- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用，这些采用密封TO-205AD(TO-39)封装的器件兼具低导通电阻和快速开关的性能。
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Vishay MOSFET
- 通常，在功率MOSFET的数据表中的第一页，列出了连续漏极电流ID，脉冲漏极电流IDM，雪崩电流IAV的额定值，然后对于许多电子工程师来说，他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中，它们如何影响系统以及如何选
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电流 MOSFET 功率 理解
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相栅极驱动器IC，适用于电动汽车和混合动力汽车中的车用高压电机驱动应用。
AUIRS2332J 高压高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器具备三个独立的高低侧参考输出通道。IR专有的 HVIC 技术使单片式结构坚固耐用，而且其逻辑输入与 CMOS 或 LSTTL 输出相兼容，低至3.3V 逻辑。新器件还提供能通过外部电流感应电阻来进行桥电流模拟反馈的集成接地参考运算放大器
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国际整流器公司 MOSFET 栅极驱动IC
- 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS产品，一款 ...
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集成高压 MOSFET PFC 控制器芯片
- 现在人们关注“平板电视”和“太阳能电池”，这两个领域都注重环保理念，需要进行低损耗、高效率的产品开发。 ...
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MOSFET 高速开关
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%，而导通电阻则与之相当甚至更低。
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Vishay MOSFET Si8802DB
- 在本电源设计小贴士以及下次的小贴士中，我们将研究一种估算热插拔MOSFET温升的简单方法。热插拔电路用于将...
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MOSFET 瞬态温升
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术，具有超低栅极电荷，以及较低栅极电荷与导通电阻乘积，该乘积是衡量用在功率转换应用中的MOSFET的重要优值系数。
与前一代S系列器件相比，新的
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Vishay Siliconix MOSFET
- 近年来，电源的输出电压越来越低、输出电流越来越大（某些电源系统输出几十安培到上百安培）。因此，电源设计中采用...
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开关电源 MOSFET
- 2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET 功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。
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Vishay MOSFET
- 闭锁继电器在给线圈一个短电压脉冲时，会改变自己的状态。由于这些继电器不需要连续的线圈电流来保持状态...
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MOSFET 继电器 驱动器
- 由分立器件组成的驱动电路((如图所示)，驱动电路工作原理如下： A.当HS为高电平时，Q7、Q4导通，Q6关闭，电容C4上的电压(约14V)经过Q4、D3、R6加到Q5的栅极，使Q5导通。在导通期间，Q5的源极电压(Phase)接近电源电
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电路设计 驱动 MOSFET 常见
- Sept. 21, 2011 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)持续为简化及加快计算平台设计而扩充其产品系列。
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安森美 半导体 MOSFET
- 美国加利福尼亚州圣何塞，2011年9月14日讯 – 用于高能效功率转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新的HiperLCS系列高压LLC电源IC，新器件将控制器、高压端和低压端驱动器以及两个MOSFET同时集成到了一个低成本封装中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的设计灵活性，既可提升效率（最高效率可超过97%），又可缩小尺寸，即利用高频工作（最高达750 kHz）来减小变压器的尺寸和输出电容的占板面积。
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Power Integrations MOSFET HiperLCS器件
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