凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 CMOS 运算放大器 LTC6081 和 LTC6082，这两款器件在 -40oC 至 +125oC 的整个温度范围内以 3.5MHz 的增益带宽和低于 90uV 的偏移突破了精确度极限。双路 LTC6081 和 四路 LTC6082 具有轨至轨输入和输出级，实现了仅为 1.3uVp-p 的低频噪声以及在 25oC 时最大为 1pA 的低输入偏置电流，非常适用于精密仪器。
LTC6081 和 LTC6082
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模拟技术 电源技术 凌力尔特 CMOS 运算放大器 放大器
支持手机功能的两大核心芯片之一的射频收发芯片一直被认为是中国无线通信和3G产业的薄弱环节。去年下半年，国内两家领先的射频芯片企业锐迪科微电子(上海)有限公司(以下简称“锐迪科”)和鼎芯通讯(上海)有限公司(以下简称“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工艺的TD-SCDMA射频(RF)芯片，一举弥补了中国TD-SCDMA产业链发展的短板。随后，锐迪科宣布“推出全球首颗支持HSDPA的TD-SCDMA/GSM双模射频芯片”。CMOS工艺正逐渐取代硅锗BiCMOS工艺和硅BiCMOS工艺成为射频芯片的主流工艺，与此
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嵌入式系统 单片机 射频 芯片 CMOS RF RF IF
安森美半导体推出极高精度的NCP590系列双输出CMOS低压降(LDO)稳压器。该系列器件采用超小、低高度的封装，非常适合电池供电的消费类产品和微处理器控制的便携应用，如手机、个人数字助理(PDA)、GPS和便携式媒体播放器(PMP)。 NCP590 LDO系列每路输出能够提供高达300毫安(mA)的电流，特别结合了工艺与架构，能够提供快速的客户反应和极高的灵活性。0.8伏(V)到5 V的电压范围能够配合客户的不同需求。无论使用哪种类型的电容，或在空载条件下，NCP590都能稳定工作。
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模拟技术 电源技术 安森美 CMOS LDO 稳压器 元件 制造
在经历了一段时间的疯狂增长之后，CMOS传感器市场市场终于衰退下来。 最近有报导称，在CMOS图象传感情市场一片颓势的情况下，全球最大CMOS图象传感器供应商美光公司正在准备剥离这一业务。 OmniVision、三星、意法半导体和东芝等CMOS图象传感器市场的其它供应商也同样经历了一段混乱时期。 ICInsights公司分析师Ro
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消费电子 CMOS 图象传感器 美光 消费电子
Avago Technologies(安华高科技)宣布，已经在65纳米(nm) CMOS工艺技术上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能输出。持续其在嵌入式SerDes技术的领导地位，Avago最新一代的工艺技术能够节省高达25%的功耗和空间。拥有接近4,500万通道数的SerDes总出货量，Avago在提供可靠高性能知识产权(IP)上拥有辉煌稳定的纪录，现在更以65 nm工艺上经验证的17 Gbps SerDes性能将
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嵌入式系统 单片机 安华高科技 65 nm CMOS 嵌入式
这个设计思路展示给大家如何去创建一个可靠、低成本、简单的电感测试仪。这个测试仪的基础是一个皮尔兹CMOS缓冲振荡器（图一）。这种振荡器采用单一CMOS逆变偏频在其线性区域通过电阻R1 以形成一个高增益反相放大器。由于这个高增益，这个逆变器比一个非缓冲门消耗的功率低，甚至是很小的信号就是可以驱动输出端得高低。
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测试 测量 电感 CMOS 缓冲振荡器 测试测量
日前，德州仪器(TI)宣布推出支持大输出电流的3ppm/℃最大温度漂移、高精度、低成本CMOS电压基准产品系列——REF50xx。该系列产品提供的超高精度与系统性能等级，先前只有成本高昂的掩埋齐纳技术才能提供。虽然REF50xx主要面向新一代工业过程控制，但是也广泛适用于多种应用，其中包括医疗仪器、高精度数据采集以及测试与测量等。
REF50xx具有+/-10mA的大输出电流范围，能够为ADC提供精确的电压基准，而无需额外运放缓冲器。高精度(0.05%最大
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嵌入式系统 单片机 德州仪器 CMOS 电压基准 嵌入式
日前，Vishay Intertechnology宣布推出两种新系列四通道 SPST CMOS 模拟开关，这些器件将高开关速度与高信号带宽进行了完美结合，可用于众多开关应用，其中包括音频、视频、数据及电源。
Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四个可独立选择的 44V SPST 开关，每个均具有 4Ω 的典型导通电阻及 0.2Ω 的典型平坦度，这两个参数是低失真音频信号开关的理想参数。
所有这些器件均可与 Vishay Siliconix DG411、
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Vishay SPST CMOS 开关
CMOS工艺具有价格便宜、集成度高、功耗低的特点。随着CMOS工艺的发展，器件特征频率大幅提高，采用CMOS工艺实现超高速集成电路成为可能。本文给出了使用CMOS工艺设计的单片集成超高速4：1复接器。
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0.18 CMOS 超高速 复接器
富士通微电子（上海）有限公司近日宣布，富士通株式会社、富士通微电子美国公司（FMA）以及捷智技术公司的全资子公司捷智半导体公司（Jazz）将合作生产用于RF CMOS设备的片上系统（SoC）产品。根据各方签署的协议备忘录，此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信号专业技术与富士通处于领先地位的90nm 及65nm生产技术相结合，使两家公司能够为SoC客户提供高性能的客户自有工具（COT）代工服务。此次联合将使富士通能够利用其自身先进的90nm 及65nm低漏电LSI生产工艺，提供给捷智高精度的RF模型
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近年来，电子产品不断向小型化和便携式方向发展，需要低电压、低功耗的集成电路，以延长电池的使用寿命。CMOS技术可以将包括数字电路和模拟电路的整个系统同时封装和制造在一个芯片上。因此，低电压、低功耗的要求，不仅是对数字集成电路，也同样针对于模拟集成电路。由于数字集成电路工作在开关状态，通过合理减小电路尺寸，不难满足其要求。但是，对于模拟集成电路，由于场效应管的阈值电压(Vth)不随电源电压的降低而成比例地下降，如果采用低电压供电，将使输出范围大大减小，输出电流的信噪比(S/N)减小，共模抑制比(CMRR)降
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在DC-DC电源管理芯片中，电压的稳定尤为重要，因此需要在芯片内部集成欠压锁定电路来提高电源的可靠性和安全性。对于其它的集成电路，为提高电路的可靠性和稳定性，欠压锁定电路同样十分重要。
传统的欠压锁定电路要求简单、实用，但忽略了欠压锁定电路的功耗，使系统在正常工作时，仍然有较大的静态功耗，这样就降低了电源的效率，并且无效的功耗增加了芯片散热系统的负担，影响系统的稳定性。
基于传统的欠压锁定电路，本文提出一种CMOS工艺下的低压低静态功耗欠压锁定电路，并通过HSPICE仿真。此电
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CMOS 电源技术 模拟技术 锁定电路
目前，传统的电荷耦合设备（CCD）图像传感器技术已不能满足工业及专业图像抓取（image capture）应用的需要。基于标准CMOS技术的新型图像传感器技术以其高度灵活性、出色的静态和动态特性以及在各种系统环境下表现出的易集成性在医用电子产品行业中开创出了一个全新领域，为用户提供了更多选择。 从CCD到CMOS：大势所趋 在过去三十年左右的时间里，CCD技术一直被用于图像转换。CCD是一种成熟的技术，能够在低噪声的前提下提供优质图像，作为电荷耦合器件在像素间完成图像数据的串行传输。为
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CMOS 单片机 嵌入式系统 图形传感器 医疗 医疗电子
过去，由于缺乏低成本系统部件，或因全息多路技术过于复杂以及找不到合适的记录材料，使全息数据存储产品的开发受到限制。现在，已经进入消费类屏幕市场的数字微镜设备以及用于高速机器视觉应用、基于CMOS的有源像素探测器阵列将使这种状况得以改观。举例来说，由于微镜设备可被有效地用作空间光调制器（spatial light modulator），因此高速CMOS成像器可用来读取全息媒体中包含的数字数据。 在传统光学存储设备中，数
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CMOS 成像器 单片机 嵌入式系统 数据检索
摘要: 本文以使用标准CMOS技术和有源像素架构的CMOS有源像素传感器为研究对象。该传感器专为X射线成像系统而设计，具有噪声低和感光度高等特点。这种传感器已使用标准0.35μm技术和8″晶圆得到生产。传感器分辨率为每40 x 40μm2 面积3360 x 3348像素。其对角长度略大于190mm。本文对传感器的图纸设计、拼接图和已得到开发的电子光学性能进行了论述。 &nbs
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CMOS X射线 电源技术 晶圆级 模拟技术 图像传感器 有源像素 其他IC 制程 设备诊断类
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