GlobalFoundries宣布推出7纳米(7LP)FinFET制程技术，主要应用在高阶手机处理器、云端服务器网路基础设备等领域，目前设计软件已经就绪，预计7LP技术的首批产品将于2018年上半问世，2018年下半正式进行量产。
GlobalFoundries在2016年宣布要展开自研7纳米FinFET制程之路，且为了加快7LP的量产进度，GlobalFoundries也计划投入极紫外光(EUV)技术，7LP技术在量产初期仍是会采用传统的光刻方式，未来会逐步使用EUV技术。
Glob
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GlobalFoundries 7纳米
台积电7纳米研发还在如火如荼进行中，不过消息传出，台积电已准备运用7纳米技术，为联发科试产12核心处理器。
联发科目前最高端处理器HelioX30采10核心架构，但战力似乎不太够，联发科共同营运长朱尚祖(JeffreyJu)日前曾坦承接单状况不理想，预期会采用新处理器的手机不到十支。
另外，台积电10纳米传良率不佳，导致联发科出货延后，这显然影响到联发科信心，并加速进阶至7纳米的脚步。由于台积电7纳米预估将在2018年初进入量产，这意味着联发科12核心处理器可能在明年上半年问世。
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台积电 7纳米
为响应川普(Donald Trump)新政，英特尔(Intel)宣布将投入70亿美元重启位于亚历桑纳州的Fab 42晶圆厂。分析师认为，英特尔启用Fab 42的主要目的或许不在于扩大产能，而是要引进7纳米制程所需的极紫外光(EUV)设备。
根据EE Times报导，Fab 42启用后，会将目标瞄准7纳米制程，并可望在3~4年内创造3,000个高科技、高薪资的工作机会。尽管英特尔尚未透露将于哪个时间点开始采用EUV微影技术，IC Insights分析师认为，EUV微影将是英特尔7纳米成功的关键，因
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英特尔 7纳米
英特尔(Intel)此前在遵循摩尔定律(Moore’s Law)的进程上稍稍落后，但英特尔仍不打算放弃追寻摩尔定律的发展脚步。2日财报电话会议上，英特尔宣布正投建一座7纳米制程试验厂房，将借此厂房测试及探索7纳米制程技术量产的可能。这也可望打破部分专家认为摩尔定律已告终结的说法，并让英特尔加入7纳米制程竞赛行列。
根据Computerworld报导，英特尔尚未对外透露何时将开始以7纳米制程技术量产芯片，不过应不会在未来2~3年发生，因目前英特尔10纳米芯片仍未正式面市。该试验厂房产能
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来自台湾地区供应链厂商的消息称，今年第二季度，台积电首款采用7纳米FinFET制程的芯片原型产品将正式下线。
该消息称，台积电的7纳米芯片制造工艺将于2018年初大规模量产，从而赶上苹果公司(以下简称“苹果”)秋季的iPhone升级。
除了苹果，将来高通、赛灵思(Xilinx)和英伟达也将成为台积电的大客户。另外还有消息称，目前已确定有15家客户将使用台积电的7纳米技术，而台积电希望能达到20家。
当前，iPhone7使用的A10芯片基于台积电的16纳米Fin
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比利时微电子(IMEC)在2016国际电子元件会议(IEEE International Electron Devices Meeting ; IEDM)中首度提出由硅纳米线垂直堆叠的环绕式闸极(GAA)金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFETs)的CMOS集成电路，其关键技术在于双功率金属闸极，使得n型和p型装置的临界电压得以相等，且针对7纳米以下技术候选人，IMEC看好环绕式闸极纳米线电晶体(GAA NWFET)会雀屏中选。
比利时微电子研究中心与全球许多半导体大厂、系统大厂均为先进制程和创
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7纳米 IMEC
GlobalFoundries收购IBM资产后，双方技术、晶圆厂、人力进行大规模的整合。已经在半导体产业有超过30年资历，之前服务IBM约8年时间的GaryPatton，在2015年7月加入GlobalFoundries担任技术长一职后，一肩扛起7纳米制程的研发重任，整合IBM资产后的GlobalFoundries发展的方向更明确，先进的FinFET制程与低成本的FD-SOI制程并进，本报记者特地专访Patton讲述未来GlobalFoundries发展的蓝图规划。
记者：GlobalFound
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GlobalFoundries 7纳米
GlobalFoundries收购IBM资产后，双方技术、晶圆厂、人力进行大规模的整合。已经在半导体产业有超过30年资历，之前服务IBM约8年时间的Gary Patton，在2015年7月加入GlobalFoundries担任技术长一职后，一肩扛起7纳米制程的研发重任，整合IBM资产后的GlobalFoundries发展的方向更明确，先进的FinFET制程与低成本的FD-SOI制程并进，本报记者特地专访Patton讲述未来GlobalFoundries发展的蓝图规划。
记者：GlobalFoun
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在智能手机行业蓬勃发展的今日，手机为我们的生活乃至工作协助了太多，不可否认手机制造业从每五年的大跨步到现如今每年都有黑科技产出，并且在厂商的相互竞争下还在高速向前，飞速进步之中。这其中让手机性能提升最为显著的因素就要数处理器了，回首以往，处理器方面的进步确实历历在目。
对于广大国产手机来说，常用的处理器无非高通骁龙、联发科以及麒麟这三大阵营。以高通骁龙为例，回顾以往产品可以看到从最初的骁龙430，逐渐进步到骁龙625，后来提升到骁龙652以及650，最后来到了现在的骁
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10纳米 7纳米
全球 IP 矽智财授权厂商 ARM 于 12 日宣布，将参与 IMEC (欧洲微电子研究中心)代号为 INSITE 的计划，借此以强化双方的合作。据了解，INSITE 计划乃是致力于优化集成电路设计、系统层面架构的功耗表现，并且产品提高性能与降低成本。
ARM 表示，本次合作的重点是 7 纳米制程及其以上的半导体芯片为主。未来，两者进一步合作后，预计将可透过学习新技术与设计目标，加速半导体芯片的性能提升，使其在 INSITE 计划下的战略性产品能够尽早进入市场。
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ARM 7纳米
14日即将举行法说会的晶圆代工龙头台积电，为了确保2017年能在7纳米制程的争夺战中胜出，并且达成登上全球半导体龙头的宝座，预料将在法说会中宣布，未来将大幅度增加研发的资本支出，并且大幅度招聘人才，扩大研发团队的规模与数量。
根据媒体报导，6月份缴出营收达到史上第3高数字的台积电，预计在14日的法说会中，由董事长张忠谋说明研发支出的相关金额，以及先进制程的相关计划之外，目前也将针对研发团队加紧招聘人马。尤其，是针对即将毕业的社会新鲜人，将也运用各种招聘活动寻找适合的人选加入台积电。据了解，台积电
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台积电 7纳米
在全球晶圆代工厂积极抢攻 7 纳米先进制程，都想在 7 纳米制程领域抢下龙头宝座的情况之下，三大阵营台积电 (TSMC) 、三星、以及由 IBM 提供协助的格罗方德 (GlobalFoundries) 谁最后终将出线，结果将牵动全球半导体市场的生态。
根据外媒表示： 2016 年晶圆代工的主流制程是 14 及 16 纳米的 FinFET 制程，其主要业者包含了英特尔 (Intel) 、台积电及三星 / 格罗方德三大阵营，而且战场延伸到下一代 10 纳米先进制程，同样的此三大阵营都宣布将在 201
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7纳米 晶圆
三星电子(Samsung Electronics)决定引进极紫外光微影制程(EUV)设备，加速发展晶圆代工事业，意图加速超越台积电等竞争者。不仅如此，最近三星电子还开放为韩系中小型IC设计业者代工200mm(8吋)晶圆，积极扩展晶圆代工客户。
据韩媒ET News报导，三星集团(Samsung Group)从2016年初对三星电子系统LSI事业部进行经营诊断，原本计划3月底结束诊断作业，因故延长至4月，最终评估后决定引进EUV设备，目标2017年量产7纳米制程。
经营诊断过程中有部分意见认
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三星 7纳米
北京时间4月19日消息，据台湾《电子时报》报道，台积电董事长张忠谋今天在一封致股东报告书中称，公司计划在明年上半年试产7纳米工艺。
台积电联席CEO刘德音在4月14日举行的投资者大会上表示，超过20家客户已开始洽谈7纳米工艺代工事宜，预计2017年有15家客户完成产品设计定案(tape out)。刘德音称，台积电计划在2018年上半年实现7纳米工艺的量产。
据刘德音介绍，7纳米技术使用的设备95%与10纳米相同，台积电的7纳米技术开发进展顺利。“7纳米工艺是10纳米工艺的进一步
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芯片制造商台积电(TSMC)17日表示，正与ARM合作开发7纳米FinFET(鳍式场效晶体管)芯片制造工艺，最快将在2018用于生产苹果iPhone 8上的A12芯片组。
根据台积电公布的时间表，7纳米FinFET工艺芯片将在明年投产，而大规模生产则需要一段时间，最早可能将于2018年正式量产，按照惯例，苹果iPhone 8将会在2018年亮相，其搭载的A12处理器或将采用台积电7纳米工艺制造。
更先进的制程工艺意味着在更小的芯片上集成更多的晶体管，这将可以降低功耗。而FinFET技术通过
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