- 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技公司(Infineon Technologies)日前宣布已就英飞凌的H-PSOF (带散热片的小外形扁平引脚塑料封装) 先进汽车MOSFET封装技术达成许可协议。H-PSOF是符合JEDEC标准的TO无铅(TO-LL) 封装 (MO-299)。
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飞兆 英飞凌 MOSFET
- 英飞凌科技(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出全新650V CoolMOS CFDA，壮大其车用功率半导体产品阵容。这是业界首个配备集成式快速体二极管的超结MOSFET解决方案，可满足最高汽车质量认证标准AEC-Q101。650V CoolMOS CFDA尤其适用于混合动力汽车和纯电动汽车的电池充电、直流/直流转换器和HID(高强度放电)照明等谐振拓扑。
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英飞凌 MOSFET
- DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种
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MOSFET 选择 控制器 开关 系统 电源
- 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)与飞兆半导体公司(NYSE: FCS)近日宣布签署英飞凌先进汽车级MOSFET封装工艺H-PSOF(带散热盘的塑料小外形扁平引脚封装)——符合JEDEC标准的TO-Leadless封装(MO-299)——的许可协议。
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英飞凌 飞兆 MOSFET
- 电路热插拔控制的目的是为了在一块正在工作的电路板上添加或“插入”一块未通电的电路板，不会中断原电路板正在进行的工作状态，并且同时启动添加到系统中的那块电路板的有序上电。主要目的是为了当电流转入一块插入到“正在工作”或带电的背板或其他电路的电路板时，保护MOSFET器件。
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热插拔 MOSFET
- 在同步降压电源应用中,降低MOSFET导通电阻对同步整流器而言十分关键,因为多数情况下,快速恢复式整流电...
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MOSFET 门极驱动 电压优化
- MOSFET的开关轨迹线是判断MOSFET开关过程“软硬”程度的重要评估指标，MOSFET的软硬程度对于开关电源的性能、...
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TDS3000 示波器 MOSFET
- 据市场研究机构IMS Research的最新报告显示，2016年，LED照明应用领域的全球功率半导体市场预计将超过30亿美元。
报告认为，随着更高效照明需求的增长以及淘汰白炽灯的法令的颁布，LED照明市场快速增长，这将催生一个巨大的大功率LED潜在市场，到2016年，大功率LED出货量将达190亿个，总值超过30亿美元。
LED照明是大功率LED市场发展的最大机遇，到2016年将可带动20亿美元的功率半导体市场。市面上具有各种不同的电子设计、要求和规格的LED灯的产品范围越来越广，这也给大
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LED照明 MOSFET
- 摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC／DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。
关键词：全桥移相控制器LM5046；28个PIN脚功能(上接第1
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控制器 -LM5046 全桥移 驱动器 MOSFET 集成
- 800瓦MOSFET功放功放适合大功率的AV场合，看看参数吧：频响宽度：10HZ--100KHZ失真度（8欧姆100W输出时）：0 ...
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MOSFET 功放
- Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器，作为理想驱动二极管。同时，ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗，以及逾87%的满载效率。
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Diodes 控制器 MOSFET
- 摘要：在分析了单粒子烧毁(SEB)物理机制及相应仿真模型的基础上，研究了无缓冲层MOSFET准静态击穿特性曲线，明确了影响器件抗SEB能力的参数及决定因素。仿真研究了单缓冲层结构MOSFET，表明低掺杂缓冲层可提高器件负
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二维数值 模拟 能力 SEB MOSFET 功率
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