- 异质异构Chiplet正成为后摩尔时代AI海量数据处理的重要技术路线之一，正引起整个半导体行业的广泛关注，但这种方法要真正实现商业化，仍有赖于通用标准协议、3D建模技术和方法等。然而，以拓展摩尔定律为标注的模拟类比芯片技术，在非尺寸依赖追求应用多样性、多功能特点的现实需求，正在推动不同半导体材料的异质集成研究。为此，复旦大学微电子学院张卫教授、江南大学集成电路学院黄伟教授合作开展了Si CMOS+GaN单片异质集成的创新研究，并在近期国内重要会议上进行报道。复旦大学微电子学院研究生杜文张、何汉钊、范文琪等
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复旦大学 Si CMOS GaN 单片异质集成
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而，与Si MOSFET相
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ROHM AC适配器 GaN HEMT Si MOSFET
- 氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，其禁带宽度达到 3.4eV，是最具代表性的第三代半导体材料。除了更宽的禁带宽度，氮化镓还具备更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率，以及更优的抗辐照能力，这些特性对于电力电子、射频和光电子应用有独特优势。GaN 产业上游主要包括衬底与外延片的制备，下游是 GaN 芯片元器件的设计和制造。衬底的选择对于器件性能至关重要，衬底也占据了大部分成本，因而衬底制备是降低 GaN 器件成本的突破口。衬底GaN 单晶衬底以 2-4 英寸为主，4 英寸已实现商用，6 英寸
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GaN-on-Si 氮化镓
- 大多数工业接近传感器（包括电感式、电容式、超声波和光电式）都是固态的。所谓“固态”是指传感器内使用的部件类型——晶体管等固态电子元件被用来在检测到物体时切换传感器的输出。问：PNP和NPN传感器的3线接线大多数工业接近传感器（包括电感式、电容式、超声波和光电式）都是固态的。所谓“固态”是指传感器内使用的部件类型——晶体管等固态电子元件被用来在检测到物体时切换传感器的输出。有两种特定类型的三线传感器可用可供使用，即PNP型和NPN型，它们之间的差异来自于内部电路设计及其所采用的晶体管类型。在选型时，需要考量
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Digi-Key 传感器 PNP NPN
- 根据T2三极管Vbe钳位，知道了T1发射极电压，得出Ie的电流，Ic等于Ie，Ic有了，集电极电压有了，可以算出Vce是合理的，即假设成立，T1工作在发放大区。两个NPN三极管组成的恒流电路是如何工作的？今天简单分析下，并且仿真看一下带载能力如何。2个NPN组成恒流T1和T2为两个NPN三极管。R1=1K，用来模拟负载，AM1为电流表，R4=100R，为恒流设置电阻。首先要判断两个三极管工作在何种状态？假设T1工作在放大区，那么就满足等式Ic=βIb，Ie=Ic+Ib，一般β是几十到几百，忽略Ib，Ie约
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NPN 三极管
- 7月初，3GPP正式发布了5G R16 标准，通常也被理解为5G的第二阶段，这是5G发展历程中最令人激动的里程碑之一。R16标准使5G技术中一些最具创新性和变革性的性能得以实现。在实施这些新性能的漫长旅程中，我们才刚刚开始，它们也将极大地释放新一代无线技术的潜力。再怎么强调R16标准的重要性都不过分。R15标准主要聚焦于增强移动宽带，而R16标准则带来了一系列新的功能，远远超出了简单的性能提升，还支持新的商业模式、应用以及垂直市场。特别值得一提的是，从制造到医疗行业的企业和工业组织将得以使用各种功能，将自
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URLLC NPN TSN
- 目标本活动的目的是研究BJT的共发射极配置。 背景知识共发射极放大器是三种基本单级放大器拓扑之一。BJT共发射极放大器一般用作反相电压放大器。晶体管的基极端为输入，集电极端为输出，而发射极为输入和输出共用（可连接至参考地端或电源轨），所谓“共射”即由此而来。 材料■ ADALM2000主动学习模块■ 无焊面包板► 五个电阻► 一个50 kΩ可变电阻、电位计► 一个小信
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VBE IC NPN
- 专注于引入新品推动行业创新的电子元器件分销商贸泽电子 ( Mouser Electronics ) 近日宣布与 Fortebit 签署全球分销协议。该公司设计并制造高质量、高性价比的解决方案，用于嵌入式语音识别、语音播放功能和位置服务。签署此项协议后，贸泽分销的 Fortebit产品线 包含EasyVR 3 Plus语音识别器件和Polaris汽车物联网平台等产品。 EasyVR 3 Plus 是一款多
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SD SV SI
- 简单的NPN二极管连接目标：本次实验的目的是研究将双极性结型晶体管(BJT)连接为二极管时的正向/反向电流与电压特性。材料：► ADALM2000 主动学习模块► 无焊面包板► 一个1 kΩ电阻（或其他类似值）► 一个小信号NPN晶体管(2N3904)说明：NPN晶体管的发射极-基极结的电流与电压特性可以使用ADALM2000实验室硬件和以下连接来测量。使用面包板，将波形发生器W1连接到电阻R1的一端。将示波器
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BJT NPN
- 知IN，英特尔的自媒体微信账号。分享英特尔新闻、产品技术和内幕故事；交流行业热点话题；体味科技与人文的温度
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SI IA
- 本文就三极管的工作原理进行了简单介绍。1、晶体三极管简介。晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合，两个pn结之间的相互影响，使pn结的功能发生了质
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三极管 工作原理 NPN PNP
- 随着显示产业的不断发展，人们对于显示成像技术的要求不断提高，这也促使着技术的不断发展，TFT-LCD这种低成本、高解析度、高亮度、宽视角以及低功耗
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a-Si GZO LTPS
- DIGITIMESResearch观察触控与显示驱动整合(TouchandDisplayDriverIntegration;TDDI)芯片市场发展，由于增加HybridIn-Cell型态产品，以及面板业者导入TDDI动机提升等因素带动，2017年全球TDDI出货量将较2016年成长191%，其中，台系业者市占率将达近4成，从过去由新思(Synaptics)一家独大局面中突围。
TDDI芯片又称IDC(IntegratedDisplayandController)，2017年上半受大中华区智能型手
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a-Si TDDI
- 34063+NPN(NMOS)实现扩流的车充方案电路原理图优点：在[1]方案的基础上扩流来满足不断增长的充电电流能力的需求；缺点：同样存在[1]方案中类似的不足...
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NPN(NMOS) 车充方案 电路原理
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