在前不久落下帷幕的深圳国际电子展现场，聚集了大量专业观众的富士通展台格外亮眼，而引发这场围观的“黑科技”之一就是已“上天入地”的铁电随机存储器(FRAM)。据富士通展台工程师介绍，从要抗宇宙辐射的卫星装置，到颇接地气的无电池舒适智能家居设备，已处处可见这种先进非易失性嵌入式存储技术的身影。除FRAM外，在本次展会上富士通还展示了继电器Relay、设计可追溯管理工具SQTRACER等领先技术。
图1：深圳电子展富士通展台。
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富士通 FRAM
对于很多人来说，第一次接触能量采集可能是在早期使用太阳能便携式计算器的时候，虽然如今这种类型的计算器已不再是主流，但是它所使用的技术和理念仍然应用于我们的日常生活中。目前，我们在许多的应用中都能看到能量采集的身影，例如传感器节点、风力涡轮机和室内供能应用等。不过，即使对于这项技术的讨论较之前已经有了很大的发展，当涉及到能量采集时，开发人员仍然面临着与数十年前一样的挑战。
为了在不带来负面影响的情况下产生出所需的能量，通常需要一块物理尺寸很大的太阳能板和一套巨大的热能采集装置，或者是通过设备发出不
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MSP430 FRAM
前些年随着一部轻喜剧的播出，“查水表”一词已被引申为调侃之语了。而伴随着智能化大潮的到来，这个曾与我们老百姓生活息息相关的词在日常生活中也正与我们渐行渐远，因为传统三表已经实现了智能计量和无线数据采集、数据实时存储和无线采集。作为其中的关键环节，数据存储的低功耗和可靠性越来越受到关注。在不久前闭幕的智能水/气计量产业链高峰论坛(WATER & GAS METERING China2016)上，富士通电子元器件(上海)有限公司亚太区市场部总经理王钰针对三表数据存储发表了专
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富士通 FRAM
4月15日消息，富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出具业界最低运行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T样品。 此FRAM产品采用I2C接口，能以最高3.4 MHz的频率及1.8V至3.6V宽电源电压运行。此外，其平均电流极低，以3.4 MHz运行时为170 μA;以1 MHz运行时则为80 μA。 除了具业界标准8引脚SOP(small outline package)之外，富士通还提
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富士通 FRAM
在计量仪表行业，水表/气表目前仍是不同于电表的一个“蓝海”市场，对成本的敏感度远低于对功耗的敏感度，正是因为这一特点，使得FRAM这一无电池存储技术在无论是通信单元(中继)还是计量单元都得到越来越多的应用。 而在深圳最近举办的2015智能水/气计量及管网执行力论坛(WATER&GAS METERING China2015)上，富士通半导体的展台人头攒动，业界对这一新型存储技术的关注可见一斑，FRAM在电表领域的成功很快将延伸到一颗电池要用10-15年的水/气表中，甚至有过
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富士通 FRAM
开车的朋友可能会有这样的经历，当您经过高速公里收费站时，您的交通收费卡在进站和出站时偶尔会无法读取，原因是您的交通卡使用的频率比较高，超过了它的读写次数。目前，这些交通卡大部分是采用内嵌EEPROM的RFID制作的，而如果将智能交通卡中的EEPROM换成FRAM，问题就迎刃而解了。
“采用FRAM 的RFID的读写次数可以达到1012，而采用EEPROM 的RFID的读写次数最多只有一百万次，这就是为何高速收费处偶尔会出现数据读不出的问题。”富士通半导体(上海)有限公司市
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FRAM RFID
富士通半导体台湾分公司宣布成功开发及推出1Mb FRAM(铁电随机存取记忆体)的MB85RS1MT元件，并采用8针脚晶圆级晶片尺寸封装(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可让封装面积仅有目前8针脚SOP封装的23%，而厚度也约其五分之一，实现将拥有序列周边介面SPI的1Mb FRAM成为最小尺寸的FRAM元件。
WL-CSP FRAM为穿戴式装置的理想记忆体元件，除了可让终端应用产品的整体积变小外，更可让FRAM在写入资料时将功耗降至最低，并提供更持久的电池续航力。
穿戴式市场是目
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富士通 FRAM
富士通半导体台湾分公司宣布成功开发及推出1Mb FRAM(铁电随机存取记忆体)的MB85RS1MT元件，并采用8针脚晶圆级晶片尺寸封装(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可让封装面积仅有目前8针脚SOP封装的23%，而厚度也约其五分之一，实现将拥有序列周边介面SPI的1Mb FRAM成为最小尺寸的FRAM元件。
WL-CSP FRAM为穿戴式装置的理想记忆体元件，除了可让终端应用产品的整体积变小外，更可让FRAM在写入资料时将功耗降至最低，并提供更持久的电池续航力。
穿戴式市场是目
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富士通 FRAM
固态硬盘(Solid State Drives)是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储单元组成。虽然成本较高，但也正在逐渐普及到 DIY 市场。存储器厂商只需购买 NAND 存储器，再配合适当的控制芯片，就可以制造固态硬盘。SSD 固态硬盘具有传统机械硬盘不具备的快速读写、质量轻、能耗低以及体积小等特点，因此被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空、导航设备等领域。
正如前文提到的，厂商只需要 NAND 存储器加上控
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NRAM SSD
美国记忆体技术开发商Nantero最近宣布进行新一轮融资，并准备“浮出水面”──因为该公司认为其独家的非挥发性随机存取记忆体(non-volatile random access memory，NRAM;或称Nano-RAM)，已经准备好取代企业应用或消费性应用市场上的储存级记忆体。
Nantero已经向新、旧投资人募得3,150万美元资金，可用以加速NRAM的研发;该公司执行长Greg Schmergel在接受EE Times 美国版编辑电话访问时表示，NRAM是以碳奈
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NRAM，CMOS
引言：
FRAM存储器可为可穿戴电子产品带来低功耗、小尺寸、高耐用性与低成本。
正文：
铁电RAM(FRAM)存储器广泛应用于工业控制系统、工业自动化、关键任务空间应用、高可靠军事以及各种汽车应用。使FRAM适用于这些应用的特征也使之成了可穿戴应用的可行技术，因为FRAM技术与生俱来的附加属性包括低功耗与高耐用性。
电子可穿戴设计的一个主要注意事项是在提升可靠性的同时降低总体功耗。设计人员必须在增加功能的同时降低系统功耗，以便延长电池使用寿命。与此同时，嵌入式软件的大小和复杂性
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FRAM 存储器
为了解决困扰工程师们数十年的设计难题，德州仪器 (TI) (NASDAQ: TXN) 日前宣布推出具有革命性的Compute Through Power Loss (CTPL)技术，以在包括全新MSP430FR6972 MCU的整个MSP430TM FRAM微控制器 (MCU) 产品系列中实现数据存储与恢复。这项正在申请专利的技术能够在应用程序意外断电后通过智能系统状态恢复实现瞬时唤醒。此外，具有TI CTPL技术的全新MSP430FR6972 MCU包含了集成的智能模拟和数字外设，用于减少系统成本、
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德州仪器 FRAM
铁电记忆体(FRAM，或FeRAM)在1990年代中期被认为将成为主流技术，但至今仍与其他众多新记忆体技术一样，并没有如预期般迅速崛起。FRAM的内部运作原理类似DRAM，有媲美SRAM的高速度以及如同快闪记忆体的非挥发性;在1980年代首个成功的FRAM电路问世，其通用功能就被认为可以在许多应用中取代DRAM、SRAM与EEPROM。
“那样的情况就是没有发生，”半导体产业分析师Jim Handy (来自Objective Analysis)在Cypress收购FRAM
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FRAM
“有了金刚钻，敢揽瓷器活”，当物联网(IoT)、智能汽车、高清视频等热门应用载着满满的财 富袭来之时，半导体厂商是否有足够先进的技术以应对呢?尤其是在需要高性能的细分市场，对于半导体厂商的要求更高。例如，物联网需要小型、低功耗、高可靠 的存储器解决方案，智能汽车需要先进的图形显示控制器以实现ADAS功能，而实时4K则需要H.265编码能力。
在本届慕尼黑上海电子展上，相关厂商展示的几项“低调奢华有内涵”的相关技术方案引起了 笔者的关注：高可靠FRA
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物联网 智能汽车 FRAM 高清视频
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