全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IR3640M PWM控制IC。该产品适用于高性能同步DC-DC降压应用，包括服务器、存储、网络通信、游戏机和通用DC-DC转换器。
IR3640M是一款单相位同步降压PWM控制器，拥有集成式MOSFET驱动器和自举二极管。新组件的单个环路电压式架构简化了设计，同时提供精确的输出电压调节和快速瞬变反应。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“IR364
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IR PWM控制器 IR3640M DC-DC
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出AUIRS2003S 200V IC，适用于低、中、高压汽车应用，包括汽车预电充开关、步进驱动器和DC-DC转换器。
AUIRS2003S符合AEC-Q100标准，是一款坚固耐用、灵活的高速功率MOSFET驱动器，并备有高、低侧参考输出通道，适用于恶劣的汽车环境及引擎罩下的应用。这款输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，可将驱动器跨导降至最低，而浮动通道可在最高200V的高侧配置中驱动一个 N 沟道功率MOSFET。
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IR MOSFET 驱动器IC
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。
新 MOSFET 系列采用了 IR 经过验证的硅技术，可提供基准通态电阻 (RDS(on)) ，并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能，即使在轻负载条件下，低转换损耗也有助于实现高效率
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IR MOSFET 硅技术
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
新系列基准MOSFET采用了IR最新的沟道技术，可在4.5V Vgs下实现非常低的RDS(on) ，显著改善了热效率。此外，这些器件具有更高的电流额定值，多余瞬变可以带来更多防护频带，并可减少由
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IR 沟道 MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 针对50W至150W高性能D类音频应用的需求推出新型IRS2093驱动IC，这些应用包括家庭影院系统和汽车音响放大器。
IRS2093基于半桥拓扑结构，在一个IC上集成了4个高压通道、高性能D类音频放大器驱动器和PWM调制器。新型IC采用紧凑的MLPQ48封装，与之前的产品相比，将电路板尺寸减少了一半。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“由于增加了外部
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IR 驱动IC IRS2093
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出AUIRS4427S双低侧驱动IC，适用于低、中、高压汽车应用，包括通用电机驱动器、汽车DC-DC转换器及混合动力系统驱动器。
AUIRS4427S是一款低压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，符合AEC-Q100标准。这些输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，可最大限度地减少两个通道的驱动器跨导和匹配传播延迟。AUIRS4427S还具有负电压尖峰免疫性，可防止系
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IR 驱动IC AUIRS4427S
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩展其SmartRectifier IC系列，推出为AC-DC功率转换器设计、适用于高端液晶电视的IR1168。
这款200V双智能型二次侧整流器驱动器IC，用于驱动在共振半桥拓扑上作为同步整流器 (SR) 的两个N通道功率MOSFET。与传统的变流器SR方式相比，IR1168能够基于接近零电流转换的MOSFET漏极感应电压准确判断启动或关闭，剔除了额外组件，因而简化了
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IR 驱动器IC SmartRectifier
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IR3725输入功率监控器IC。新器件配备数字I²C接口，适用于节能型中央处理器、服务器及存储应用所采用的低电压DC/DC转换器。
IR3725是为12V电源而设的多功能输入功率、电压和电流监控器IC。它采用已申请专利的TruePower™技术，在串行数字接口上于特定区间输出平均功率，不像同类解决方案需要依赖昂贵的A/D转换器来量度系统的功率。
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IR IC 数字接口
爱特梅尔公司 (Atmel® Corporation) 宣布提供超宽带 (Ultra Wideband, UWB) 评测工具包，帮助基于ARM926EJ-S™ 的AT91CAP9 可定制微控制器快速开发低成本的UWB应用。UWB媒体访问控制器 (Media Access Controller, MAC) 和任何专用逻辑会在仿真CAP™ 金属可编程 (MP) 模块的 FPGA 中实现；而UWB物理层 (PHY) 则在插于CAP开发板的传输和接收扩展板上实现。
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爱特梅尔 UWB 微控制器
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布将在中国重要行业盛会展示最新的功率管理方案。IR将参加于2009年2月26日至27日在深圳会展中心举行的国际集成电路研讨会暨展览会 (IIC China) 。
IR的工程师将在编号为2E01的展台上展示最先进的功率管理方案，涵盖一系列适用于照明、音频、电器、汽车、企业电源等领域的创新产品和平台，例如用于AC-DC电源供应的SmartRectifier IC、X-Phase和DirectFET MOSFET芯片组、S
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IR IIC
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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WMAN 先期验证 UWB
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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标准 雷达 UWB
Intel公司日前向外界透露，他们已经于一个月前停止了UWB超宽频无线网络芯片的研发工作。原因是公司认为直接购买此类产品成本更低。
UWB技术是无线USB标准的基础，Intel的UWB项目共历时五年，现在彻底放弃。这并不意味着Intel放弃了无线USB标准，只是公司觉得自行开发UWB芯片成本过高，不如直接从第三方厂商购买来的划算。
不过，这个“第三方”的选择也不多了。上周，UWB芯片的领先厂商WiQuest突然宣布倒闭。Intel的此次退出再次给UWB和
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Intel USB UWB
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出具有基准低通态电阻 (RDS (on)) 的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同步整流、动态ORing及包括高功率DC马达、DC-AC转换器及电动工具等工业应用。
新MOSFET的通态电阻 (RDS (on)) 能效比同类产品高出达50%，无需工业应用中通常使用的大型及昂贵封装，有助于节省总系统成本。此外，低RDS (on) 可降低导通损耗，并提升系统效率。
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IR
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