- IGBT在逆变电路中的测试与仿真，IGBT逆变器缓冲定律-在设计缓冲电路时，应考虑到缓冲二极管内部和缓冲电容引线的寄生电感。利用小二级管和小电容并联比用单只二极管和单只电容的等效寄生电感小，并尽量采用低感或无感电容。另外，缓冲电路的设计应尽可能近地联接在lGBT模块上。以上措施有助于减小缓冲电路的寄生电感。
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igbt 电容 电阻
- 双电压整流电路设计，IGBT模块适用于整流电路吗？-不用两个整流桥。用一个即可，把2个18伏交流接到整流桥的交流输入端，把变压器抽头0伏接地线（线路板的地线），整流桥直流输出+ -端接电容器滤波，电容器2个串联之后正极接整流桥正极+，电容器负极接整流桥负极-，2个串联的电容器中间引出一根线接地线，也就是双18伏交流的抽头。这样就可以在直流输出端得到正负20伏的双电源了。
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整流电路 晶闸管 igbt
- 什么是IGBT？如何使用此模块实现“双面水冷”，IGNT未来的发展趋势又是如何？-IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
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igbt 散热器 新能源汽车
- 电动汽车逆变器用IGBT驱动电源设计及可用性测试-电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。
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igbt 电动汽车 逆变器
- IGBT的结构与各种保护设计方法详解-GTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有好的特性。80年代中期问世以来，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市场，中小功率电力电子设备的主导器件。
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igbt
- IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的检测方法- IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。
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igbt
- “新型功率半导体器件及应用创新中心的成立，将推动形成‘技术创新—转化—规模化应用—投资再创新’的闭环，推动创新成果在先进轨道交通、智能电网、消费电子、电动汽车等重要领域的产业化应用。”日前，在湖南株洲召开的“湖南省IGBT产业对接会”上，中国工程院院士、中国IGBT技术创新与产业联盟理事长丁荣军说。
新型功率半导体是关系国民经济命脉的共性关键技术，涉及先进轨道交通装备、节能与新能源汽车、电
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IGBT 功率半导体
- 一个国家老工业城市如何在新时期取得成功?
美国硅谷的经验值得我们借鉴。第三次科技革命以来，硅谷不断创造和孕育出世界上最伟大的公司，并不断汇聚世界各地的人才、技术和资本，历经岁月变迁而始终屹立于世界科技浪潮的前沿。硅谷的创新覆盖了很多领域(互联网、通信、生物制药、电动汽车等)，以至于很难讲它的支柱产业是什么。
硅谷的成功源于它唯一且持之以恒的核心竞争力——创新。
如今，中国内陆的老工业基地株洲，也开始了基于创新的城市全方位转型升级。这座素有“动力之都
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中国芯 IGBT
- 三菱电机起初根据客户的要求设计定制化的汽车级模块，并且从1997年起就将汽车级IGBT模块成功地应用于电动汽车中。随后推出了非定制型的J-系列汽车级功率模块T-PM和IPM;目前针对全球推出了新一代汽车级功率模块J1-系列EV PM。
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三菱 电机 IGBT
- 东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出采用低高度SO8L封装的新型栅极驱动光电耦合器“TLP5832”。该产品提供2.5A峰值输出电流，可直接驱动中级IGBT。出货即日启动。 新IC采用SO8L封装，封装高度比东芝采用SDIP6和DIP8(LF1选项)封装的现有产品降低约54%，可为封装高度有限的电路板安装提供支持，同时有助于实现芯片组小型化。尽管尺寸小，但是该IC可保证爬电距离和至少8mm的电气间隙，使其适合需要高隔离性能的应用。 此外，该新型栅极驱动光电耦合器可在–40至+110
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东芝 IGBT
- 当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险(如图1)。
图1：下管IGBT因为寄生米勒电容而引起导通 寄生米勒电容引起的导通 在半桥拓扑中，当上管IGBT(S1)正在导通， 产生变化的电压dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E间。电流流经S
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米勒电容 IGBT
- 意法半导体SLLIMM™-nano系列IPM产品新增五款节省空间的贴装智能功率模块(IPM)，提供IGBT或MOSFET输出选择，用于电机内置驱动器或其它的空间受限的驱动器，输出功率范围从低功率到最高100W。 新模块的导通能效和开关能效都很高，特别是在最高20kHz硬开关电路内表现更为出色。通过管理开关电压和电流上升率 (dV/dt, di/dt)，内部栅驱动电路能够将电磁辐射(EMI)抑制到最低。高散热效率封装提升产品的可靠性，支持无散热器设计，同时2.7mm爬电距离和2.0
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意法半导体 IPM
- 集成的智能功率模块(IPM)将在汽车功能电子化中发挥关键作用，促成新一代紧凑的、高能效和高可靠性的电机驱动器，实现在内燃机中省去耗能的机械式驱动负荷。IPM的主要促成元素有场截止沟槽IGBT、STEALTH 二极管、HVIC、LVIC和DBC技术等。
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IPM 智能功率模块 汽车 电机驱动器 内燃机 201707
- 英飞凌科技股份公司进一步壮大1200 V单管IGBT产品组合阵容，推出最高电流达75 A的新产品系列。TO-247PLUS封装同时还集成全额定电流反并联二极管。全新TO-247PLUS 3脚和4脚封装可满足对更高功率密度和更高效率不断增长的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型应用包括变频器、光伏逆变器和不间断电源(UPS)。其他应用包括电池充电和储能系统。 相比常规TO-247-3封装而言，全新TO-247PLUS封装可实现双倍额定电流。由于去除了标准TO-24
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英飞凌 IGBT
- 英飞凌科技股份公司推出全新封装技术TRENCHSTOP™ Advanced Isolation。TRENCHSTOP™ Advanced Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT，确保一流的散热性能并简化制造流程。两个版本均经过性能优化，可取代全塑封封装(FullPAK)及标准和高性能绝缘箔。该新封装适用于诸多应用，如空调功率因数校正(PFC)、不间断电源(UPS)和变频器
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英飞凌 IGBT
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