据国外媒体报道，美国知识产权公司BTG International Inc.(以下简称“BTG”)今天向美国国际贸易委员会提出申诉，称三星的NAND闪存芯片侵犯其5项专利，要求禁止进口侵权芯片及相关产品。BTG还将苹果、RIM等8家采用该芯片的公司列为被告。
BTG申诉材料称，涉案专利与采用“多层存储单元”(MLC)技术的闪存芯片的编程和读取方法有关。MLC技术能降低闪存芯片制造成本，并提高存储密度。
申诉材料指出，包括手机、摄像机、笔记本和
关键字：
三星 NAND 闪存芯片 MLC
周一消息 研究机构iSuppli指出，NAND闪存价格大幅波动的现象，大幅削弱了之前对2009年固态硬盘(SSD)在笔记本电脑市场普及的预期。
iSuppli专研行动和新兴内存的资深分析师Michael Yang表示，近期NAND闪存价格上涨，对闪存供货商来说来说是好事，但却为SSD在笔记本电脑的普及带来阻碍。因为SSD的价格约有90%由NAND闪存决定。所以当NAND闪存价格上涨，SSD在个人和企业市场的销量就会减缓。
多层单元(MLC)规格16GB的NAND闪存，其平均价格大幅上涨12
关键字：
NAND 闪存 MLC
近来谣言越来越厉，市场盛传英特尔将于未来2周里发布基于34纳米制程NAND芯片的固态硬盘。之前有报道称英特尔Chipzilla芯片实验室将于去年Q4发布新34纳米闪存，不过时间表早已大大推后。固态硬盘出现的时间不久，其成本高，容量有限，有时候人们甚至怀疑其可靠性。如果新的34纳米制程NAND闪存推出，固态硬盘的价格将大大降低，容量也将达到320GB左右。
固态硬盘的存储单元分为MLC(Multi-Level Cell，多层单元)和SLC(Single Layer Cell，单层单元)两种。MLC
关键字：
英特尔 NAND 34纳米 MLC SLC
利用50-40nm的工艺制程节点，NAND闪存密度已达到16 GB/D及超过2B/C多级单元（MLC）技术。尽管位元密度强劲增长，但是NAND闪存的编译能力一直停留在10MB/S范围内。由于数字内容需要的增长，公司更加重视改进NAND闪存装置的编译和读取性能，使其比特更高和性能更快，以满足消费者的需要。再加上存储产品价格急剧下降，高比特高性能已成为各个公司努力追求的方向。
2008年国际固态电路会议的论文和2007
关键字：
NAND 栅极感应 DDR MLC MLC
据国外媒体报道，本周四美光科技宣布，它与英特尔的合资企业IM Flash科技公司已经开发出处于行业领先水平的50纳米MLC(多层单元)NAND闪存芯片样品。 美光称，与SLC(单层单元)闪存组件相比，新的MLC 闪存组件体积更小，能量效益更高，能够更理想的使用在目前的计算和消费电子产品中。MLC 闪存组件的密度为16GB，而SLC闪存组件的密度仅4GB。 英特尔NAND闪存部门副总裁兼总经理Randy Wilhelm表示，我们与美光的合资公司提前开发出了行业中领先水
关键字：
MLC 闪存 消费电子 英特尔 消费电子
mlc介绍
您好，目前还没有人创建词条mlc!
欢迎您创建该词条，阐述对mlc的理解，并与今后在此搜索mlc的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473