2月3日下午消息，三星将于2月12日举行新品发布会，除了Galaxy S20系列手机和Galaxy Z Flip折叠屏手机外，还将推出新款智能扬声器Galaxy Home Mini。早在2018年，三星就有一款AI音箱跟随自家的Galaxy Note 9一起发布，它是Galaxy Home，不过一直都没有向市场推出。从目前来看，这款更小版本的AI音箱就是Galaxy Home Mini。根据曝光的信息来看，三星Galaxy Home Mini配备了三星的AI平台Bixby和Haman的AKG的5W扬声器。
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Galaxy Home Mini、智能扬声器
Micro LED有望2021年进军OLED小尺寸领地 新形态的Micro LED显示器不只亮度与对比效果超越OLED，又具备反应迅速、低功耗与高可靠度特性，若成功商业化量产上市，前景可谓一片亮丽。据集邦咨询预估，2023年Micro LED市场产值将达42亿美元。然而，现阶段Micro LED显示器的最大的挑战仍在如何降低成本。包括从生产设备的改良、检测方式的革新以及巨量转移的开发等。由于短期内降低成本的困难度仍大，因此多数厂商选择投入利基型的超大尺寸
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LED Micro Mini
林伟瀚，杨梅慧（康佳集团股份有限公司, 广东 深圳 518053） 摘要：液晶面板LCD显示因技术成熟、性价比高目前仍占显示行业主导地位。Micro-LED由于其优秀显示特性已经成为目前技术的热点，Mini-LED则是其过渡产品。对比了LCD、OLED、Mini-LED和Micro-LED显示特性。Micro-LED在亮度、色彩、大尺寸可变性等方面性能优异。而Mini-LED结合8K及QD技术将达到OLED画质，并且可靠性和成本占优势。 关键词：Mini-LED显示；Micro-LED显示；LCD
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Mini-LED显示 Micro-LED显示 LCD OLED 201907
一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G、S两级之间，有结电容存在。这个电容会让驱动MOS变的不那么简单......
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MOS MOSFET
发光二极管就是俗称的LED，由于较容易入门且普及率高，很多新手在进行入门学习时经常会选择发光二极管来入手。本文将对发光二极管与MOS之间的特定关系
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发光二极管 MOS 电流
在大功率电源当中，MOS器件的消耗至关重要。其很有可能关系到电源的整体效率。在之前的文章中，小编为大家介绍了一些功率耗散的方法，在本文中，小编将
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同步整流器 MOS 功率
据业内人士透露，三星电子几乎订购了中国LED外延片和芯片制造商三安光电位于厦门的Mini LED产能，以确保其将在2018年第三季度推出的大尺寸高端液晶电视背光芯片供应。
消息人士称，三星已经为此次芯片供应预付了1683万美元。
中国LED芯片制造商华灿光电和厦门乾照光电也已开始了MicroLED和Mini LED技术的研发，而中国的LED封装服务提供商佛山国星光电则于2018年3月初设立了MicroLED和Mini LED研究中心，以便在2020年能够封装0.5-1.0mm的Mini
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三安光电 Mini LED
根据TrendForce光电研究最新“新型显示技术成本”报告，由于Mini LED作为LCD背光的架构与现行LCD显示器的LED背光架构相仿，在设计上并无太大改变，因此也被厂商寄予厚望，希望其可成为Micro LED量产前的过渡产品。但不论是手机或电视等消费性电子产品，Mini LED势必将直接面对来自OLED的竞争，短期而言，大尺寸电视及高阶IT产品是Mini LED有机会与OLED一较高下的应用领域。
以电视来看，WitsView指出，由于OLED的印刷上色技术尚未成
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Mini LED OLED
全球智能系统产业的领导厂商研华科技今天发布新型工业级无风扇超薄Mini-ITX主板AIMB-217。该产品搭载最新Intel® Pentium®、Celeron®和Atom® N4200/N3350/x7-E3950处理器(ATOM第六代Apollo Lake)，相较于上一代产品而言CPU性能和显示性能分别实现了30%和45%的显著提升。同时，AIMB-217还捆绑研华专属WISE-PaaS/RMM软件套件，可实现远程设备管理。 AIMB-217的显示性能已提升
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研华 Mini-ITX
如何设计防反接保护电路？-利用MOS管的开关特性，控制电路的导通和断开来设计防反接保护电路，由于功率MOS管的内阻很小，解决了现有采用二极管电源防反接方案存在的压降和功耗过大的问题。
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mos
揭秘高效电源如何选择合适的MOS管-在当今的开关电源设备中，MOS管的特性、寄生参数和散热条件都会对MOS管的工作性能产生重大影响。因此深入了解功率MOS管的工作原理和关键参数对电源设计工程师至关重要。
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MOS 电源
随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不断缩小，MOS器件面临一系列的挑战。
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MOS FinFET
作为工作于开关状态的能量转换装置，开关电源的电压、电流变化率很高，产生的干扰强度较大；干扰源主要集中在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平变压器，相对于数字电路干扰源的位置较为清楚；开关频率不高（从几十千赫和数兆赫兹），主要的干扰形式是传导干扰和近场干扰；而印刷线路板（PCB）走线通常采用手工布线，具有更大的随意性，这增加了PCB分布
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EMI 开关电源 MOS
如同摩尔定律所述，数十年来，芯片的密度和速度正呈指数级成长。众所周知，这种高速成长的趋势总有一天会结束，只是不知道当这一刻来临时，芯片的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展，芯片密度不断增加，而闸级氧化层宽度不断减少，超大规模集成电路(VLSI)中常见的多种效应变得原来越重要且难以控制，天线效应便是其中之一。
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IC设计 天线 天线效应 充电损害 MOS
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