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如何在电源上选择MOS管
- 在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。那么栅极电荷和导通阻抗很重要，这都是对电源的效率有直接的影响，主要是传导损耗和开关损耗。还有在电源中第二重要的是MOS管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。用于针对N+1冗余拓扑的并行电源控制的MOS管在ORing F
- 关键字： MOS
功率MOS管损坏的典型
- 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：第二种：器件发热损坏由超出安全区域引
- 关键字： MOS
意法半导体推出STM32WB1MMC Bluetooth LE 认证模块
- 意法半导体新推出的STM32 Bluetooth® 无线模块让设计人员能够在无线产品尤其是中低产量项目中发挥STM32WB双核微控制器(MCU) 的优势。该模块取得Bluetooth Low Energy 5.3认证和全球无线电设备许可证，支持STM32Cube 生态系统，有助于简化应用开发，加快产品研发周期，STM32WB1MMC多合一模块缓解了供应链紧张难题和交货时间问题，并有助于避免认证成本和认证延误产品开发。STM32WB1MMC是一个LGA 封装的功能完整的无线通信参考设计，在一块经济
- 关键字： 意法半导体 STM32WB Bluetooth LE
意法半导体推出单片天线匹配IC,配合Bluetooth LE SoC和STM32无线MCU,让射频设计变得更轻松、快捷
- 意法半导体单片天线匹配 IC系列新增两款优化的新产品，面向BlueNRG-LPS系统芯片(SoC)，以及STM32WB1x 和STM32WB5x*无线MCU。单片天线匹配 IC有助于简化射频电路设计。针对BlueNRG-LPS优化的 MLPF-NRG-01D3和针对STM32WB优化的MLPF-WB-02D3集成了一个外部天线实现最佳射频输出功率和接收灵敏度所需的完整滤波和阻抗匹配电路。每款器件的天线侧标称阻抗都是50Ω。片级封装面积很小，凸点间距0.4mm，回流焊后的封装高度630µm。意法半导体的新天
- 关键字： 意法半导体 天线匹配IC Bluetooth LE SoC STM32无线MCU 射频
世平基于安森美半导体 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 应用于小型化工业电源供应器方案
- 安森美GAN_Fet驱动方案(NCP51820)。 数十年来，硅来料一直统治著电晶体世界。但这个状况在发现了砷化镓（GaAs）和砷化镓、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已经逐渐开始改变。由开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体，它们具有独特的优势和优越的特性。但问题在于化合物半导体更难制造且更昂贵。虽然它们比硅具有明显的优势。作为解决方案出现的两个化合物半导体器件是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率电晶体。这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器
- 关键字： NCP51820 安森美 半导体 电源供应器 GaN MOS Driver
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