。厂商需在2010年1月6日前达到第一阶段的要求，2013年1月6日达到第二阶段要求。 　　   　　图1 Eup图标 　　我们来了解一下EuP能耗指令第二阶段的具体要求， 　　1、产品在关机或待机
  • 关键字： MOS  AC-DC  

Power Integrations新推出的HiperPFSTM-3功率因数校正IC可提高电源的轻载性能

  • 　　致力于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日宣布推出HiperPFSTM-3系列功率因数校正IC，新器件可在整个负载范围内提供高功率因数及高效率。该系列IC非常适合通用输入下连续输出功率要求达405 W以及高压输入下峰值功率要求达900 W的应用，而且在10%负载点到满载的范围内其效率均超过95%，空载功耗则低于60 mW。功率因数在20%负载点可轻松达到0.92以上。 　　高度集成的HiperPFS-3器件包含变频CCM控制器、高压功率MOSFET
  • 关键字： Power Integrations  HiperPFSTM-3  

Power Integrations推出宽范围CAPZero-2 IC，X电容安全放电可达6 µF

  • 　　致力于高能效电源转换的高压集成电路行业领导者Power Integrations公司今日宣布推出其CAPZero系列创新的双端子X电容放电IC的下一代器件 - CAPZero™-2 IC。CAPZero-2 IC涵盖宽范围的应用和输出功率，可提高设计的灵活性。由于涵盖0.1 µF至6 µF的宽范围X电容，并且额定1 kV的击穿电压可经受6 kV的瞬态电压，因此CAPZero-2 IC可耐受剧烈的输入浪涌和电压骤升。 　　CAPZero-2 IC是一种智能的高压开关
  • 关键字： Power Integrations  CAPZero  

怎样用最小的代价降低MOS的失效率？

  • 　　【前言】在高端MOS的栅极驱动电路中，自举电路因技术简单、成本低廉得到了广泛的应用。然而在实际应用中，MOS常莫名其妙的失效，有时还伴随着驱动IC的损坏。如何破?一个合适的电阻就可搞定问题。 　　【问题分析】 　　   　　上图为典型的半桥自举驱动电路，由于寄生电感的存在，在高端MOS关闭后，低端MOS的体二极管钳位之前，寄生电感通过低端二极管进行续流，导致VS端产生负压，且负压的大小与寄生电感与成正比关系。该负压会把驱动的电位拉到负电位，导致驱动电路异常，还可能让自举电容过充电
  • 关键字： MOS  SCR  

国产POWER服务器来了,成就了谁？

  • 　　近日，华胜天成的成员公司北京新云东方系统科技有限责任公司(以下简称“新云东方”)宣布：基于安全可靠的IBM POWER微处理器以及AIX操作系统技术的新云东方全系列国产服务器上市。 　　简单的新闻，信息量却不小。 　　国产POWER服务器：背靠大树好乘凉 　　从2013年8月OpenPOWER基金会成立，到2014年11月北京市经信委、IBM、华胜天成就建立完整的可信高端计算系统产业链签署三方合作谅解备忘录，再到4月20日“新云东方”Power S
  • 关键字： POWER  服务器  

顺势而为：IBM向中国企业授权基础技术

  • 　　美国《纽约时报》网络版撰文称，由于中美两国政府在网络安全方面存在一些分歧，因此IBM选择向中国部分企业授权了基础技术，希望以此适应当下的趋势，更好地融入中国市场。 　　作为中国网络安全领域的顶尖专家，沈昌祥对中国过度依赖美国科技的现状发出了风险警告。 　　但在去年12月，这位74岁的前军方工程师却悄悄与美国科技行业的代表企业IBM展开了合作。根据北京市经济和信息化委员会的官方消息，沈昌祥的任务是帮助一家不知名的中国公司消化和整合IBM的技术。 　　过去16个月，IBM已经同意向这家名叫华胜天成的
  • 关键字： IBM  Open Power  

顺势而为：IBM向中国企业授权基础技术

  • 　　导语：美国《纽约时报》网络版今天撰文称，由于中美两国政府在网络安全方面存在一些分歧，因此IBM选择向中国部分企业授权了基础技术，希望以此适应当下的趋势，更好地融入中国市场。 　　以下为文章主要内容： 　　作为中国网络安全领域的顶尖专家，沈昌祥对中国过度依赖美国科技的现状发出了风险警告。 　　但在去年12月，这位74岁的前军方工程师却悄悄与美国科技行业的代表企业IBM展开了合作。根据北京市经济和信息化委员会的官方消息，沈昌祥的任务是帮助一家不知名的中国公司消化和整合IBM的技术。 　　过去16个
  • 关键字： IBM  Open Power  

Power Integrations新推出的智能移动设备充电器设计展现了InnoSwitch IC的高功率密度能力

  • 　　用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司(纳斯达克股票代号：POWI)今日发布全新的参考设计套件RDK-420，这款10 W恒压/恒流USB充电器基于PI公司革新性的InnoSwitch™-CH系列高集成度开关IC设计而成。InnoSwitch IC将初级侧开关与初级控制器、次级控制器和反馈电路同时集成到一个符合全球安全标准的表面贴装封装内。 　　InnoSwitch IC采用精确的次级侧调节(SSR)及高速数字FluxLink&trade
  • 关键字： Power Integrations  InnoSwitch   

国产Power能否攻破英特尔的垄断地位

  • 美国国家安全局的数据收集活动，增加了中国对美国科技公司的不信任。国产化趋势在逐渐扩大，而IBM充分利用这一形势，把Power技术完全开放，英特尔在中国的市场地位必将受到有力挑战。
  • 关键字： Power  英特尔  
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