- 摘要：设计一种低电压低静态电流的线性差稳压器。传统结构的LDO具有独立的带隙基准电压源和误差放大器，在提出 ...
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低电压 低静态电流 LDO
- 很多低压降稳压器都带有一个使能输入脚，它可以用作一个廉价的电压监控IC。虽然使能脚通常是用于切断稳压...
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低压差线性稳压器 监控电路 LDO
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LDO+™ 系列最新成员 LT3090，该器件是一款 600mA 低压差负线性稳压器，可提供低噪声、轨至轨电压工作、精准可编程电流限制和双向输出电流监视器。该器件能补偿电缆压降，可非常容易地并联以实现更大的电流或更强的 PCB 散热，也可配置为浮置三端稳压器。
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凌力尔特 LT3090 稳压器 LDO
- 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出首批针对恶劣环境的均流低压降(LDO) 线性稳压器。3-A TPS7H1101-SP 与 0.5-A TPS7H1201-HT 的均流特性允许设计人员并行使用两个器件实现双倍输出电流。此外，上述器件还可提供优异的噪声性能，并可最大限度降低热耗散，提高电源效率，确保理想的系统可靠性。
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TI LDO
- 随着上海自贸区挂牌时间的临近，本周自贸热卷土重来：龙头股外高桥及陆家嘴连续收出两个涨停板，且涨势有向纵深方向扩散的迹象。此前，市场人士就已获悉，允许国外企业在华销售游戏机将是上海自贸区蓝图的一部分;本月23日晚间，百视通发布的与微软在上海自贸区组建合资公司的公告，更是令自贸区相关游戏机概念的炒作热潮一触即发，百视通昨日就强势涨停。
分析人士表示，百视通与微软在上海自贸区设立合资公司的举措表明，实行了十三年的游戏机禁令将在上海自贸区正式终结;在此背景下，预计与游戏机生产相关的软硬件公司，如水晶光电
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红外LED CMOS
- 为了解决电力载波通信系统中LDO供电模块常用单芯片而导致板上成本及面积增加的问题。文中将LDO集成进系...
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LDO 电源管理
- 铜柱凸点和微焊点将改变倒装芯片的市场和供应链。之所以这样说，是因为除了移动产品用处理器和内存外，其他CMOS半导体也需要在比现在更小的芯片面积上实现更多的I/O个数以及更高的带宽，并采取更好的散热措施。
目前全球倒装芯片市场规模为200亿美元，以年增长率为9%计算，到2018年将达到350米亿美元。在加工完成的倒装芯片和晶圆中，铜柱凸点式封装的年增长率将达到19%。到2014年，已形成凸点的晶圆中将有50%使用铜柱凸点，从数量上来说，铜柱凸点式封装将占到倒装芯片封装市场的2/3。
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CMOS 倒装芯片
- 低压差线性稳压器相对常用的三端稳压器具有更高的性能，PCB面积占用和功耗更低，在手机等便携产品中得到广...
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低压差线性稳压器 LDO
- 电源是一个系统的基础，一个良好的电源设计是系统稳定运行的前提。在实际项目中，用到最多的电源结构应该就是外接适配器提供一个DC输入，电压可以是5V，9V，12V等等。然后在我们的PCB设计中通过各种不同的DC-DC或者LDO芯片来转换出我们系统需要的各路电源。
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DC-DC LDO 电源 PCB 电感
- 高介电常数(High-k) 金属闸极应用于先进互补式金氧半导体(CMOS) 技术的关键挑战是什么?
高介电常数/金属闸极(HKMG) 技术的引进是用来解决标准SiO2/SiON 闸极介电质缩减所存在的问题。虽然使用高介电常数介电质能够持续缩减等效氧化物厚度(EOT)，整合这些材料需对NMOS及PMOS 元件采用不同的金属闸极。为了以最低临界电压(从而为最低功率)操作元件，NMOS元件必须使用低工作函数金属而PMOS 元件则必须使用高工作函数金属。即便有许多种金属可供挑选，但其中仅有少数具有稳定的
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ASM CMOS
- 东芝公司（Toshiba Corporation） （TOKYO:6502）已经扩充了其200mA单输出CMOS-LDO稳压器阵容。该系列产品专为移动 ...
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移动设备 CMOS-LDO
- 电压的准确测量需要尽量减小至被测试电路之仪器接线的影响。典型的数字电压表 (DVM) 采用 10M 电阻器网络以把负载效应保持在不显眼的水平，即使这会引起显著的误差，尤其是在包含高电阻的较高电压电路中。
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凌力尔特 LTC6090 CMOS 放大器 电阻器
- 台湾第3季IC封测产业产值可较第2季成长4.5%。展望第3季台湾半导体封装测试产业趋势，IEK ITIS计划预估，第3季台湾封装及测试业产值分别可达新台币757亿元和336亿元，分别较第2季微幅成长4.6%和4.3%。
IEK ITIS计划指出，展望第3季，高阶智慧型手机市场反应趋弱，封测厂蒙上一层阴影;第3季智慧型手机、平板电脑以及大型数位电视终端产品需求可能趋缓，汰旧换新动能略有转弱，整体电子业库存调整时间可能拉长。
展望今年全年IC封装测试产业表现，IEK ITIS计划指出，虽然高阶
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IC封测 CMOS
- CMOS图像传感器能够快速发展，一是基于XMOS技术的成熟，二是得益于固体图像传感器技术的研究成果。进入20世纪90年代，关于CMOS图像传感器的研究工作开始活跃起来。苏格兰爱丁堡大学和瑞典Linkoping大学的研究人员分别进行了低成本的单芯片成像系统开发，美国喷气推进实验室研究开发了高性能成像系统，其目标是满足NASA对高度小型化、低功耗成像系统的需要。他们在CMOS图像传感器研究方面取得了令人满意的结果，并推动了CMOS图像传感器的快速发展。
当前研究开发CMOS图像传感器的机构很多，其中
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CMOS 图像传感器
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