- 鸿海持续布局先进技术,卡位电动车、卫星通讯等前瞻应用商机,15日宣布旗下鸿海研究院半导体所与阳明交通大学、德州大学奥斯汀分校进行跨国合作,投入第四代半导体的研究,近日已在卫星通讯及高功率元件领域取得显着突破; 研究成果已发表在国际顶级期刊《Applied Surface Science Advances》及《ACS Applied Electronic Materials》,第四代半导体可应用于电动车与快充技术、高压电力设备、太空与航天科技。第四代半导体指的是超宽能隙(UWBG)半导体材料,如钻石、AlN
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鸿海 第四代半导体
- 新能源汽车大势之下,以碳化硅为代表的第三代半导体发展风生水起。与此同时,第四代半导体也在蓄势待发,其中,氧化镓(Ga2O3)基于其性能与成本优势,有望成为继碳化硅之后最具潜力的半导体材料。鸿海入局氧化镓近期媒体报道,鸿海研究院半导体所与阳明交大电子所合作,双方研究团队在第四代半导体的关键技术上取得重大突破,提高了氧化镓在高压、高温应用领域的高压耐受性能。本次研究利用磷离子布植和快速热退火技术实现了第四代半导体P型氧化镓的制造,并在其上重新生长N型和 N+型Ga2O3,形成了PN Ga2O3 二极体,结果展
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第四代半导体 氧化镓
- 近日,厦门大学电子科学与技术学院杨伟锋教授团队在第四代半导体氧化镓(β-Ga2O3)外延生长技术和日盲光电探测器制备方面取得重要进展,为β-Ga2O3异质外延薄膜的大面积生长和高性能的器件应用提供了重要支持。β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm),简单二元组成,带隙可调,制备工艺简单等优势在日盲光电探测器领域受到广泛关注。在β-Ga2O3薄膜生长方面,研究团队利用分子束外延技术(MBE)实现了高质量、低缺陷密度的外延薄膜生长。并通过改变反应物前驱体和精密控制生长参数,成功实现了β-Ga2O3
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第四代半导体 氧化镓 科研
第四代半导体介绍
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