政策层面的利好，市场需求的驱动，为中国芯片创造了难得的黄金时代。如今的“中国芯”，正如处在风口上的“猪”，面临着大好的发展机遇，但要想突破国际巨头们的重围，迎风起飞，也还需越过重重关卡。
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中国芯 CMOS
2015年对CMOS图像传感器(CIS：CMOS Image Sensor)行业来说，是变动比较大的一年。Yole Developpement(以下简称Yole)的报告《2015年CMOS图像传感器行业动向(Status of the CMOS image sensor industry 2015)》显示，CIS市场今年将达到100亿美元。另外，索尼为支撑自己的技术优势和业绩出色的苹果产品战略而实施的产能投资收到成效，获得三分之一以上的市场份额，有在整个智能手机行业独领风骚之势。
而索尼的竞争对
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CMOS 图像传感器
当前固体微光器件以EBCCD及EMCCD器件为主，随着CMOS工艺及电路设计技术的发展，微光CMOS图像传感器的性能在不断提高，通过采用专项技术，微光CMOS图像传感器的性能已接近EMCCD的性能，揭开了CMOS图像传感器在微光领域应用的序幕。随着对微光CMOS图像传感器研究的进一步深入，在不远的未来，微光CMOS图像传感器的性能将达到夜视应用要求，在微光器件领域占据重要地位。
读出电路是微光CMOS图像传感器的重要组成部分，它的基本功能是将探测器微弱的电流、电压或电阻变化转换成后续信号处理电路
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CMOS 图像传感器
CMOS影像感测器(CIS)市场近年因智慧型手机大幅成长，未来则可望在汽车、医疗和安控等嵌入式应用推助下持续向上攀升，预期2014～2020年复合年均成长率将高达10.6%。看好此一商机，中小型CIS晶片商正竞相展开技术布局，期进一步扩大市场占有率。
CMOS影像感测器(CMOS Image Sensor, CIS)市场即将风云变色，众家厂商为卡位新商机，可谓八仙过海、各显神通。Yole Developpement指出，智慧型手机虽占现今CIS市场应用大宗，但汽车、医疗和安全监控等新兴应用需求已
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CMOS 图像传感器
CMOS影像感测器(CIS)市场近年因智慧型手机大幅成长，未来则可望在汽车、医疗和安控等嵌入式应用推助下持续向上攀升，预期2014～2020年复合年均成长率将高达10.6%。看好此一商机，中小型CIS晶片商正竞相展开技术布局，期进一步扩大市场占有率。
CMOS影像感测器(CMOS Image Sensor, CIS)市场即将风云变色，众家厂商为卡位新商机，可谓八仙过海、各显神通。Yole Developpement指出，智慧型手机虽占现今CIS市场应用大宗，但汽车、医疗和安全监控等新兴应用需求已
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传感器 CMOS
近日，中国内地集成电路晶圆代工企业—中芯国际集成电路制造有限公司，与全球领先的信息和通信解决方案供应商华为、微电子研究中心之一比利时微电子研究中心(imec)、国际无晶圆半导体厂商Qualcomm Incorporated的附属公司Qualcomm Global Trading Pte. Ltd.在京签约，宣布共同投资中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司，开发下一代CMOS逻辑工艺。
中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司由中芯国际控股，华为、imec、Qualcomm各占
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中芯国际 CMOS
整体半导体产业正在尝试找到一种方法，不需要从矽基板转换而利用砷化铟镓(InGaAs)的更高电子迁移率，包括英特尔(Intel)与三星(Samsung);而IBM已经展示了如何利用标准CMOS制程技术来达成以上目标。
上个月IBM展示了一种将三五族(III-V)砷化铟镓化合物放到绝缘上覆矽(SOI)晶圆的技术，现在该公司有另一个研究团队则是声称发现了更好的方法，采用标准块状矽晶圆并制造出矽上砷化铟镓证实其可行性。
IBMResearch先进功能材料部门经理、CMOS专家JeanFompeyr
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IBM CMOS
毫无疑问，索尼是2014年全球感光元件销售的大赢家，市场占有率达到了40%，而他们刚刚推出A7R II更是首款搭载背照式CMOS的全画幅相机。其图像传感器技术已大幅领先。但“大法”传感器到底有何厉害?他们是怎样发展出现在的技术?FRAMOS Technologies Inc.技术专家Darren Bessette使用一系列图文讲述了索尼六代图像传感器进化史。
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索尼 CMOS
混合信号，一种说法是未来的系统将是大型的混合信号系统，它所占的比例将会增加一倍，从目前的33%到2005年的66%;另一种说法是每一部份都是建立在超深次微米CMOS上的大型数位晶片，将来的ASICs会用到多达一千五百万个逻辑们，而类比和混合信号电路将会被留在晶片之外。
RF和混合信号设计的艺术与科学
设计和生产混合信号IC不是件易事，尤其是包含RF功能时尤为如此。之所以存在如此大规模独立的模拟和分立IC市场，是因为模拟与数字IC相结合不是一个简单、明了的过程。模拟和RF设计一直被认为是&l
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ASICs CMOS
当前VLSI技术不断向深亚微米及纳米级发展，模拟开关是模拟电路中的一个十分重要的原件，由于其较低的导通电阻，极佳的开关特性以及微小封装的特性，受到人们的广泛关注。模拟开关导通电阻的大小直接影响开关的性能，低导通电阻不仅可以降低信号损耗而且可以提高开关速度。要减小开关导通电阻，可以通过采用大宽长比的器件和提高栅源电压的方法，可是调节器件的物理尺寸不可避免地会带来一些不必要的寄生效应，比如增大器件的宽度会增加器件面积进而增加栅电容，脉冲控制信号会通过电容耦合到模拟开关的输入和输出，在每个开关周期其充放电过
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CMOS 模拟开关
美国记忆体技术开发商Nantero最近宣布进行新一轮融资，并准备“浮出水面”──因为该公司认为其独家的非挥发性随机存取记忆体(non-volatile random access memory，NRAM;或称Nano-RAM)，已经准备好取代企业应用或消费性应用市场上的储存级记忆体。
Nantero已经向新、旧投资人募得3,150万美元资金，可用以加速NRAM的研发;该公司执行长Greg Schmergel在接受EE Times 美国版编辑电话访问时表示，NRAM是以碳奈
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NRAM，CMOS
随着智能手机的兴起，对于声音品质和轻薄短小的需求越来越受到大家的重视，近年来广泛应用的噪声抑制及回声消除技术均是为了提高声音的品质。相比于传统的驻极体式麦克风(ECM)，电容式微机电麦克风采用硅半导体材料制作，这便于集成模拟放大电路及ADC(∑-ΔADC)电路，实现模拟或数字微机电麦克风元件，以及制造微型化元件，非常适合应用于轻薄短小的便携式装置。本文将针对CMOS微机电麦克风的设计与制造进行介绍，并比较纯MEMS与CMOS工艺微导入麦克风的差异。
电容式微麦克风原理
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CMOS
当前VLSI技术不断向深亚微米及纳米级发展，模拟开关是模拟电路中的一个十分重要的原件，由于其较低的导通电阻，极佳的开关特性以及微小封装的特性，受到人们的广泛关注。模拟开关导通电阻的大小直接影响开关的性能，低导通电阻不仅可以降低信号损耗而且可以提高开关速度。要减小开关导通电阻，可以通过采用大宽长比的器件和提高栅源电压的方法，可是调节器件的物理尺寸不可避免地会带来一些不必要的寄生效应，比如增大器件的宽度会增加器件面积进而增加栅电容，脉冲控制信号会通过电容耦合到模拟开关的输入和输出，在每个开关周期其充放电过
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CMOS 模拟开关
高速ADC的性能特性对整个信号处理链路的设计影响巨大。系统设计师在考虑ADC对基带影响的同时，还必须考虑对射频(RF)和数字电路系统的影响。由于ADC位于模拟和数字区域之间，评价和选择的责任常常落在系统设计师身上，而系统设计师并不都是ADC专家。
还有一些重要因素用户在最初选择高性能ADC时常常忽视。他们可能要等到最初设计样机将要完成时才能知道所有系统级结果，而此时已不太可能再选择另外的ADC。
影响很多无线通信系统的重要因素之一就是低输入信号电平时的失真度。大多数无线传输到达ADC的信号
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ADC CMOS
近日，在北京市科委先导与优势材料创新发展专项支持下，北京大学彭练矛教授团队在世界上首次研制出10纳米碳纳米管互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。与同尺寸硅基器件相比，该器件速度是其5倍，而功耗仅为1/5。该团队还在世界上首次成功制备出含有100个晶体管的碳纳米管集成电路。
下一步，该团队将继续优化碳纳米管CMOS器件制备工艺，建立标准的碳基CMOS器件技术加工平台，并基于该平台开发碳纳米管CPU，最终推动碳基集成电路在下一代通用芯片和消费电子等领域的应用。
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碳纳米管 CMOS
cmos digital image sensor介绍
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