- 在地热生产和石油生产过程中温度通常会超过200℃，高于设备所用的传统微芯片一般能耐受的最高温度。德国弗劳恩霍夫微电子电路与系统研究所(IMS)的研究人员近日开发出一种新型的高温工艺，可以制造出超紧凑型微芯片，这种微芯片在高达300℃的温度下也能正常工作。
传统的CMOS芯片有时能耐受250℃的高温，但其性能与可靠性会迅速下降。还有一种方法是对热敏感的微芯片实施持续冷却，但是很难实现。此外，市场上也存在专门的高温芯片，但是尺寸过大(最小尺寸也达1微米)。
IMS开发的微芯片尺寸仅有0
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微芯片 CMOS
- 因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连，或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准，于是采用衬底驱动技术进行模拟电路设计就成为较好的解决方案[1].衬底驱动技术的原理是：在栅极和源极之间加上足够大的固定电压，以形成反型层，输入信号加在衬底和源极之间，这样阈值电压就可以减小或从信号通路上得以避开。衬底驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟
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MOS CMOS
- 当平面工艺已经无法满足对于性能提升的需求时，3D架构是业界首先能想到的提升方式。
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CMOS 纳米
- 作为专注在WiFi、蓝牙、GPS连接性射频芯片技术供应商，卓胜微电子今日宣布，公司GPSLNA芯片产品MXDLN16S在三星累计出货超过2000万颗。
“卓胜微电子的GPSLNA产品能够给三星大批量供货体现了我们产品的卓越性能。”卓胜微电子总经理许志翰表示：“作为全球智能手机市场的领先者，三星对产品的创新和品质有着不懈追求，同时它对合作伙伴也有着非常高的品质和供货能力的要求。这么大批量的稳定出货证明了我们的能力。”
卓胜微电子的GPS
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卓胜微电子 CMOS
- 2014年5月5日，作为专注在WiFi，蓝牙，GPS连接性射频芯片技术供应商，卓胜微电子宣布其GPSLNA芯片产品MXDLN16S在三星累计出货超过2000万颗。
“卓胜微电子的GPSLNA产品能够给三星大批量供货体现了我们产品的卓越性能。”卓胜微电子总经理许志翰表示：“作为全球智能手机市场的领先者，三星对产品的创新和品质有着不懈追求，同时它对合作伙伴也有着非常高的品质和供货能力的要求。这么大批量的稳定出货证明了我们的能力。”
卓胜微电子的G
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GPSLNA 卓胜 RF CMOS
- 市场研究机构CoughlinAssociates的最新报告预测，磁阻式随机存取记忆体(MRAM)──包含磁场感应(field-induced)以及自旋力矩转移(spin-torquetransition，STT)等形式──将在未来因为取代DRAM与SRAM而繁荣发展。
CoughlinAssociates的报告指出，因为具备省电与非挥发特性，MRAM/STTMRAM市场营收规模可望由2013年的1.9亿美元左右，到2019年成长至21亿美元;期间的复合年平均成长率(CAGR)估计为50%。
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MRAM CMOS
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出先进的74AUP2G双门超低功率 CMOS微型逻辑器件系列，为低压和低功耗模式设计，可延长手机、电子书阅读器及平板电脑等多种掌上消费性电子产品的电池寿命。 这款逻辑器件的漏电流少于0.9 μA，达到低静态功耗的效果。其功耗电容在3.6V供电下一般为6pF，可将动态功耗降到最低。74AUP2G系列提供从0.8V到3.6V的供电电压范围，使电路供电降到最低等级。 全新超低功率74AUP2
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Diodes 电池 CMOS
- 最近以来智能手表、体征监测等穿戴式电子设备受到业界的极大关注，但市场一直处于“雷声大，雨点小”的状态。究其原因，有以下几个因素制约了穿戴式电子设备实现突破：小型化低功耗技术还满足不了需求、“杀手级”应用服务缺失、外观工艺粗糙、用户使用习惯仍需培养。 从技术层面上看，先进封装将是穿戴式电子取得成功的关键技术之一，特别是系统级封装(SiP)以及3D封装等。据深圳市半导体行业协会秘书长蔡锦江介绍，2001年以色列Given Imaging公司推出的胶囊内镜就采用SiP技术将光学镜头、应用处理器、
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穿戴式 SiP 3D CMOS
- 支持在低光条件下捕获高灵敏度视频 东京—东芝公司(TOKYO：6502)今天宣布，该公司将在4月底开始批量生产用于监控摄像头和行车记录器的1/4英寸VGA CMOS图像传感器“TCM3211PB”。 这款新传感器采用5.6 µm大像素，提高了低光敏感度。即使在月光[1]，也可以捕获明亮的图像。 该传感器还整合了基于东芝算法的单帧HDR(高动态范围)功能[2] 。它可以减少假色[3] ，并能够真实再现高对比度图像的黑暗和明亮区域。 该产品的60
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东芝 CMOS 传感器
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 400mA、40V 降压型开关稳压器 LT3667，该器件具备双 LDO 输出，采用 3mm x 5mm QFN 或 MSOP-16E 封装。LT3667 为汽车和工业应用提供了高度紧凑的三输出解决方案。LT3667 在 4.3V&
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Linear LT3667 LDO
- 本文采用CMOS数字集成电路实现了一种数字钟电路，该电路设计包括了时序逻辑电路、组合逻辑电路、数码管显示电路和脉冲信号产生电路等内容，内容涉及面宽、综合性强，是电子技术自主性实验教学的典型案例
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数字钟 CMOS CD4518 BCD-7
- 本文简要描述了基于摄像头的主动安全系统的应用、引入它的动机及好处。此外，本文还介绍了视觉处理的未来解决方案与技术进步，可确保在功率有限的情况下实现最大性能。适用于前照灯控制、车道保持、交通标志识别及防碰撞功能的多功能前置摄像头解决方案，目前使用分辨率高达120万像素、每秒30帧的CMOS成像仪。随着新一代传感器的推出，分辨率将进一步提高。要在恶劣的天气和照明条件下可靠地检测物体，需要复杂的算法。车道保持、自动紧急刹车或交通拥堵辅助等半自动驾驶员辅助功能需要带有算法冗余的ASIL D安全级别，但所有这些
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嵌入式 CMOS FPGA MAC
- 针对SOI二极管型非制冷红外探测器，设计了一种新型读出电路(ROIC)。该电路采用栅调制积分(GMI)结构，将探测器输出电压信号转化为电流信号进行积分。设计了虚拟电流源结构，消除线上压降(IR drop)对信号造成的影响。电路采用0.35μm 2P4M CMOS工艺进行设计，5V电源电压供电。当探测器输出信号变化范围为0~5mV时，读出电路仿真结果表明：动态输出范围2V，线性度99.68%，信号输出频率5MHz，功耗116mW。
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红外 ROIC CMOS SOI GMI 201404
- 由中国辰芯光电设计、以色列Towerjazz代工、世界上最高分辨率的1.5亿像素全画幅CMOS图像传感器GMAX3005面世。除了超高的像素分辨率，这颗感光器的其他参数也是相当了得......
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CMOS 传感器
- 本文设计了一种3.3V 14位210MSPS 电流型DAC。该转换器包括高速模拟开关、带隙参考电路、电流调整电路和高速锁存器等。采用了分段电流沉结构，同时还采取了电流源调整技术，改善了芯片的线性参数。电路基于0.35μm CMOS工艺设计，芯片面积3.8mm2。测试表明，其刷新率可达210MSPS，INL为±0.8LSB，DNL为±0.5LSB，SFDR@fclk=210MSPS为72dBC@fout=5.04MHz，在3.3V电压下工作时功耗小于120mW。
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DAC CMOS
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