失效器件送到原厂做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的深层原因与整机的应用环境和系统设计是密切相关的。作为电力电子研发工程师，最不想见到的画面之一一定有下面这样的图片，完了，BBQ了……图1.IGBT单管和模块的典型失效图片失效器件送到原厂做FA分析，看到的字眼通常包含over voltage，over current，short circuit，EOS等，但是，其失效的深层原因与整机的应用环境和系统设计是密切
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英飞凌
当前，服务器、通信和网络存储应用都在尽最大努力降低功耗和缩减解决方案的尺寸。与此同时，瞬息万变的市场也要求系统解决方案提供商比以往更快地满足市场需求。有鉴于此，英飞凌科技股份公司（FSE代码: IFX / OTCQX代码: IFNNY）推出了高效、可靠的DC-DC降压转换器模块，进一步壮大其POL（负载电源）模块的产品阵容。这些模块对于希望借助紧凑、完全集成和易于设计的POL产品来帮助他们加快新产品上市的系统设计师而言，是理想的选择。它们主要面向空间和散热条件受限的应用，例如电信和数据通信应用、服务器以及
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英飞凌 DC-DC 降压 电源模块
受访人：英飞凌科技1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？ 相似之处：相较于传统的硅材料，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，具有更大的禁带宽度、更高的临界场强，使得基于这两种材料制作的功率半导体具有耐高压、低导通电阻、寄生参数小等优异特性。 不同之处及分别适用于哪些应用：碳化硅和氮化硅这两种宽禁带半导体材料之间也存在着诸多差异。
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英飞凌 第三代半导体 硅
英飞凌科技股份公司和Oxford Ionics宣布双方将携手打造完全集成的高性能量子处理器（QPU）。Oxford Ionics独特的电子量子比特控制（EQC）技术与英飞凌全球领先的工程、制造能力以及在量子科技方面的技术专长相结合，将为在未来五年内实现数百量子比特的量子处理器的工业化生产奠定基础。双方的合作旨在让量子计算技术从实验室走向应用场，转化为真正的工业级解决方案。 Infineon ion trap许多行业正在寻求从根本上改进其流程和能力，量子计算将为它们开启算力新时代。而实现这一目标，
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英飞凌 离子阱量子处理器
7月8日，全球首屈一指的汽车半导体供应商英飞凌科技与合众新能源旗下的哪吒汽车在中国桐乡，共同举办哪吒天工电池与英飞凌BMS整体解决方案技术合作发布仪式。来自哪吒汽车和英飞凌科技（中国）有限公司的嘉宾共同参与了该发布仪式。 哪吒天工电池与英飞凌BMS整体解决方案技术合作发布仪式BMS电池管理系统是电池的“大脑”，也是新能源汽车产业的核心技术之一。双方合作开发的BMS系统级解决方案，包括了哪吒汽车自研的天工电池，及英飞凌 AURIX™微控制器、12通道AFE、电源管理芯片等产品，满足ASIL D的系
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英飞凌 电动汽车 电池管理
数字化、低碳化等全球大趋势推升了采用宽带隙 (WBG)器件碳化硅/氮化镓 (SiC/GaN) 器件的需求。这类器件具备独特的技术特性，能够助力电源产品优化性能和能源效率。英飞凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 与台达电子工业股份有限公司 (TWSE: 2308) 两家全球电子大厂，长期致力于创新的半导体和电力电子领域，今日宣布深化其合作，强化宽带隙SiC及GaN器件在高端电源产品上的应用，为终端客户提供出色的解决方案。 600 V CoolGaN HSOF
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英飞凌 宽带隙 电源
凭借其众多优点，三相无刷直流（BLDC）电机正在成为设计现代化电池供电型电机产品的首要选择。然而，为了让产品符合人体工学设计并延长电池的使用寿命，需要缩小产品的尺寸并减轻重量，这给产品设计带来了巨大挑战。为了帮助设计师满足终端市场的需求，英飞凌科技股份公司推出了完全可编程的电机控制器MOTIX™ IMD700A和IMD701A。它们采用9 x 9 mm2 64引脚VQFN封装，能够让无线电动工具、园艺用品、无人机、电动自行车以及自动导引车拥有更高的集成度以及功率密度，从而满足用户需求。 MOTI
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英飞凌 电机控制器 栅极驱动器
人体存在感知是智能家居中极其重要的一项应用技术，智能家居设备通过精准地感知人体存在和状态，做出相应的响应或互动。但长期以来，人体传感器却普遍存在不够精准、无法对静态人体进行监测等问题。 针对这一问题，全球半导体解决方案领导者英飞凌科技（简称英飞凌）与全屋智能领域的领军企业Aqara绿米合作，推出了一套具有高成本效益的、完整的智能家居人体存在解决方案，即Aqara人体存在传感器FP1。该产品已在Aqara电商及线下Aqara Home智能家居体验馆正式上市。它搭载了英飞凌高度精准的XENSIV™毫
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英飞凌 毫米波雷达 智能家居
这篇微信文章，其实构思已久。为了有所铺垫，已在2020和2021发布了两篇基础篇。2022，让我们再次聊聊在SiC单管并联中的寄生导通问题。这篇微信文章，其实构思已久。为了有所铺垫，已在2020和2021发布了两篇基础篇：● 2020《仿真看世界之SiC单管的寄生导通现象》● 2021《仿真看世界之SiC MOSFET单管并联均流特性》2022，让我们再次聊聊在SiC单管并联中的寄生导通问题。特别提醒：仿真只是工具，仿真无法替代实验，仿真只供参考。在展开
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英飞凌 SiC
变频器在设计上不断的推陈出新，为了提高功率密度并降低成本，工程师更是绞尽脑汁。IGBT（绝缘栅型双极性晶体管）在变频器里属于关键器件，其选型和损耗直接关系散热器的大小，也直接影响着系统的性能、成本和尺寸。本文从变频器的应用特点出发，结合第七代IGBT的低饱和压降和最大运行结温等特点，介绍了第七代IGBT如何助力变频器应用。本文通过分析变频器的损耗组成，并通过热仿真对比第四代IGBT和第七代IGBT的性能，最后通过实验来验证结论。相同工况下IGBT7损耗和结温明显低于IGBT4，这样可以减小变频器的体积或是
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米勒电容引起的寄生导通常被认为是碳化硅MOSFET的弱点。为了避免这种效应，硬开关逆变器通常采用负栅极电压关断。但是，这对于CoolSiC™MOSFET真的是必要的吗？引言选择适当的栅极电压是设计所有栅极驱动电路的关键。凭借英飞凌的CoolSiC™MOSFET技术，设计人员能够选择介于18V和15V之间的栅极开通电压，从而使器件具有极佳的载流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，栅极关断电压仅需确保器件保持安全关断即可。英飞凌鼓励设计人员在0V下关断分立式MOSFET，从而简化栅极驱动电路。为此，本文介绍了
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英飞凌 MOSFET
CoolSiC™ MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度。但尽管如此，工程师需要了解器件的静态和动态性能以及关键影响参数，以实现他们的设计目标。在下面的文章中，我们将为您提供更多关于这方面的见解。温度对CoolSiC™ MOSFET导通特性的影响MOSFET静态输出特性的关键参数是漏极-源极导通电阻RDS(on)。我们定义了CoolSiC™ MOSFET不同温度下的输出特性曲线，如图1左侧所述。阈值电压VGS(th)遵循器件的物理原理，随着温度的
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英飞凌
在物联网系统中，信任机制是设备与云服务之间进行各种交互的基石。因此，必须为每台设备提供唯一的可信身份标识，以便在设备连接入网时进行安全身份认证。与此同时，为成千上万台设备提供安全ID，对OEM厂商来说是一个不小的挑战。为了帮助OEM厂商应对这些挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）将OPTIGA™ Trust M Express安全芯片与CIRRENT™ Cloud ID服务相结合，推出了一款高端安全解决方案，为物联网设备大规模接入云端提供硬件信任锚。 &
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英飞凌 安全芯片
过去几年，实际应用条件下的阈值电压漂移（VGS(th)）一直是SiC的关注重点。英飞凌率先发现了动态工作引起的长期应力下VGS(th)的漂移现象，并提出了工作栅极电压区域的建议，旨在最大限度地减少使用寿命内的漂移。[1]。引言过去几年，实际应用条件下的阈值电压漂移（VGS(th)）一直是SiC的关注重点。英飞凌率先发现了动态工作引起的长期应力下VGS(th)的漂移现象，并提出了工作栅极电压区域的建议，旨在最大限度地减少使用寿命内的漂移。[1]。经过不断研究和持续优化，现在，全新推出的CoolSiC™ MO
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3D深度传感器在汽车座舱监控系统中发挥着举足轻重的作用，有助于打造创新的汽车智慧座舱，支持新服务的无缝接入，并提高被动安全。它们对于满足监管规定和NCAP安全评级要求，以及实现自动驾驶愿景等都至关重要。有鉴于此，英飞凌科技（Infineon）与专注于3D ToF（飞时测距）系统领域的湃安德（pmd）合作，开发出了第二代车用REAL3影像传感器，该传感器符合ISO 26262标准，具有更高的分辨率。英飞凌3D感测业务副总裁Christian Herzum表示，在针对行动消费终端的3D传感器领域，英飞凌一直处
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ISO 26262 英飞凌 3D影像传感器
英飞凌介绍
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，至今在世界拥有35,600多名员工，2004财年公司营业额达71.9亿欧元，是全球领先的半导体公司之一。作为国际半导体产业创新的领导者，英飞凌为有线和无线通信、汽车及工业电子、内存、计算机安全以及芯片卡市场提供先进的半导体产品及完整的系统解决方案。英飞凌平均每年投入销售额的17%用于研发，全球共拥有41,000项专利。自从1996年在无锡建立 [
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