- 美国加利福尼亚州圣何塞，2014年5月20日讯–高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的世界领导者PowerIntegrations公司（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出LYTSwitch™-2系列隔离式LED驱动器IC。新的IC产品系列能够提供最大12W...
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- 本文将会告诉你如何做一朵可以感测湿度的LED花朵。这段影片将可为你解释该电路是如何运行的。这是一个多功能的项目。它可放在玻璃容器
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- 1.UVLED(紫外LED):(1)低紫外：250nm-265nm-285nm-365nm，现在已经能够做到250nm-410nm。这些都是INGaN/GaN材料碳化物。这些紫外可杀死水中所有细菌，其杀伤力可达98%，特别是285nm。(2)中紫外光：365nm...
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- 在节能、环保及全球LED照明迅猛增长的趋势下，LED球泡灯等已几乎家喻户晓，而随着相关技术的进步，LED成本及性能水准已大幅提升。安森
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- 提起LED显示屏大家并不陌生，生活中随处可见。通常在车站、商场、广场、礼堂、机场、大厦随处可见，应用广泛。据统计，目前中国LED显示屏占国际最大的市场。LED显示屏凭借自身的优良特性与市场的推动，现在已经由传统笨重色...
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- LED灯丝驱动的理解，跟大家分享如下。一、LED灯丝驱动分类1、从驱动方案角度，LED灯丝电源分为三类：阻容降压；线性恒流；IC恒流。
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- 2016年7月19日，欧司朗签署了收购协议，将美国知名车用LED模块厂商Novità Technologies纳入麾下，此次收购不仅让欧司朗能够更好的开拓美国市场，同时LED车灯产品线也变得更加丰富，巩固了欧司朗在全球汽车照明行业的领导地位。
Novità Technologies成立于2007年，总部位于美国田纳西州，在汽车照明领域飞速发展取得不俗的成绩，公司拥有优异的LED模块研发团队及制造技术，专注于汽车的尾灯、雾灯和日间行车灯。
作为全球汽车照明市场领导
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欧司朗 LE
- 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。
MOSFET管FET的一种(另一种是JEFT)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，
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MOS MOS驱动电路
- 半导体行业的重组还在继续。恩智浦半导体(NXP Semiconductors)将把经营分立器件、逻辑芯片、功率MOS半导体等产品的标准产品业务部门出售给中国的投资公司(英文发布资料)。
标准产品业务部门2015年财年的销售额为12亿美元，约占恩智浦总销售额(61亿美元)的2成。该部门约有员工1.1万名，约为恩智浦总员工数量(4.5万)的2.5成。
出售金额约为27.5亿美元，购买方是北京建广资产管理有限公司(简称“建广资产”)与Wise Road Capital两家
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恩智浦 MOS
- MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏)，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。JFET管和MOS管一样，有很高的输入电阻，只是MOS管的输入电阻更高。 静电放电形成
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MOS 击穿
- 前段时间开发了一个产品，由单片机控制对负载供电，满负载时基准电流为800毫安，程序提供不同的供电模式，具体是由单片机输出一个PWM信号控制MOS管，从而按要求调整工作电流。我们知道MOS管导通时内阻非常小，我们所用的型号约为0.1欧姆的样子，这样正常工作时上面最大压降非常小，只有800毫安*0.1欧姆=0.08伏，上面的功率损耗为0.064瓦，对于电源控制来说是一种效果不错的器件。 虽然MOS管导通内阻非常小，但所流过的电流也有最大限制，如果电流过大，比如外接负载短路，同样会被烧毁。短路都是非正常工
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防短路 MOS
- 我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS场效应管. 1、如何防止绝缘栅型场效应管击穿 由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高，这本来是它的优点，但在使用上却带来新的问题.由于输入阻抗高，当带电荷物体一旦靠近栅极时，在栅极感应出来的
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场效应晶体管 MOS
- 当我们还是学生的时候，不论从做题还是原理分析上,通常会重点学习NPN和PNP三极管的特性：静态工作特性计算、动态信号分析等等。对于MOS管，老师一般都会草草带过，没有那么深入的分析和了解，一般都会说MOS管和三极管的不同就是一个是电压控制，一个是电流控制，一个Ri大，一个Ri小等等。除了这些明显的特性，下文就从工作实战的角度进行MOS场效应管的分析。 首先我们来看下经常使用的增强型mos场效应管：N沟道和P沟道mos场效应管。 在消费类电子设计中由于对功耗要求比较严格，通常使用N沟道和P沟道MOS
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MOS 场效应管
- 所有MOS集成电路(包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路)都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm50nm80nm三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD)，实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。按损伤的严重程度静电损害有多种形式，最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与
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MOS 集成电路
- 简介： 今天一个刚刚入行的朋友找到我说，他的老板给了他一个MOS管让他测管子的fmax,帮他测完之后，他还问到怎么才能加大这个fmax~~想到自己也曾千辛万苦的琢磨这个参数，就写个短短的文章说一下fmax到底是什么和哪些参数有关。
这两个频率都是晶体管的重要参数，无论BJT还是MOS，也决定了将来电路能工作到的最大频率(当然这个最大频率是绝对不可能到fmax和ft的)。这两个频率其实离得不远，那他们有什么差别呢：ft是用电流增益来定义的，fmax是用最大功率增益来定义的，千万别弄混了哦。下图是一
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MOS fmax
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