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量子阱 文章 最新资讯

提高GaAs衬底上InAs量子阱的迁移率

  • 德国的研究人员报告说,在分子束外延 (MBE) 期间使用的表面平滑技术提高了砷化铟 (InAs) 量子阱 (QW) 在砷化镓 (GaAs) 衬底上的迁移率,特别是在低于 120K 的低温下 [A. Aleksandrova et al, Appl. Phys. Lett., v126, p232109, 2025]。来自柏林洪堡大学、Institut Kurz GmbH 和 Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik 的团队评论道:“随着表面平滑的引
  • 关键字: GaAs  InAs  量子阱  迁移率  
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量子阱介绍

  量子阱是指由2种不同的半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。量子肼的最基本特征是,由于量子阱宽度(只有当阱宽尺度足够小时才能形成量子阱)的限制,导致载流子波函数在一维方向上的局域化。在由2种不同半导体材料薄层交替生长形成的多层结构中,如果势垒层足够厚,以致相邻势阱之间载流子波函数之间耦合很小,则多层结构将形成许多分离的量子阱,称为多量子阱。如果势垒层很薄,相邻阱之间 [ 查看详细 ]

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