去年夏季，一直走Gate-first工艺路线的台积电公司忽然作了一个惊人的决定：他们将在其28nm HKMG栅极结构制程技术中采用Gate-last工艺。不过据台积电负责技术研发的高级副总裁蒋尚义表示，台积电此番作出这种决定是要“以史为鉴”。以下，便让我们在蒋尚义的介绍中，了解台积电28nm HKMG Gate-last工艺推出的背景及其有关的实现计划。
Gate-last是用于制作金属栅极结构的一种工艺技术，这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温
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台积电 Gate-last 28nm
特点－
工作电压范围：5V~450V
支持四种调光方式：开关调光、脉冲信号(PWM)调光、DC调光（0~5V）、热平衡调光。
多重保护功能：LED开路保护、LED短路保护、过电流保护、过温度保护
支持隔离或非
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绿达 LED Driver
新加坡特许半导体计划在今年第四季度推出32nm制造工艺，明年上半年再进一步转入28nm。
特许半导体很可能会在明天的技术论坛上公布32nm SOI工艺生产线的试运行计划，并披露28nm Bulk CMOS工艺路线图，另外45/40nm LP低功耗工艺也已就绪。
特许的28nm工艺并非独立研发，而是在其所处的IBM技术联盟中获取的，将会使用高K金属栅极(HKMG)技术以及Gate-first技术(Intel是Gate-last的坚定支持者)。
特许半导体2009年技术论坛将在台湾新竹市
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特许半导体 32nm 28nm Gate-first
台积电28纳米制程再迈大步，预计最快2010年第1季底进入试产，2011年明显贡献营收，台积电可望在28纳米世代迎接中央处理器(CPU)代工订单，目前28纳米制程技术最大竞争对手，仍是来自IBM阵营的Global Foundries与新加坡特许(Chartered)，双方竞争更趋激烈。
台积电表示，已将低耗电制程纳入28纳米高介电层/金属闸(HKMG)制程技术蓝图，预计2010年第3季进行试产，至于28纳米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)则分别于2010年第1季底、第2季底进入试产
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台积电 28纳米 gate-last
LCD Driver IC 测试方法及其对测试系统提出的挑战(2)
假设被测的是256色、384 LCD输出且具有Dot 翻转功能的IC，那么由公式可得需要测试的电压值个数为： 256（颜色深度）ｘ384（pin数）ｘ2(Dot 翻转） ＝196,608 一般的DC测试部件的测试时间为几到几十个uS，由此可知测试时间将会比较长。如果IC的色彩深度高一些的话（65535色），测试时间根本无法让人接受，因此在进行此类测试时需要使用数字采样器（Dig
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LCD Driver IC 液晶显示 LCD
LCD Driver IC 测试方法及其对测试系统提出的挑战LCD显示器件在中国已有二十多年的发展历程，已经从最初的以数字显示为主转变为以点阵字符、图形显示为主。LCD显示设备以其低电压驱动、微小功耗、能够与CMOS电路和LSI直接匹配、具有极薄的扁平结构、可以在极亮的环境光下使用、工艺简单等等特点成为了极有发展前景的显示器件。 LCD显示器件种类繁多、发展迅速，从种类到原理、从结构到效应、从使用方式到应用范围差异很大，从测试原理上来说也就会有一些不同，目前比较常用的是STN和TFT的LCD显示器件。由
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LCD Driver IC 液晶显示 LCD
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