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Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器
- 美国加利福尼亚州圣何塞，2023年12月12日讯 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块，具有增强的保护功能，可确保安全可靠的工作。SCALE™-2 2SP0230T2x0双通道门极驱动器可在不到2微秒的时间内部署短路保护功能，保护紧凑型SiC MOSFET免受过电流的损坏。新驱动器还具有高
- 关键字： Power Integrations 短路保护 SiC IGBT模块 门极驱动器
ITECH半导体测试方案解析，从容应对全球功率半导体市场风起云涌
- 全球功率半导体市场风起云涌，行业整合步伐加速。作为电力控制/节能减排核心半导体器件，功率半导体器件广泛应用于从家电、消费电子到新能源汽车、智能电网等诸多领域。顺全球半导体产业洗牌大势，近年来功率半导体产业整合步伐急速提升
- 关键字： ITECH程控电源及电子负载 IGBT模块 (600-2400V/4A-1800A) 电能转换器件 光伏/智能电网/充电桩 什么是IGBT 导通电阻
将ADuM4135栅极驱动器与Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模块配合使用
- 简介绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是适用于高压应用的经济高效型解决方案，如车载充电器、非车载充电器、DC-DC快速充电器、开关模式电源(SMPS)应用。开关频率范围：直流至100 kHz。IGBT可以是单一器件，甚至是半桥器件，如为图1所示设计选择的。本应用笔记所述设计中的APTGT75A120 IGBT是快速沟槽器件，采用Microsemi Corporation®专有的视场光阑IGBT技术。该IGBT器件还具有低拖尾电流、高达20 kHz的开关频率，以及由于对称设计，具有低杂散电感的软恢复并联二极管
- 关键字： ADI ADuM4135栅极驱动器 Microsemi APTGT75A120T1G 1200 V IGBT模块
Littelfuse推出IGBT模块和整流器二极管模块
- Littelfuse公司日前宣布，为其功率控制半导体系列新添两款产品。 新的半桥电路IGBT模块提供符合行业标准的S、D或WD封装和最高1200V、600A的额定值，能够可靠、灵活地提供依托现代IGBT技术的高效而迅速的开关速度。 此类产品设计用于多种功率控制应用，包括交流电机控制器、运动/伺服控制器、逆变器、电源以及太阳能逆变器。 新的相臂和常规阴极电路整流器二极管模块的额定值最高为1800V和200A，提供更高的热效率以保证更长的使用寿命和可靠性能。 其符合行业标准的S和A封装尺寸使标准二极管具有
- 关键字： Littelfuse IGBT模块 整流器二极管模块
二代大功率IGBT短路保护和有源钳位电路设计
- 摘要：通过分析IGBT的器件特性和短路特性，以瑞士CONCEPT公司最新推出的二代SCALE-2模块2SC0435T作为核心部件，设计了大功率IGBT的短路保护和有源钳位电路。
关键词：IGBT模块；二代SCALE-2模块；2SC0435T；短路保护 - 关键字： IGBT模块 二代SCALE-2模块 2SC0435T 短路保护 有源钳位
igbt模块介绍
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件 [ 查看详细 ]
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