功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRAMS10UP60A PlugNDrive集成功率模块，有助简化家用电器及轻工业应用系统中的变速电机控制电路。新功率模块属于IR iMOTION集成设计平台系列，它把一个三相逆变器功率平台、栅驱动器及辅助电路，融合于紧凑、性能强劲的绝缘式封装内。 目前，有越来越多家电制造商在产品内装设电子控制式变速电机，以实现省电节能之效，最高可节省30% 能源之多。新模块的额定电流为10A，是特别为洗衣机、室内空调及商用
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IR 模块
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它们采用TO-220全绝缘型封装 (Full-Pak)，绝缘能力保证不低于2kV。新器件与IR新一代超快软恢复二极管组合封装，采用IR先进的薄硅片工艺制造。新工艺可增强电及热性能，有助降低传导损耗，却不增加开关损耗。全新IGBT是IR专为电机控制而设计的iMOTION集成设计平台系列的一部分。新器件的工作结温高达175°C，标准工作范围比同类产品高出20%。另外，它们
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IR 封装
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首个直流总线转换器芯片组系列，重新定义用于电信及网络系统的48V输入、150W基板安装功率转换器的分布式电源架构。IR的直流总线转换器芯片组架构为整体效率、功率密度和简易性建立了全新基准，能在小于1.7平方英寸电路占位上，于20A/150Wout条件下提供96%以上的效率。与业界标准的四分一砖设计相比，该芯片组能节省53%的体积，并可将隔离式转换器的元件数目由约50个大幅缩减至20个。全新芯片组包含一个IR20
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IR
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具备快速本体二极管特性，专为零电压开关 (ZVS) 电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源 (SMPS)电路中实现最大效率，并能提高功率输出，适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信及数据通信系统。最新L系列HEXFET MOSFET由于具备快速本体二极管特性，因此无需在ZVS电路中添置额外肖特基及高压二极管，减少了元件数目，节省了电路空间
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IR
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新PVT412A微电子继电器 (MER) 系列。与早前面世的PVT412 MER系列相比，新器件在 ±400V阻断条件下的负载电流性能高出两倍，器件通态电阻低出1/4，因此更具效率且性能更加稳定。全新MER可取代机电式继电器，大大增加了操作寿命及可靠性，且体积更小、敏感度更高。它们不仅具有无弹跳 (无噪音) 切换功能，还能实现更低起动电流，以及高水平抗冲击与振动性能，有助降低功耗。IR中国及香港销售总监严国富
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IR 继电器
超宽频（ultrawideband，简称UWB）技术由於传输速率极高，一米的范围内达到500Mbps的传输率，或是十米内110Mbps，因此被视为无线个人区域网路（WPAN）的下一代主流技术。在此态势下，各大业者无不希??成为此技术的引领厂商，但也造成标准制定上的困扰
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UWB 英特尔 WPAN MBOA
由於超宽频（ultrawideband；UWB）技术能大幅延伸无线个人区域网路（WPAN）的应用，因此受到市场极大的重视，但目前因产业界对IEEE所推动的802.15.3a标准还存在歧见，因此可能让市场的采用进度受阻
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UWB IEEE WPAN 英特尔
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 公布2003财年第四季度业绩，季内营业收益为2.284亿美元，不包括早前公布有关遣散及重组活动的开支，模拟净收入为1540万美元 (或每股 0.24美元)。公司去年同季的净收入为1610万美元 (或每股 0.25美元)，营业收益则为2.01亿美元。计入共380万美元的遣散及重组开支后，IR第四季度的净收入为1320万美元 (或每股 0.20美元)。IR第四季度的营业收益在预定指标上端，比上季度增加超过6%，比去年同
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IR
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 在其PlugNDrive集成功率模块系列中推出新成员IRAMX16UP60A，全面简化变速电子电机控制电路。 最新16A额定IRAMX16UP60A模块能为电子控制变速电机降低多达30%的能耗，并专为750W至1.2kW变速电机驱动应用而设计，如室内空调系统、商用冷藏柜及大容量洗衣机。 新功率模块属于IR iMOTION集成设计平台系列一部分，将一个三相逆变器功率平台、栅驱动器和辅助电路结合在小巧的高性能绝缘型封装
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IR 模块
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT，它们采用TO-220全绝缘型封装 (Full-Pak)，绝缘能力保证不低于2kV。新器件与IR新一代超快软恢复二极管组合封装，采用IR先进的薄硅片工艺制造。新工艺可增强电及热性能，有助降低传导损耗，却不增加开关损耗。全新IGBT是IR专为电机控制而设计的iMOTION集成设计平台系列的一部分。新器件的工作结温高达175°C，标准工作范围比同类产品高出20%。另外，它们
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IR 封装
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具备快速本体二极管特性，专为零电压开关 (ZVS) 电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源 (SMPS)电路中实现最大效率，并能提高功率输出，适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信及数据通信系统。最新L系列HEXFET MOSFET由于具备快速本体二极管特性，因此无需在ZVS电路中添置额外肖特基及高压二极管，减少了元件数目，节省了电路空间
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IR
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新PVT412A微电子继电器 (MER) 系列。与早先前面世的PVT412 MER系列相比，新器件在 ±400V阻断条件下的负载电流性能高出两倍，器件通态电阻低出1/4，因此更具效率且性能更加稳定。全新MER可取代机电式继电器，大大增加了操作寿命及可靠性，且体积更小、敏感度更高。它们不仅具有无弹跳 (无噪音) 切换功能，还能实现更低起动电流，以及高水平抗冲击与振动性能，有助降低功耗。IR中国及香港销售总监严国
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IR 继电器
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出高度灵活和可扩展的XPhase架构，适用于需要一个或更多相位的多相交错降压直流-直流转换器。首个Xphase芯片组配备了IR3081控制集成电路及IR3086相位集成电路，可提供超出CPU电压调节组件 (VRM) 或VRD/EVRD 10.0要求的高性能解决方案，适用于服务器和高端台式电脑内最先进的微处理器。IR XPhase架构有别于其它只能驱动有限相位的多相方案，它提供可扩展的多相设计，满足先进CPU瞬息万
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IR
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新WARP2 600V非穿透型 (NPT) IGBT，额定电流分50A、35A和20A三种。新器件的关断性能经特别改良，适用于电信和服务器系统中的大电流、高频开关电源电路。全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能价格比，提供理想的性能和效率。这些IGBT与 HEXFRED二极管组合封装，性能高于功率MOSFET中的集成体二极管。新器件采用TO-247及TO-220封装。IR中国及香港销售总监
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IR 模拟IC 电源
功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRF1312 型HEXFET功率MOSFET，额定电压达80V，可用作隔离式直流-直流转换器中的原边和付边MOSFET，专攻网络通信及数据通信系统领域。作为原边MOSFET时，IRF1312能用于高达60V最大输入电压，因此最适用于36V至60V及48V稳压输入母线隔离式直流-直流转换器应用中的半桥或全桥结构。与同类75V MOSFET相比，其80V额定电压提供额外6% 的防护带，使设计更加坚固耐用。IR中国
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IR
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