- 我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别。工作性质：1.三极管用电流控制，MOS管...
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MOSFET 三极管
- 本应用笔记提供了一个低功耗投影仪RGBLED驱动器的参考设计。基于单芯片MAX16821构建大电流LED驱动器，能够为...
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MOSFET 降压转换器 RGB LED
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。
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Vishay DC/DC MOSFET SiR872ADP
- 针对IGBT和MOSFET可再生能源应用的35V、单通道栅极驱动器,引言对电能转换而言，可再生能源电子细分市场是一个复杂且多样化的竞技场。在一些负载点应用中，开关型功率转换器通常为非隔离式，功率水平相当低(200 W)，并且常常会把电
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IGBT MOSFET 栅极驱动器
- 在绿色能源和节能计划的带动下，加之出口回升，预计今年中国市场的功率MOSFET出货量继2011年大幅下滑之后反弹。这暗示中国以及其它主要全球经济体的形势好转。功率MOSFET广泛用于多种电子产品与系统之中。
据IHS公司的中国研究专题报告，今年中国功率MOSFET产业的营业收入预计为22.5亿美元，比2012年的21.8亿美元增长3%。去年该市场比2011年的23.7亿美元下降8%。
明年增长将更加强劲，预计营业收入上升11%，随后每年将保持稳定增长，至少保持到2017年。到2017年，预
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消费电子 MOSFET
- 常用功率器件MOSFET的基础知识介绍,我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个
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MOSFET 功率器件
- 摘要：在分析了功率MOSFET其结构特性的基础上，讨论驱动电路的设计，从而优化MOSFET的驱动性能，提高设计的可靠性。
关键词：MOSFET；急聚点；损耗
功率MOSFET具有开关速度快，导通电阻小等优点，因此在开关
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MOSFET 急聚点 损耗
- L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10（nH），其中Length单位取mm。Rg...
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MOSFET 驱动电阻
- 在电源设计小贴士#42中，我们讨论了MOSFET栅极驱动电路中使用的发射器跟踪器，并且了解到利用小型SOT-23...
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MOSFET 驱动器
- 要点1.导通电阻与栅极电荷规格的改善正在变得更难以实现和更昂贵。2.作为功率开关器件的选择，硅远未到...
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晶圆减薄 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK® 功率IC和DrMOS产品的免费在线热仿真工具ThermaSim 3.0版。为精确分析仿真的温度曲线，功能强大的最新版本ThermaSim引入了很多关键特性，比如裸片温度对功率耗散的时间缩放功能，定义更多的真实条件以提高仿真精度和设计灵活性，减轻对用户使用经验的要求。
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Vishay MOSFET DrMOS
- 摘要： 先进的单元结构和寿命控制技术已同时增强了功率MOSFET的导通电阻和反向恢复性能。 本文介绍一种新开发的平面MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有显著提高的体二极管特性，另外还介绍了其性能和效率。
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MOSFET 镇流器 FRFET 201302
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出车用AUIR3200S MOSFET 驱动IC。新产品具有全面保护和诊断功能，为继电器更换和电池开关应用提供更高的可靠性。
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IR 驱动IC AUIR3200S MOSFET
- TrenchFET IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代产品。与TrenchFET III相比，TrenchFET IV的导通电阻(RDS(ON)和栅极电荷(QG，QGD)数值都有所减小，降低了同步DC/DC转换器中的损耗。过去，降低RDS(ON)通常会以更高的栅极电荷做为折衷。但TrenchFET IV采用一种新的高密度设计，同时实现了优化的栅极电荷水平和更低的RDS(ON)。
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TrenchFET MOSFET DC/DC
- MOSFET结构及工作原理,金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管
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mosfet 场效应管
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