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cmos-mems 文章 进入cmos-mems技术社区

无线传感器网络承载信息感知重任

  •   WSN是wireless sensor network的简称,即无线传感器网络。   无线传感器网络(Wireless Sensor Network,WSN)就是由部署在监测区域内大量的廉价微型传感器节点组成,通过无线通信方式形成的一个多跳的自组织的网络系统,其目的是协作地感知、采集和处理网络覆盖区域中被感知对象的信息,并发送给观察者。传感器、感知对象和观察者构成了无线传感器网络的三个要素。
  • 关键字: 无线传感器  MEMS  

CMOS Sensor的调试经验

  • 目前,包括移动设备在内的很多多媒体设备上都使用了摄像头,而且还在以很快的速度更新换代。目前使用的摄像头分为两种:CCD(Charge Couple Device电荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互补
  • 关键字: Sensor  CMOS  调试  经验    

意法半导体是2010年最大MEMS厂商 德州仪器居次

  •   据IHS iSuppli研究,意法半导体(STM)在2010年仍然是最大的MEMS传感器生产商,营业收入几乎是排名第二的德州仪器的五倍。
  • 关键字: 意法半导体  MEMS  

ADI推出惯性测量单元

  •   全球领先的高性能信号处理解决方案供应商ADI,近日正式全面推出惯性测量单元,在单个封装中集成一个三轴陀螺仪、一个三轴加速度计、一个三轴磁力计和一个压力传感器。ADIS16407 中的每个传感器都结合了 ADI 公司业界领先的 i MEMS® 技术与信号调理技术,以优化 IMU 的10自由度动态性能。每个 IMU 的灵敏度、偏置、对准和温度均在出厂时校准。因此,各传感器均有其自己的动态补偿公式,以最大程度地提高传感器测量的精度。
  • 关键字: ADI  MEMS  

“宽动态”未来或成视频监控摄像机标配

  • 宽动态摄像机作为摄像机一个非常重要的分支,在明暗反差太大、光线来源单一的场合,发挥了重要的作用。宽动...
  • 关键字: 宽动态摄像机  CCD+DSP  CMOS+DPS  

飞思卡尔压力传感器为基于位置的服务简化系统设计

MEMS技术

  • MEMS技术基础MEMS技术的目标是通过系统的微型化、集成化来探索具有新原理、新功能的元件和系统。MEMS技术是一种典型的多学科交叉的前沿性研究领域,几乎涉及到自然及工程科学的所有领域,如电子技术、机械技术、物理
  • 关键字: 技术  MEMS  

MEMS加速度传感器的自动校准平台

  • 摘要:介绍了一种基于MEMS加速度传感器的自动校准平台的设计方案。从数学模型入手,推导了倾角测量算法并设计了调平控制方案。在电机控制环节加入改进后的PID算法,解决了输出突变导致系统性能下降的问题。快慢档的设
  • 关键字: 校准  平台  自动  传感器  加速度  MEMS  

MEMS压力传感器应用

  • MEMS压力传感器可以用类似集成电路(IC)设计技术和制造工艺,进行高精度、低成本的大批量生产,从而为消费电子和工业过程控制产品用低廉的成本大量使用MEMS传感器打开方便之门,使压力控制变得简单易用和智能化。M
  • 关键字: 应用  传感器  压力  MEMS  

CMOS振荡器设计

  • 1 引言   集成电路是采用半导体制作工艺,在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件,并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。 一个典型的数字锁相环结构如图1 所示
  • 关键字: 设计  振荡器  CMOS  

基于ARM-Linux的微惯性单元数据采集与处理

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: MEMS  数据采集  Linux  

标准有助于规范纳米行业的秩序

  • 制定行业公认的标准是研究纳米技术必不可少的先期工作        就像1849年出现的加利福尼亚淘金热一样,纳米技术的出现也带来了巨大机遇和极大风险。正如在淘金热时代出现了很多新技术、利益和挑战一样,人们对纳米技术的探索也将不可避免地促使人们开发一些新工具突破纳米关键技术,抓住创造巨大财 富的机遇,但是也存在给环境、健康和安全带来灾难性影响的可能性。尽管纳米技术将毋庸置疑地形成很多爆炸性的技术,催生很多新的研究领域,但是也可能对那些不了解
  • 关键字: 纳米  CMOS  

高k栅介质中电荷俘获行为的脉冲特征分析

  •        本文介绍了电荷俘获的原理以及直流特征分析技术对俘获电荷进行定量分析的局限性。接下来,本文介绍了一种超快的脉冲I-V分析技术,能够对具有快速瞬态充电效应(FTCE)的高k栅晶体管的本征(无俘获)性能进行特征分析。 先进CMOS器件高k栅技术的进展        近年来,高介电常数(高k)材料,例如铪氧化物(HfO2)、锆氧化物(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)以及
  • 关键字: 脉冲  CMOS  

SuVolta全新CMOS平台有效降低集成电路功耗

  •   SuVolta日前宣布推出PowerShrink™低功耗平台。该平台可以有效降低CMOS集成电路2倍以上的功耗,同时保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半导体有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天还共同宣布,富士通已获得授权使用SuVolta创新型PowerShrink™低功耗技术。   
  • 关键字: SuVolta  CMOS  

传感器接口标准最新进展

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cmos-mems介绍

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