- 功率器件一直都是由材料引导技术革新，硅材质的MOSFET已经应用多年，现在面临在功率密度、工作温度和更高电压方面的技术挑战，而解决这一问题最根本的办法是采用更高性能的材料。
宜普电源转换公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管的公司，他们希望借助技术优势快速推广其技术和产品，并于未来数年间取代硅功率MOSFET器件及IGBT，抢夺超过百亿美元的功率转换市场份额。
增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管作为宽频隙器件，其优势包括具有更高功率密度、更
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MOSFET EPC eGaN 201406
- 5月29日，国内首批产业化6英寸碳化硅外延晶片在位于厦门火炬高新区的瀚天天成电子科技(厦门)有限公司投产，并交付第一笔商业订单产品， 成为国内首家提供商业化6英寸碳化硅外延晶片的生产商。
据悉，碳化硅是继第一代硅、锗和第二代砷化镓等材料之后的第三代新型半导体材料。碳化硅半导体仪器大禁带宽度、高临界场强和高热导率等优良特性，成为制作高温、高频和大功率电力电子器件的理想半导体材料。
瀚天天成电子科技(厦门)有限公司总经理郑忠惠介绍，6英寸碳化硅外延晶片相对于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
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碳化硅 外延晶片
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的Si8851EDB TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET荣获《电子产品世界》杂志的2013年度电源产品奖。 《电子产品世界》年度电源产品奖评选已经举行了11年，面向全球的电源供应商征集参选产品。五个门类的最佳产品奖和最佳应用奖的获奖产品是通过在线投票，以及《电子产品世界》的编辑、专家和工程师的严格评审选出的。Vishay的Si8851EDB能够在便携式计算设备中显著提高效率
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Vishay MOSFET 电子产品世界
- 三菱电机今年以“创新功率器件构建可持续未来”为题，携带六款全新产品，于6月17至19日在上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展2014中隆重亮相。 今年展出的产品范围跨越六大领域，包括：工业应用、变频家电应用、可再生能源应用、铁路牵引和电力应用、电动汽车应用以及碳化硅器件应用。 在新产品方面，这次展出的全新第7代IGBT模块，适合应用在工业驱动和太阳能发电上。它采用了第7代IGBT硅片和二极管硅片;具有650V、1200V和1700V三种电压等级;提高利用门极电阻优化dv/dt的可控性;涵盖模块电流7
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三菱电机 PCIM 碳化硅
- 致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET产品系列 ─ 1200V解决方案。这系列创新SiC MOSFET器件设计用于效率至关重要的大功率工业应用，包括用于太阳能逆变器、电动汽车、焊接和医疗设备的解决方案。 美高森美拥有利用SiC半导体市场增长的良好条件，据市场研究机构Yole Développement预计，从201
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美高森美 MOSFET SiC
- 开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新。目前，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。
根据中国电源学会收集整理的数据，2008年全国开关电源(主要包含消费类开关电源、工业类开关电源、通信电源、PC电源，下同)产值达到855亿元，2009年达931亿元，
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开关电源 MOSFET
- 1.前言
变频器在能源节约、电力环保方面意义重大，电动机驱动是电能消耗大户，约消耗全国65%发电量，近三十多年来变频调速已在钢铁、冶金、石油、化工、电力等工作中得到广泛运用，其他家用电器例如变频冰箱，变频洗衣机、变频微波炉等也已相继出现，因此设计可靠高性能的变频器电源尤为重要。
变频技术目前得到了广泛的应用，而变频器的可靠稳定运行决定了变频器性能指标，作为基础硬件，变频器电源的高效可靠运行至关重要。如图1所示为变频器的拓扑结构，主要由整流单元、预充电电路、制动单元和逆变单元组成，从图中可知，变频器电源
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AN8026 MOSFET
- 随着城市快节奏的发展，大多数人拥有自己的车，这也使得交通变得拥堵，而汽车在高峰期的走走停停会耗掉很多的能源，不仅浪费还污染环境。故而引进了汽车系统中的“启停”功能，但是这种系统也给汽车电子带来了一些独特的工程技术挑战，汽车启停系统中电源设计是一大难题。本文就为大家介绍一种用于汽车启停的低耗能电源设计。
为了控制燃油消耗，许多汽车制造商在下一代汽车中实现了“启停”功能，而且为数众多的这种汽车已经开始上路。这些系统会在汽车停下来时关闭发动机，当脚从刹车踏板移动
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P-FET MOSFET
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。 全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻 (RDS(on))、极高的电流承载能力、软体二极管，以及有助于提高噪声免疫力的3V典型临界
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IR StrongIRFET MOSFET
- Allegro MicroSystems, LLC 公司宣布推出针对多输出系统的新型双转换器。Allegro’经 AEC-Q100 标准认证的 A8651 是双 2 A 低 VIN 同步稳压器，带可调频率，整合了高端 P 通道 MOSFET 和低端 N 通道 MOSFET。A8651 整合电流模式控制，可
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Allegro 双转换器 MOSFET
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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供电处理器 凌力尔特 MOSFET 均流控制器 二极管
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率副边 MOSFET 驱动器 LT8311，该器件在隔离式同步正向转换器中无需原边控制就可工作。LT8311 采用独特的预测模式，通过在副边检测信号以控制同步整流，无需信号变压器实现原边至副边通信。这种模式减少了组件数量和解决方案尺寸。 LT8311 在 3.7V 至 30V
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凌力尔 MOSFET LT8311
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的导通电阻，占位面积为2mm x 2mm。
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Vishay MOSFET SiA936EDJ
- 德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET，其支持 40V 至 100V 输入电压，进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品阵营。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器
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TI TO-220 MOSFET NexFET
碳化硅 mosfet介绍
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