- 爱尔兰丁铎尔国家研究院的科学家最近宣称他们成功制出了业内首款非节型晶体管，并称此项发明对10nm级别制程意义重大，可大大简化晶体管的制造工艺复杂 程度。这种晶体管采用类似Finfet的结构，将晶体管的栅极制成婚戒型的结构，并在栅极中心制出硅质沟道，沟道的尺寸仅有数十个原子的直径加起来那么大。
该研发团队是由Jean-Pierre Colinge教授领导的，这种晶体管的亚阀值斜率接近理想状态，而且还具备漏电电流小，门限电压低以及耐温性好的优点，而且还可以兼容于CMOS工艺。
硅沟道中的电
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晶体管 CMOS
- 作为中国大陆第一大CMOS图像传感器设计公司的格科微电子于日前宣布该公司在其晶圆伙伴中芯国际集成电路制造有限公司量产的CMOS图像传感器8吋晶圆产品出货达到10万片的新里程碑。
牋牋作为大陆地区首家涉足CMOS图像传感器领域并取得成功的专业CMOS图像传感器设计公司，格科微拥有创新的CMOS图像传感器核心技术。格科微的CMOS图像传感器产品具有尺寸小，功耗低，成本低，产品图像品质好等特点。除此之外具有色彩校正，噪音消除，图像大小调整等功能。其晶圆伙伴中芯国际生产格科微图像传感器产品采用的0.15
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格科微 CMOS 图像传感器
- 三星电子(Samsung Electronics)再度出手，继2009年下半首度大幅扩充产能外，2010年将首度启动扩充产能机制，预计将再新增1座8寸晶圆厂，全数用于投产CMOS影像传感器。
据了解，三星原本已在韩国共有2座8寸厂、1座12寸厂用于投产CMOS影像传感器，2座8寸晶圆厂月产能共4万~4.5万片，12寸厂月产能2万~2.5 万片，2009年下半为满足客户庞大需求，已先行在2座8寸晶圆厂内每月再新增1.2万~2万片产能，不过即便如此，似乎仍无法满足客户需求。
据了解，新的8寸晶
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Samsung CMOS 晶圆
- 随着笔记本电脑、手机、PDA 等移动设备的普及,对应各种电池电源使用的集成电路的开发越来越活跃,高性能、低成本、超小型封装产品正在加速形成商品化。LDO(低压差)型线性稳压器由于具有结构简单、成本低廉、低噪声、
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设计 稳压器 线性 CMOS 超低
- 焊接绝缘栅（或双栅）场效应管以及CMOS集成块时，因其输入阻抗很高、极间电容小，少量的静电荷即会感应静电高压，导致器件击穿损坏。笔者通过长期实践摸索出下述焊接方法，取得令人满意的效果。1.焊绝缘栅场效应管。
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CMOS 焊 场效应管 集成电路
- CCD（Charge Coupled Device）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor以下简称CIS）的主要区别是由感光单元及读出电路结构不同而导致制造工艺的不同。CCD感光单元实现光电转换后，以电荷的方
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传感器 对比 图像 CCD CMOS 监控
- CCD（ChargeCoupledDevice）图像传感器（以下简称CCD）和CMOS图像传感器（CMOSImageSensor以下简称CIS）的主要...
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CMOS 图像传感器 CCD 图像传感器 CIS
- 威盛电子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器，这是USB3.0技术时代业内首款支持更高传输速度的整合单芯片解决方案。
USB3.0(即超速USB)的最大数据传输速度可达5Gbps，是现有USB2.0设备传输速度的10倍;此外，该技术还能提高外部设备与主机控制器之间的互动功能，包括能耗管理上的重要改进。
VIA VL810由威盛集团全资子公司VIA Labs研发，它实现在一个USB接口上连接多个设备从而扩展了计算机的USB性能。一个输出接口及四个输入接口不仅支持高
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威盛 USB3.0 CMOS
- 基于0.13微米CMOS工艺下平台式FPGA中可重构RAM模块的一种设计方法,1. 引言
对于需要大的片上存储器的各种不同的应用，FPGA 需要提供可重构且可串联的存储器阵列。通过不同的配置选择，嵌入式存储器阵列可以被合并从而达到位宽或字深的扩展并且可以作为单端口，双端口
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RAM 重构 模块 设计 方法 FPGA 平台 0.13 微米 CMOS 工艺
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随着集成电路技术的广泛应用及集成度的不断增加，超大规模集成电路(VLSI)的功耗、芯片内部的温度不断提高，温度保护电路已经成为了众多芯片设计中必不可少的一部分。本文在CSMC 0．5／μm CMOS工艺下，
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电路 保护 温度 CMOS 功能
- IBM研究人员开发出了基于极薄SOI(ETSOI)的全耗尽CMOS技术，面向22nm及以下节点。
在IEDM会议上，IBM Albany研发中心的Kangguo Cheng称该FD-ETSOI工艺已获得了25nm栅长，非常适合于低功耗应用。除了场效应管，IBM的工程师还在极薄SOI衬底上制成了电感、电容等用于制造SOC的器件。
该ETSOI技术包含了几项工艺创新，包括源漏掺杂外延淀积(无需离子注入)，以及提高的源漏架构。
该技术部分依赖于近期SOI晶圆供应商推出了硅膜厚度为6nm的S
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IBM CMOS 22nm SOC
- 锁相环在通讯技术中具有重要的地位，在调制、解调、时钟恢复、频率合成中都扮演着不可替代的角色。可控振荡器是锁相环的核心部分。最近，鉴于对集成电路低功耗和高集成度的追求，越来越多的研究人员投人到基于CMOS工
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CMOS 高频 压控振荡器
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