- 中等电压和高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者Power Integrations今日推出一系列输出电流介于2.5 A和8 A之间的电气绝缘的单通道门极驱动器IC,8 A是目前业内不采用外部推动级的最大输出电流。SCALE-iDriver™ IC可同时为IGBT和MOSFET提供驱动,也是首款将Power Integrations首创的FluxLink™磁感双向通信技术引入1200 V驱动器应用的产品。Flux
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Power Integrations IGBT
- 致力于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日发布InnoSwitch™-CE IC,新器件是InnoSwitch系列恒压/恒流离线反激式开关IC的子系列。InnoSwitch-CE IC适用于TEC法规相关的消费电子应用(TEC法规是由政府认定的重要总能耗法规)。 InnoSwitch IC采用了名为FluxLink™的磁感耦合技术,该技术由Power Integrations发明,可在省去不可靠的光耦器
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Power Integrations InnoSwitch
- 致力于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日发布InnoSwitch™-CE IC,新器件是InnoSwitch系列恒压/恒流离线反激式开关IC的子系列。InnoSwitch-CE IC适用于TEC法规相关的消费电子应用(TEC法规是由政府认定的重要总能耗法规)。 InnoSwitch IC采用了名为FluxLink™的磁感耦合技术,该技术由Power Integrations发明,可在省去不可靠的光耦器
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Power Integrations InnoSwitch
- MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式:一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样,有很高的输入电阻,只是MOS管的输入电阻更高。 静电放电形成
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MOS 击穿
- 致力于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日发布900 V恒压/恒流离线反激式开关IC器件,为InnoSwitch™-EP产品系列再添新成员。新器件适用于由高压直流或三相电供电的工业控制、电机驱动、仪表计量和可再生能源方面的应用,同时也适用于在输入浪涌和电压骤升情况下要求电源仍能连续工作的标准电网电压的应用。900 V InnoSwitch-EP IC实现的电源效率非常高,在双路输出的18 W设计
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Power Integrations InnoSwitch-EP
- 致力于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日发布900 V恒压/恒流离线反激式开关IC器件,为InnoSwitch™-EP产品系列再添新成员。新器件适用于由高压直流或三相电供电的工业控制、电机驱动、仪表计量和可再生能源方面的应用,同时也适用于在输入浪涌和电压骤升情况下要求电源仍能连续工作的标准电网电压的应用。900 V InnoSwitch-EP IC实现的电源效率非常高,在双路输出的18 W设计
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Power Integrations InnoSwitch-EP
- 前段时间开发了一个产品,由单片机控制对负载供电,满负载时基准电流为800毫安,程序提供不同的供电模式,具体是由单片机输出一个PWM信号控制MOS管,从而按要求调整工作电流。我们知道MOS管导通时内阻非常小,我们所用的型号约为0.1欧姆的样子,这样正常工作时上面最大压降非常小,只有800毫安*0.1欧姆=0.08伏,上面的功率损耗为0.064瓦,对于电源控制来说是一种效果不错的器件。 虽然MOS管导通内阻非常小,但所流过的电流也有最大限制,如果电流过大,比如外接负载短路,同样会被烧毁。短路都是非正常工
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防短路 MOS
- 我们常接触到晶体三级管,对它的使用也比较熟悉,相对来说对晶体场效应管就陌生一点,但是,由于场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多,根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管,或简称MOS场效应管. 1、如何防止绝缘栅型场效应管击穿 由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高,这本来是它的优点,但在使用上却带来新的问题.由于输入阻抗高,当带电荷物体一旦靠近栅极时,在栅极感应出来的
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场效应晶体管 MOS
- 近日,成立刚满两年,被寄予厚望的国产CPU新秀——苏州中晟宏芯因为“欠薪”卷入舆论漩涡。两年前,在工信部电子司和苏州政府的扶持下,中晟宏芯获得IBM的核心技术——POWER CPU授权,并且得到了IBM、中科院计算所提供的技术支持。按照计划,中晟宏芯可以在2019年完全实现POWER芯片的消化吸收再创新,并制成完全国产化的POWER系列CPU。
然而,这家肩负使命的企业,却在新春复工之时被员工集体讨薪,数十名员工甚至在公司门
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POWER ARM
- 本来已经有了一些苗头的POWER,最终竟然倒在了欠薪上,当然这只是个导火索整个集团权利动荡,哪有心思管员工的死活。
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IBM POWER
- 高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的世界领导者Power Integrations公司今日推出LYTSwitch-3产品系列 — 该公司LYTSwitch系列LED驱动器IC的最新成员。LYTSwitch-3非常适合于最大输出功率达20 W的灯泡、灯管和筒灯应用,无论使用前沿还是后沿可控硅调光器均可提供出色的调光性能,并且支持隔离和非隔离拓扑结构。
Smart News Releases(智能新
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Power Integrations LYTSwitch-3
- 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)近日展示了最新的智能驾驶解决方案。随着半导体在先进汽车技术中的作用日益重要,意法半导体不断地开发出最先进的智能驾驶技术,包括先进驾驶辅助系统(ADAS)、设备互联通信接口和先进的安全/环保性能。
在先进驾驶辅助系统方面,意法半导体展示了一款与以色列公司Autotalks合作开发的车联网 (V2X) 通信芯片组。该芯片组整合基带处理器、主微控制器(MCU)、安全微控制器和V2X通信技术,利用GP
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意法半导体 Power
- e络盟日前宣布进一步扩展其电缆电线与电缆配件的产品范围,以Pro-Power为代表,用于设计、教育、制造、维修及维护。超过5300种的最新并且完整的产品系列包括:设备线缆、数据传输电缆、工业及自动化电缆、同轴电缆和电缆配件,用户可访问http://cn.element14.com/pro-power 查看并选择整卷或定长裁剪的相关产品。 Pro-Power 三级(Tri Rated)电缆用途广泛、易弯曲,其设计适用于电气柜、开关控制、继电器、仪表板以及小型电气设备的接线
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e络盟 Pro-Power
- 当我们还是学生的时候,不论从做题还是原理分析上,通常会重点学习NPN和PNP三极管的特性:静态工作特性计算、动态信号分析等等。对于MOS管,老师一般都会草草带过,没有那么深入的分析和了解,一般都会说MOS管和三极管的不同就是一个是电压控制,一个是电流控制,一个Ri大,一个Ri小等等。除了这些明显的特性,下文就从工作实战的角度进行MOS场效应管的分析。 首先我们来看下经常使用的增强型mos场效应管:N沟道和P沟道mos场效应管。 在消费类电子设计中由于对功耗要求比较严格,通常使用N沟道和P沟道MOS
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MOS 场效应管
- 据国外媒体报道,去年抛弃x86服务器业务后,IBM已经重新调整了其硬件策略。IBM倒贴15亿美元也没有把Power处理器业务嫁出去,该公司已经认识到打铁还需自身硬。虽然它的服务器系统在某些行业依然保持着很高的利润,但是IBM昂贵的Power服务器正在快速失去市场份额。围绕英特尔处理器构建的系统,在超大规模数据中心和高性能计算市场已经将IBM几乎完全抛在后面。
两年前,IBM为了扭转Power服务器的颓势。建立了OpenPower开源项目,现在拥有约150家会员企业。O
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IBM Power
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