- 在10月27日下午召开的浦江创新论坛上，邱慈云透露，截至今年第三季度，中芯国际已经实现连续14个季度盈利，更重要的是，在把握先进制程的进展上，目前中芯国际不仅在28纳米制程上实现量产，在16/14纳米上已经进入规划，并争取 在16/14纳米向10纳米制程的演进上，赶超国际第一梯队。
邱慈云表示，中芯国际作为一家半导体 制造纯代工企业，以技术服务为主，以投资密集、技术密集为特点，像这样的企业，很少能够像互联网企业一样得到各界人士的追捧，但是半导体制造企业是现代信 息工业的农夫，是让所有的科技创新变
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- 本月早些时候，AMD公布了今年第二季度财报，除了一系列营收数据之外，AMD还透露已经放弃20nm工艺，下一代处理器以及GPU将全面进入1xnm FinFET阵营。现在，AMD的工艺更迭有了新的进展。
在19日的财务会议上，AMD CEO苏姿丰透露首批两款基于FinFET新工艺的芯片已经完成了流片，尽管没有透露具体是哪两款产品，业界推测，这两款芯片很有可能就是Zen架构的CPU和代号“Arctic Islands(北极岛)”。
另外，我们还
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- 分析师的一个角色就像算命的一样，给你各种有关未来的可能猜想。至于事实，你得等时间验证。就像英特尔10纳米技术细节，你得看市场的天气求证。
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- 晶圆代工大厂台积电(TSMC)近日宣布将推出精简型、低功耗版本的16纳米FinFET制程，并公布其更先进纳米制程技术蓝图;台积电预定自今年中开始量产最新的16纳米FinFET Plus (16FF+)制程，并在2016年展开10纳米制程生产。
在20纳米芯片正式量产之后，台积电宣布于2015年中开始量产16FF+ 制程，该公司并表示采用此新制程的芯片性能可提升10%，功耗能比20纳米芯片低50%，周期时间(cycle time)则是20纳米芯片的两倍。台积电共同执行长刘德音(Mark Liu)并
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- 虽然是半导体制造领域的老大，台积电也有着自己的心事。在半导体制造方面，如何拉开与英特尔、三星等劲敌的差距？这也是心事之一。显然，10nm生产线就是一个拉开差距的机会，也可谓是最关键的一役。
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- 苹果和英特尔，两家又有好口碑、全球市场、先进技术，如果再进行密切合作，就可以将苹果的设计优势和英特尔的生产优势发挥到淋漓尽致，这是IC Insights的分析。但是这两位高傲的人，能够低调共事是个问题。
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- 台积电宣布主导研发的执行副总暨共同营运长蒋尚义将于10月31日退休。业界人士分析，接班人之一的蒋尚义退休后，执行副总暨共同营运长还有刘德音与魏哲家，将是最可能接班的人选。
蒋尚义原就是台积电研发大将，2006年首次退休前，协助台积电将制程技术推进到65纳米;目前则已进入研发10纳米制程的新世代。
从蒋尚义2009年重回台积电带领研发迄今，台积电单季毛利率一度突破50%，今年第二季也维持在49%的高水平，整体研发经费更是连续五季超过100亿元，让台积电在先进制程的优势愈来愈明显。
蒋尚
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- 设备大厂应用材料宣布推出新世代的缺陷检测及分类技术，加速达成10纳米及以下的顶尖芯片生产良率。SEMVision G6系统独特的多维影像分析功能为半导体制造提供最高分辨率及影像质量，先进的系统设计与全自主式功能，能提高100%更快速的产出。
包括台积电、英特尔等半导体大厂，已经展开10纳米的研发作业，设备大厂应用材料在其SEMVision系列设备上，推出一套最新缺陷检测及分类技术，该设备的缺陷分析系统结合前所未有高分辨率、多维影像分析功能，及革命性创新的Purity自动化缺陷分类(ADC)系统高
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- 半导体巨擘英特尔发布最新的先进制程技术蓝图，其中众所关注的10纳米预计2015年量产，比原先规划时间提早一年，并进一步拉大领先台积电(2330)的时间。
台积电的10纳米预计2017年量产，较英特尔晚两年。半导体业界人士表示，虽然英特尔技术不断超前，是因应处理器速度的需求，但英特尔已在晶圆代工正式卡位，一旦10纳米在2015年量产，对台积电仍有潜在的竞争压力。
台积电日前一度因为美国宽松货币政策传出退场，跌破108元月线区，昨天股价收盘小涨1.5元，收在109.5元，股价获得支撑。
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- 晶圆代工厂格罗方德(Globalfoundries)技术长苏比(SubiKengeri)日前来台，喊出两年内将拿下晶圆代工技术龙头，继14纳米XM明年量产，10纳米2015年推出，此进度比台积电领先两年，也比英特尔2016年投入研发还领先一年。
格罗方德2009年由美商超微独立而出，2010年并购前特许半导体，苏比表示，2009年刚独立时，公司仅是全球第四大晶圆代工厂，但凭着超微在处理器技术的设计能力，加上先前新加坡特许半导体在晶圆代工服务客户经验，ICInsights统计，2012年公司跃进晶
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- 台积电共同营运长蒋尚义昨(22)日表示，台积电由20纳米跨入16纳米制程微缩时间确定缩短1年，即2015年将提前量产3D晶体管架构的16纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程。为了满足客户需求，台积电已决定加快研发脚步，“希望10纳米世代就能全面赶上英特尔”，时间点就落在2017年。
台积电董事长张忠谋在日前法说会中宣布，今年资本支出拉高至95~100亿美元，且16纳米FinFET制程要提前一年量产。主掌台积电技术研发的蒋尚义昨天则说明，加快16纳米量产，是因为客户对此有
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- 英特尔以色列子公司2012年出口额翻番至46亿美元，该公司正寻求将英特尔下一代芯片的生产放在以色列。
英特尔以色列子公司2011年的出口额为22亿美元，而2012年同比增长率达到109%。这主要是由于以色列南部水牛城(Kiryat Gat)工厂的22纳米工艺生产线开始投产，目前维持着100%的产能。
英特尔是全球排名第一的芯片厂商，该公司将于未来2至3年内在爱尔兰和美国的工厂引入14纳米技术，并开始考虑发展10纳米技术。英特尔以色列公司高管表示，希望将10纳米技术引入以色列工厂。
英
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- 据国外媒体报道，英特尔、东芝和三星电子将联手开发新技术，在2016年前将芯片制造工艺提升到10纳米级别。
据《日经新闻》报道，全球排名前两位的NAND闪存制造商三星电子和东芝将与最大的芯片厂商英特尔结成合作伙伴，并邀请大约10家半导体材料及其他领域的企业加入这一联合体。
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- 4月15日早间消息，据台湾媒体报道，台湾晶圆代工龙头台积电昨(14)日在美国举行年度技术论坛，董事长张忠谋表示，今明两年全球半导体市场均将健康成长，2011至2014年呈温和成长，年复合成长率达4.2%。
张忠谋还称，半导体产业需要更多合作，且早在芯片设计开始之前就要合作，才能有效降低成本，台积电在20纳米、14纳米、10纳米等先进制程研发中不会缺席。
由于半导体市场景气明显复苏，台积电年度技术论坛吸引将近1800名客户或合作伙伴代表参加，而张忠谋在演说时则针对未来5年半导体市场景气、台积
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- 三星表示,PCM(相变内存)所具有的体积小及节电优势可能让这种内存替代现有的移动存储形式.
多年来,半导体厂商一直在致力研究PCM内存,不过,它一直处于试验阶段.PCM内存当中包含有类似玻璃的材料,当其中的原子重新排列,它的状态就会发生改变,晶体的变化对应计算上的0,1状态,从而可以用于数据存储.
一直以来,包括英特尔和英飞凌在内的很多公司都在从PCM的研发,他们试图将这种存储器的体积减小,增存储加速度与容量.支持PCM的人士认为,PCM最终可能取代NAND和NOR闪存.
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