- 2017下半年,伴随业界关注已久的《乘用车企业平均燃料消耗量与新能源汽车积分并行管理办法》(简称“双积分办法”)正式发布,众多中外车企都面临了更为迫切的减排压力,也在无形中加速了新能源车的落地普及。由于燃油车在很长一段时间内都将存在于市场,而电气化技术在燃油车、混动车的节能减排等方面发挥了越来越重要的作用,也导致了其电气化比例在逐渐提升,进一步刺激汽车电子产品,乃至功率器件等电子元器件的出货量。 根据IHS的数据统计,2016年全球汽车电子的市场规模为1160亿美元,预计2022年将达到1602亿美
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富士通 FRAM
- 在RFID中嵌入FRAM,有必要吗?-富士通半导体内嵌FRAM的RFID产品相比其单体FRAM产品是比较新的,而市场上常用的RFID产品嵌入的是EEPROM。与内嵌EEPROM的RFID产品相比,内嵌FRAM的RFID读写速度快很多,并且其抗辐射性比EEPROM高出不止一个数量级。
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富士通 fram
- 带SPI接口、尺寸最小的1Mb FRAM器件诞生,它到底有多小?-富士通半导体(上海)有限公司日前宣布,成功推出拥有1 Mb内存的FRAM产品---MB85RS1MT。由于该器件采用晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP),使得其体积仅为3.09× 2.28 × 0.33 mm,一举成为业内拥有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
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富士通 fram spi
- 高性能RFID标签是怎样炼成的?-开车的朋友可能会有这样的经历,当您经过高速公里收费站时,您的交通收费卡在进站和出站的时候偶尔会无法读取,原因是您的交通卡使用的频率比较高,超过了他的读写次数。目前,这些交通卡大部分是采用内嵌EEPROM的RFID制造,而如果将智能交通卡中的EEPROM换成FRAM,问题就迎刃而解了。
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富士通 fram rfid
- 20张图文告诉您什么是智能水/气表存储关键数据的最佳解决方案-在今天的举办的2015智能水/气计量及管网执行力论坛上,富士通半导体(上海)有限公司市场部高级经理蔡振宇作了“智能水/气表存储关键数据的最佳解决方案”的主题分享。水/气表存储关键数据最佳解决方案是什么?与传统方案的优势是啥?有哪些应用案例?……带着这些问题,今天我们将通过20张图文与大家深度分享。
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富士通 fram
- 产品设计中,那些可能被你“熟视无睹”的器件-确实,通常我们习惯于集中关注如主控芯片、驱动、信号处理等系统级关键器件,而常常忽视掉那些被认为是“旁枝末节”的周边元器件的选型与应用。事实上,这些“熟视无睹”的器件,很多时候会决定你的产品成败!
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fram 双电层电容 继电器
- 次世代记忆体换当家?关于新当家的那点事-据韩媒BusinessKorea报导,IBM 和三星在电机电子工程师学会(IEEE)发布研究论文宣称,两家公司携手研发的STT-MRAM 的生产技术,成功实现10 奈秒(nanosecond)的传输速度和超省电架构,理论上表现超越DRAM。韩国半导体业者指出,16纳米将是DRAM微缩制程的最后极限,包括FRAM在内的多种次世代存储(其它包括MRAM)备受期待。
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dram fram
- 在前不久巴塞罗那举行的奥迪首届全球品牌峰会上,奥迪新一代A8旗舰级轿车正式首发,成为世界上第一款L3级自动驾驶量产车。至此,自动驾驶技术第一次真真切切地接管了人类手中的方向盘!尽管奥迪表示新A8仅在60km/h以下的低速条件实现了自动驾驶,但仍然赚足了全球车友的“眼球”。在消费者为之狂欢的同时,新A8也进一步引发了消费者与业界对自动驾驶系统“可靠性”的思考——你真的敢坐自动驾驶开的车么? 图1:奥迪A8自动驾驶技术采用多
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富士通 FRAM
- 《华尔街日报》前不久的一篇文章指出,近年来智能手机、PC、平板电脑等设备的进化并没有以往那么快速,不过它们正以新的方式推进创新,硬件厂商更多针对特定任务采用定制芯片。没错,技术的多样性正在为各种应用带来类似 “定制化”的更优化设计选项。而嵌入式系统数据存储领域也是如此,以不同独特性能的各种存储技术正在为许多应用需求提供“定制化”的方案,其中富士通在FRAM、NRAM以及ReRAM技术上正在这样做。 “作为系统关键组成部分,存储性能至关重要。” 富士通电子元器件(上海)有限公司产品
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FRAM NRAM
- 在最近热映的影片《环太平洋》中,面对怪兽的冲击波,采用数字电路控制的机甲战士瞬间就瘫痪了,而只有模拟电路扛了下来。这可以形象地用来说明,电子元器件能否抗辐射有时候是人命关天的事儿!回到现实,在医疗电子应用领域,将能够抵抗高达50kGy伽玛射线消毒的非易失性随机存储器FRAM用于一些与生命息息的关键医疗设备就再合适不过
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FRAM 医疗设备 非易失性存储 E2PROM 呼吸机
- 铁电存贮器是一种全新的存贮器,它的核心技术是铁电晶体材料。铁电存贮器的最大特点是可以跟随总线速度无限次的写入,而且写入功耗极低。文中给出了 FRAM铁电存贮器与普通存贮器的性能比较。指出了FRAM的主要应用领域。最后列出了RAMTRON串行和并行铁电存贮器的主要型号和参数。
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铁电存储器 FRAM 无限次写入
- 最新低功耗微处理器 (MCU) 集成降低安全应用成本与功耗所需的高性能以及各种特性,可帮助开发人员为低功耗应用提高安全性。此外,它们还采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或闪存提供稳健统一的存储器架构,从而可简化安全系统设计。
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FRAM 德州仪器 EEPROM MCU
- 铁电存储器(FRAM)广泛应用于工业控制系统、工业自动化、关键任务空间应用、高可靠性军事和各种汽车应用。FRAM的特性不仅使其适用于上述应用,而且它还以其低功耗和高耐用性(图1)的固有特性成为了智能电表应用的可靠选择。 (图1):高端非易失性存储器对比 电子设计的一个主要考虑因素是降低总功耗的同时提高可靠性。设计人员必须考虑增加功能,同时减少系统的功率预算,以实现更长久的电池寿命。但是与此同时,嵌入式软件正变得日益复杂,需要配备更多的存储器,但这一点对功耗也有了进一步要求。 一般来讲,智能电表将
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FRAM 智能电表
- 「FRAM」是前景看好且正受到广泛关注的集成电路组件,然而,其制造过程中使用的原材料及化学物质颇多,制程也极为复杂。为了计算出在生产FRAM时的CO2排放量,富士通针对芯片生产工厂中化学原料、化学气体、晶圆等的用
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FRAM ICT CO2 方案
- 富士通半导体和三重富士通半导体上周共同宣布宣布,他们已与总部位于美国的Nantero公司达成协议,授权该公司的碳纳米管内存(NRAM)技术,三方公司未来将致力于NRAM内存的开发与生产。据了解,借由NRAM技术所生产的内存速度将是当前普通内存的1,000倍。预计,借由三方面的合作,将在2018年推出借由55纳米制程所生产的NRAM内存。
在纳米技术研究领域,碳纳米管(CNT)是一种很独特的材料,直径只有人类头发的五万分之一,能导热导电,硬度是钢铁的50倍。在储存领域,碳纳米管通过矽基沉底也能达到
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富士通 NRAM
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