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0.18微米 文章 进入0.18微米技术社区

启方半导体发布用于低功耗电源管理芯片的0.18微米非外延BCD工艺

  • 韩国唯一一家纯晶圆代工公司启方半导体(Key Foundry)今天宣布,将发布用于低功耗PMIC的0.18微米30V非外延BCD工艺。BCD是一种将双极晶体管(Bipolar)、互补金属氧化物半导体(CMOS)和用于高压处理的双扩散金属氧化物半导体(DMOS)集成在同一个芯片上的工艺技术。它被广泛应用于功率半导体的制造,与普通半导体相比,功率半导体需要更高的额定电压和更高的可靠性,随着功率半导体应用的扩大,对BCD的需求也在不断增加。与启方半导体现有带EPI外延层的BCD工艺相比,这个新的0.18微米30
  • 关键字: 启方半导体  低功耗  电源管理芯片  0.18微米  BCD工艺  

启方半导体功率半导体用0.18微米高压BCD工艺开始量产

  • 韩国唯一一家纯晶圆代工厂启方半导体(Key Foundry)今天宣布其0.18微米高压BCD(双极-CMOS-DMOS)工艺已经开始量产。  BCD是一种单片集成工艺技术,它将用于模拟信号控制的双极器件、用于数字信号控制的CMOS和用于高压处理的DMOS同时制作在同一个芯片上。这种工艺适用于各种功率半导体产品,具有高电压、高可靠性、低电子干扰等优点。近年来,随着电子设备系统尺寸的缩小和功率效率的提高变得越来越重要,对合适的功率半导体的需求也越来越大,因此对BCD的需求也在增加。启方半导体为工作电
  • 关键字: 启方半导体  功率半导体  0.18微米  高压BCD  

宏力发布最新低成本高效率0.18微米OTP制程

  •   上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体),专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一,发布其最新开发的0.18微米OTP (一次编程) 制程平台。   该低成本高效率OTP技术平台基于宏力半导体自身的0.18微米逻辑制程,结合了第三方OTP。采用3.3V作为核心器件,从而省去了0.18微米标准逻辑制程中的1.8V器件,因此可以节省至少5层光罩。由于该OTP是建立在相同的逻辑制程基础上,所以不需要额外的制程步骤。   相对于嵌入式闪存,0.18微米OTP的逻辑制程更为简单,能够提高成品良率。而与m
  • 关键字: 宏力  OTP  半导体制造  0.18微米  
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0.18微米介绍

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