- 此电源有两种，输入电压不同分为12V和24V两种，输出电压均为19V。一、12V转19V电路电路如上图，此电路属升压型...
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车载笔记本 MOS IC器件
- 引言：为了打破传统的VDMOS工艺MOS导通电阻与反向击穿电压之间制约，半导体物理学界提出的一种新型MOS结构，称为...
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SJ-MOS VDMOS
- X-FAB Silicon Foundries日前发表XT018，世界首创180奈米200V MOS的独立沟槽电介质(SOI)的工艺。这种完全隔离型的模块化工艺让不同电压的区块能够整合在单一芯片上，大幅减少了印刷电路板的组件数量，也避免栓锁效应(latch-up)更提供对抗电磁干扰的卓越性。
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X-FAB XT018 MOS
- 以ODL牌QSA-2400专业功放为例(电路见中图)。改装后对应电路见下图。由于MOS管与三极管驱动电压差异。为了保证电压推动管静态工作点基本保持不变，要重新选择R26和R27的阻值。Q22三极管原发射极电阻上的电压为3V.现改
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介绍 改装 MOS 功放 舞台
- 英飞凌科技推出其首个专用于空间和航空应用而设计的电源开关器件。全新BUY25CSXX系列抗辐射加固型(RH)功率MOS器件拥有出类拔萃的性能，可支持面向空间应用的高能效电源调理和电源系统设计。
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英飞凌 MOS
- 以ODL牌QSA-2400专业功放为例(电路见中图)。改装后对应电路见下图。由于MOS管与三极管驱动电压差异。为了保证电压推动管静态工作点基本保持不变，要重新选择R26和R27的阻值。Q22三极管原发射极电阻上的电压为3V.现改
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电路图 方法 改装 MOS 功放 舞台
- 当使用分立的JFET时，设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程，作为JFET漏极电流特性的一个近似模型：ID=beta;(VGS-VP)2，其中，ID是漏极电流，VGS是栅源电压，be
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电路 简单 特性 JFET 确定
- 很多工艺控制传感器（如热敏电阻器和应变桥）都需要精确的偏置电流。增加一只电流设置电阻器R1后，电压基准电路IC ...
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JFET 恒定 精确电流源
- 在“2012年欧洲电力电子、智能运动、电能品质国际研讨会与展览会”上，英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，该产品系列增强了英飞凌在SiC(碳化硅)产品市场的领先地位。这个革命性的新产品系列，立足于英飞凌在SiC技术开发以及高质量、大批量生产方面十多年的丰富经验。
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英飞凌 SiC JFET
- 电路的功能近来出现了把TTL器件换成C-MOS器件的趋势，而且74HC系列产品也得到了进一步的充实。用2级TTL构成的时钟振荡电路已可用C-MOS IC构成的振荡电路替代，因为TTL IC如果置偏电阻等元件参数选择不当，容易停振或
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C-MOS 转换器 石英晶体 振荡电路
- 电路的功能如使用发光二极管直流发光，正向偏流只能在数10MA以下，允以获得大的发光输出，若采用缩小导通时的占空比，则可获得大的峰值电流。本电路发光频率为1KHZ，脉冲载频为38KHZ，受发光电路很容易分辩外来光。电
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电路 工作 原理 分析 驱动 脉冲 C-MOS 与非门 发光二极管
- 采用C-MOS转换器的石英晶体振荡电路电路的功能近来出现了把TTL器件换成C-MOS器件的趋势，而且74HC系列产品 ...
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C-MOS 转换器 石英晶体 振荡电路
- 电路的功能若要用555芯片组成长时间定时电路，R用高阻值，便可加长CR时间常数，但是，由于内部比较器的输入偏流较大，难以充电到门限电压，比较器无法驱动，为此，本电路采用了偏流非常小的C-MOS定时器芯片，选用高阻
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工作 原理 电路 定时 时间 C-MOS 设定
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