- 权威市场分析公司发布的最新研究报告称，智能手机取代传统手机的趋势已不可逆转，平板电脑的热销将会彻底颠覆现有的笔记本电脑市场，另外一些特殊应用的细分市场，特别是医疗电子、LED照明以及石油天然气行业的需求也将持续增长。在搭上市场需求持续强劲增长的顺风车后，无源元件制造行业有望迎来业绩增长爆发期。
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智能手机 平板电脑 无源元件 MLCC
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出0505和1111外形尺寸的新系列高功率表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)--- QUAD HIFREQ系列。该系列针对电信、医疗、军工和工业设备里的RF应用而设计，具有超过2000的超高Q值和低至0.01Ω的ESR，电压等级高达1500V。
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Vishay 电容器 MLCC
- 容易被忽视的MLCC选型小技巧,MLCC虽然是比较简单的，但是，也是失效率相对较高的一种器件。失效率高，一方面是MLCC结构固有的可靠性问题，另外还有选型问题以及应用问题。由于电容算是“简单rdqu
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MLCC 电容
- 随着Vishay在高压多层陶瓷电容器(MLCC)技术上的一系列突破，Vishsy制造出了一种新的表面贴装MLCC，比以往任何类型的电容器都更适合镇流器应用。这些新的HVArc Guard电容器采用NP0和X7R电介质，电压等级从直流250V到
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电容器 放电 防止 MLCC Guard HVArc
- 1个X2Y电容是一种平衡的MLCC解决方案，其内部有三条不同的电信号通道，有四个外部连接端口（图5）。
G1和G2端口内部连接到器件内一个共用参考（屏蔽）电极，并且AB板由此参考电极隔离。根据静电学理论，三个电节点
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MLCC 平衡式 方案
- 1个X2Y电容是一种平衡的MLCC解决方案，其内部有三条不同的电信号通道，有四个外部连接端口（图5）。
G1和G2端口内部连接到器件内一个共用参考（屏蔽）电极，并且AB板由此参考电极隔离。根据静电学理论，三个电节点
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MLCC 平衡式 方案设计
- 购买商品的一般决策逻辑是：能不能用，好不好用，耐不耐用，价格。其实这个逻辑也可以套用到MLCC的选型过程中：首先MLCC参数要满足电路要求，其次就是参数与介质是否能让系统工作在最佳状态；再次，来料MLCC是否存在
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MLCC 选型 参数
- 1个X2Y电容是一种平衡的MLCC解决方案，其内部有三条不同的电信号通道，有四个外部连接端口（图5）。
G1和G2端口内部连接到器件内一个共用参考（屏蔽）电极，并且AB板由此参考电极隔离。根据静电学理论，三个电节点
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MLCC 平衡式 方案
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，提高其VJ HVArc Guard表面贴装X7R多层陶瓷片式电容器(MLCC)的最低容值。对于更低的容值，公司会提供C0G(NP0)电介质，电压范围1000V～2500V，及采用0805～2225的5种外形尺寸。
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Vishay MLCC VJ HVArc Guard
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用一个集成电阻和低电致伸缩陶瓷配方的新款陶瓷多层片式电容器(MLCC)--- VJ CDC。对于高脉冲电流应用，VJ受控放电电容器(CDC)提供了出色的稳定性，可承受1000VDC～1500VDC的高电压，容量为33nF～560nF。
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Vishay MLCC VJ CDC
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于MRI(磁力共振影像)设备的新系列无磁性表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)--- VJ。VJ系列无磁性电容器采用C0G(NPO)和X7R/X5R电介质，提供多种外形尺寸、额定电压和电容值器件。
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Vishay MLCC
- 多层瓷介电容器(MLCC)---简称片式电容器,是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性 ...
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多层片式 电容器 MLCC
- 中心议题：•MLCC技术及材料未来发展趋势解决方案：•MLCC封装趋向小型化及薄型化发展...
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MLCC
- 在1990年,Y5V型MLCC的价格已达到钽电容的水平,到1995年,X7R型的价格达到1.0uF钽电容器的水平.这些重大变化...
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MLCC/钽电容
- 市场传出，国内面板厂抵制三星不满在欧盟控诉我国面板厂涉嫌操控价格案中，三星扮演污点证人的角色，因此释出抗用「韩货」的想法。在被动元件产品中，以台厂的积层陶瓷电容(MLCC)受惠最深，厂商估计，明年第二季起效益可望显着。
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面板 MLCC
mlcc介绍
目前广泛应用在便携产品中,主要可分为两大类：BME化的C0G产品和LOW ESR选材的X7R(X5R)产品。
C0G类MLCC的容量多在1000pF以下，该类电容器低功耗涉及的主要性能指标是损耗角正切值tgδ(DF)。传统的贵金属电极(NME)的C0G产品DF值范围是(2.0～8.0)×10-4，而技术创新型贱金属电极(BME)的C0G产品DF值范围为(1.0～2.5)×10-4，约是前者的( [
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