cc1100-2500 文章 最新资讯
三星3纳米开始量产Exynos 2500
- 韩国媒体 Thebell 报道，三星开始量产新旗舰移动处理器Exynos 2500，晶圆测试最早3月开始，可能首发三星2025下半年入门级折叠手机Galaxy Z Flip FE。 但3纳米GAA良率低问题仍在，目前无法扩大规模，初期产能只有每月5,000片。三星曾预定2024下半年量产Exynos 2500并搭载Galaxy S25旗舰手机。 但Exynos 2500采第二代3nm GAA良率低，传闻只有20%，导致Exynos 2500量产延后，Galaxy S25系列被迫全部采高通Sna
- 关键字： 三星 3纳米 Exynos 2500
三星 Exynos 2500 芯片被曝使用硅电容
- 7 月 17 日消息，韩媒 bloter 于 7 月 15 日发布博文，爆料称三星计划在 Exynos 2500 芯片中使用硅电容。注：硅电容（Silicon Capacitor）通常采用 3 层结构（金属 / 绝缘体 / 金属，MIM），超薄且性状靠近半导体，能更好地保持稳定电压以应对电流变化。硅电容具有许多优点，让其成为集成电路中常用的元件之一：· 首先，硅电容的制造成本较低，可以通过批量制造的方式大规模生产。· 其次，硅电容具有较高的可靠性和长寿命。由于其结构简单，易于加工和集成，硅电容的失效率较低
- 关键字： 三星 Exynos 2500 芯片 硅电容
三星3nm取得突破性进展！Exynos 2500样品已达3.20GHz
- 7月14日消息，据媒体报道，三星3nm工艺的Exynos 2500芯片研发取得显著进展。Exynos 2500的工程样品已经实现了3.20GHz的高频运行，这一频率不仅超越了此前的预期，而且比苹果A15 Bionic更省电，效率表现更为出色。此前，有关三星3nm GAA工艺良率过低的担忧一度影响了市场对Exynos 2500的信心，特别是在Galaxy S25系列手机的稳定首发方面。不过三星在月初的声明中，对外界关于3nm工艺良率不足20%的传闻进行了否认，强调其3nm GAA工艺的良率和性能已经稳定，产
- 关键字： 三星 3nm Exynos 2500 3.20GHz
曝三星3nm良率仅20%！但仍不放弃Exynos 2500
- 6月23日消息，据媒体报道，Exynos 2500的良品率目前仅为20%，远低于量产标准，但三星仍在积极寻求解决方案，以期在今年10月前将良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工艺的智能手机SoC，该工艺相较于前代4nm FinFET工艺，在能效和密度上预计有20%至30%的提升。然而，低良品率的问题可能导致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平台，这将增加成本并可能影响产品定价。三星对Exynos 2500寄予厚望，该芯片在性能测试中显示出超越高通第三代骁龙8的潜力
- 关键字： 三星 3nm 良率 Exynos 2500
消息称三星 3nm GAA 工艺试产失败，Exynos 2500 芯片被打上问号
- 2 月 2 日消息，根据韩媒 DealSite+ 报道，三星的 3nm GAA 生产工艺存在问题，尝试生产适用于 Galaxy S25 / S25+ 手机的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。报道指出由于 3nm 工艺的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通过质量测试，导致后续 Galaxy Watch 7 的芯片组也无法量产。此前报道，Exynos 2500 将沿用上一代的 10 核 CPU 架构，同时引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
- 关键字： 三星 3nm GAA Exynos 2500 芯片
基于CC1100和MSP430的无线UART实验设计
- 摘要：为了实现低功耗的无线串行通信，设计了一种对UART进行无线传感器网络的应用实验。通过学习使用C语言在IAR ...
- 关键字： CC1100 MSP430F2132 串行通信 无线传感器
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