- 为解决“I”型三电平逆变拓扑中内、外开关管的不均压问题,在逆变拓扑开关管的控制方式及硬件电路上提出了优化的方案。开关管发波控制中,在原有的时序控制中加入开机和关机的时序逻辑,开机时保证内管先于外管开通,关机时保证外管先于内管关断,避免内、外管承受电压不一致的情况。在硬件电路中,对内管增加阻容网络,消除了内、外管同时关断时由于其寄生参数不一致而导致的内、外管承受电压不一致的现象。实验结果表明,该方法可以彻底解决“I”型三电平拓扑中内、外管承受电压不一致的问题。
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“I”型三电平 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 内、外管 不均压 201607
- 三菱电机今年继续以“创新功率器件构建可持续未来”为主题, 携带八款新型功率器件,于6月28至30日在上海世博展览馆举行的PCIM Asia2016(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)中登场,向公众展示其在功率半导体市场上的非凡实力(三菱电机展位号:B15)。
今年展出的功率器件应用范围跨越四大领域,包括:变频家电、轨道牵引及电力传输、电动汽车、工业和新能源发电,致力为客户提供高性能及低损耗的产品。
变频家电市场
在变频家电应用方面,三菱电机这次在去年推介
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三菱电机 IGBT
- EV/HEV用IGBT在5年内将增长3倍。由于EV/HEV的电力系统更加复杂,IGBT的热设计与可靠性分析与测试十分重要,需要借助软硬件结合的方式进行仿真与测试。
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EV/HEV IGBT 热 可靠性 201606
- Mentor Graphics公司近日宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 产品,其在功率循环中能测试电动和混合动力车 (EV/HEV) 的IGBT的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 产品,EV/HEV 研发和可靠性工程师能测试功率半导体器件(如IGBT、MOSFET、晶体管以及充电器),以便检查对完成任务来说至关重要的热可靠性和生命周期性能。
“中国三类客户对此会有感兴趣:1.一些OEM厂商自己在做IGBT;2.企
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Mentor IGBT
- Mentor Graphics公司今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 产品,其在功率循环中能测试电动和混合动力车 (EV/HEV) 的功率半导体器件的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 产品,EV/HEV 研发和可靠性工程师能测试功率半导体器件(如绝缘栅双极性晶体管 – IGBT、MOSFET、晶体管以及充电器),以便检查对完成任务来说至关重要的热可靠性和生命周期性能。热可靠性问题可能导致需要召回 EV/HEV 汽车,
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Mentor Graphics IGBT
- 随着Fairchild最新汽车创新产品的上市,汽车制造商及其供应商在牵引逆变器 和其他电机驱动的元件方面将拥有更多的选择 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild 今天发布了新产品,即适用于混合动力电动汽车(HEV)、充电式混合动力电动汽车(PHEV)和电动汽车(EV)应用的新型分立式IGBT和二极管和裸片,从而扩展了其不断增加的汽车级半导体解决方案产品组合。 这些IGBT和二极管非常适合牵引逆变器,牵引逆变器是所有HEV、PHEV和EV的核心组件,能够将电池
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Fairchild IGBT
- 中等电压和高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者Power Integrations今日推出一系列输出电流介于2.5 A和8 A之间的电气绝缘的单通道门极驱动器IC,8 A是目前业内不采用外部推动级的最大输出电流。SCALE-iDriver™ IC可同时为IGBT和MOSFET提供驱动,也是首款将Power Integrations首创的FluxLink™磁感双向通信技术引入1200 V驱动器应用的产品。Flux
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Power Integrations IGBT
- 中等电压和高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者Power Integrations今日推出一系列输出电流介于2.5 A和8 A之间的电气绝缘的单通道门极驱动器IC,8 A是目前业内不采用外部推动级的最大输出电流。SCALE-iDriver™ IC可同时为IGBT和MOSFET提供驱动,也是首款将Power Integrations首创的FluxLink™磁感双向通信技术引入1200 V驱动器应用的产品。Flux
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Power Integrations IGBT
- 本文通过等效电路分析,通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用,并精简的指出了IGBT的特点。可以说,IGBT是一个非通即断的开关,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。
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IGBT MOSFET
- 本文简介了IGBT模块的主要封装工艺流程,并在相同的实验条件下,对两组不同氧化程度的模块分别进行超声波无损检测扫描,将扫描图像载入空洞统计分析软件,通过对比两组空洞率数据发现:非氧化底板焊接空洞率较低,氧化底板的焊接空洞率普遍偏大。基于本实验的结果,本文建议IGBT模块在封装之前,应对散热底板做好防腐处理,以确保底板不被氧化。
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IGBT 底板 氧化 空洞率 超声波检测 201605
- 工业基础能力不强,关键核心零部件受制于人,工业发展如何补短板?解放日报·上海观察从国家工信部12日发布的《工业强基2016专项行动实施方案》获悉,今年工信部将推动重点领域发展,实施“一揽子”突破行动,重点突破40种左右标志性核心基础零部件(元器件)、关键基础材料、先进基础工艺。
“工业大而不强”,是我国工业发展的总体现状。上海机床厂刚刚下线的国内首台进入汽车主机厂发动机生产线的“MK8220/S
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IGBT 中国制造2025
- 电动汽车的运行条件不同于工业应用条件,对电驱动用逆变器的核心元器件功率模块不仅要求体积小、重量轻、效率高、冷却方法简单等,而且要求更高的可靠性、更长的寿命以及安全无故障运行。 作为全球首家开发汽车级功率模块的三菱电机从1997年起就将汽车级功率模块成功地应用于电动汽车中,迄今为止,已具有20年成功开发汽车级功率模块的丰富经验。 据介绍,三菱电机最早推出的是客户定制型的汽车级IGBT模块和智能功率模块(IPM),随后推出了非定制型的J-series汽车级功率模块T-PM,它是一种采用压注模封装的2i
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三菱电机 IGBT
- IGBT现在存在的一个比较大的问题是关断特性比较差,这对应用限制比较多。英飞凌是如何解决这样的问题的? 英飞凌科技(中国)公司工业功率控制事业部中国区总监 于代辉 以前,半导体厂家主要从产品的角度如电子学角度来实现产品的更新换代。最近,英飞凌提出PToS,也就是从产品到系统。英飞凌从系统的角度,通过与用户更多的沟通,比如UPS,包括太阳能、风能也存在导通电阻、工作温度的问题。我们从用户、系统和应用的角度来反观
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英飞凌 IGBT
- 新能源汽车随着相关技术的日趋成熟而越来越受欢迎,同时其清洁环保的特点已经越来越受到大众的喜爱。只是受制于动力系统(电池等)的限制,新能源汽车的续航与动力舱的体积一直为人诟病。由此可见,新能源汽车优势非常明显,但弱点也比较突出,因此如何才能充分利用这种新技术,使之不鸡肋呢?增加配套基础设施(像燃料动力车一样,增加“加油站”即充电桩/充电机)毫无疑问成为推动电动车发展的最强助力。这个配套基础设施的潜力有多大?可以这么说,有路的地方就有机会!由此,我们可以看到大量的企业信心满满地杀入这个市场。 那么问题来
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Vincotech IGBT
电动车用大功率 igbt 模块测试介绍
您好,目前还没有人创建词条电动车用大功率 igbt 模块测试!
欢迎您创建该词条,阐述对电动车用大功率 igbt 模块测试的理解,并与今后在此搜索电动车用大功率 igbt 模块测试的朋友们分享。
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