- 韩国媒体 Thebell 报道,三星开始量产新旗舰移动处理器Exynos
2500,晶圆测试最早3月开始,可能首发三星2025下半年入门级折叠手机Galaxy Z Flip FE。
但3纳米GAA良率低问题仍在,目前无法扩大规模,初期产能只有每月5,000片。三星曾预定2024下半年量产Exynos 2500并搭载Galaxy S25旗舰手机。 但Exynos 2500采第二代3nm
GAA良率低,传闻只有20%,导致Exynos 2500量产延后,Galaxy S25系列被迫全部采高通Sna
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三星 3纳米 Exynos 2500
- 7 月 17 日消息,韩媒 bloter 于 7 月 15 日发布博文,爆料称三星计划在 Exynos 2500 芯片中使用硅电容。注:硅电容(Silicon Capacitor)通常采用 3 层结构(金属 / 绝缘体 / 金属,MIM),超薄且性状靠近半导体,能更好地保持稳定电压以应对电流变化。硅电容具有许多优点,让其成为集成电路中常用的元件之一:· 首先,硅电容的制造成本较低,可以通过批量制造的方式大规模生产。· 其次,硅电容具有较高的可靠性和长寿命。由于其结构简单,易于加工和集成,硅电容的失效率较低
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三星 Exynos 2500 芯片 硅电容
- 7月14日消息,据媒体报道,三星3nm工艺的Exynos 2500芯片研发取得显著进展。Exynos 2500的工程样品已经实现了3.20GHz的高频运行,这一频率不仅超越了此前的预期,而且比苹果A15 Bionic更省电,效率表现更为出色。此前,有关三星3nm GAA工艺良率过低的担忧一度影响了市场对Exynos 2500的信心,特别是在Galaxy S25系列手机的稳定首发方面。不过三星在月初的声明中,对外界关于3nm工艺良率不足20%的传闻进行了否认,强调其3nm GAA工艺的良率和性能已经稳定,产
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三星 3nm Exynos 2500 3.20GHz
- 6月23日消息,据媒体报道,Exynos 2500的良品率目前仅为20%,远低于量产标准,但三星仍在积极寻求解决方案,以期在今年10月前将良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工艺的智能手机SoC,该工艺相较于前代4nm FinFET工艺,在能效和密度上预计有20%至30%的提升。然而,低良品率的问题可能导致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平台,这将增加成本并可能影响产品定价。三星对Exynos 2500寄予厚望,该芯片在性能测试中显示出超越高通第三代骁龙8的潜力
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三星 3nm 良率 Exynos 2500
- 2 月 2 日消息,根据韩媒 DealSite+ 报道,三星的 3nm GAA 生产工艺存在问题,尝试生产适用于 Galaxy S25 / S25+ 手机的 Exynos 2500 芯片,均存在缺陷,良品率 0%。报道指出由于 3nm 工艺的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通过质量测试,导致后续 Galaxy Watch 7 的芯片组也无法量产。此前报道,Exynos 2500 将沿用上一代的 10 核 CPU 架构,同时引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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三星 3nm GAA Exynos 2500 芯片
- 摘要:设计基于MSP430单片机和CC2500无线收发器的USB无线数据采集系统,通过USB调试端口在IDE或CCE开发环境下编写、下载和调试应用程序,其目标板可作为一个独立的具有或没有外部传感器的系统。介绍基于MSP430和CC25
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2500 MSP 430 USB
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