- 近日，三菱电机功率半导体制作所参加了上海2014年PCIM亚洲展，总工程师佐藤克己介绍了IGBT等功率器件的发展趋势。
IGBT芯片发展进程
IGBT芯片始于19世纪80年代中期。30年以来，就FOM(优点指数)来说，今日的IGBT芯片比第一代性能提升了20倍左右，其中改良技术包括：精细化加工工艺、栅式IGBT的开发(如三菱电机的CSTBT)，以及薄晶圆的开发等等。如今，三菱电机的IGBT芯片已经踏入第7代，正朝第8代迈进。
随着产品的更新换代，功耗越来越低，尺寸越来越小。从80
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三菱电机 IGBT 晶圆 201408
- IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势，是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，中国市场的诸多因素将推进IGBT应用的发展，在电力领域、消费电子、汽车电子、新能源等传统和新兴领域，市场前景广阔。
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半导体 IGBT
- IGBT
是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件(绝缘栅双极型晶体管)是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点。又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势，IGBT产品可以实现对以往功率器件产品的逐步替代。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势。IGBT能够实现节能减排，具有很好的环境保护效益。IGBT被公认为是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，是未来应
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半导体 IGBT
- IGBT是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件(绝缘栅双极型晶体管)是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点。又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势，IGBT产品可以实现对以往功率器件产品的逐步替代。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势。IGBT能够实现节能减排，具有很好的环境保护效益。IGBT被公认为是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，是未来应用发展的必然
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功率器件 IGBT
- 意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源和功率因数校正(PFC, Power-Factor Correction)转换器等应用的能效和耐用性。
意法半导体的新H系列1200V IGBT将关断损耗和导通损耗降低多达15%。饱和电压(Vce(sat))减低至2.1V (在标准集极电流和100°C下的典型值)，这能确保总体损耗降至最低，在20k
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意法半导体 IGBT H系列
- IGBT作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生锁定现象而造成损坏的问题。在过流时如采用一般的速度封锁栅极电压，过高的电流变化率会引起过电压，为此需要采用软关断技术，因而掌握好IGBT的驱动和保护特性是十分必要的。
IGBT是电压控制型器件，在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压，只有μA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。但IGBT的栅极-发射极间存在着较大的寄生电容(几千至上万pF)，在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数A的充放电电流，才能满足开通和关断的动态要求，这使得它的驱
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LED 驱动 IGBT
- 6月20日上午，被业界认为现代变流工业“皇冠上的明珠”的关键 技术在中国南车取得产业化突破：公司投资近15亿元的IGBT产业化基地建成并即将投产。这是国内首条、世界第二条8英寸IGBT专业芯片生产线，首期将实现年产12万片8英寸IGBT芯片，配套生产100万只IGBT模块，真正实现IGBT的国产化。它的投产，将打破国外公司在高端IGBT芯片技术上的垄断。
国家多部委关注IGBT研发
IGBT，是一种实现电能转换和 控制的电力电子器件，中文名叫绝缘栅双极型晶体管。自从
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IGBT 芯片
- 我国南车株洲所8英寸IGBT专业芯片生产线建成，真正实现国产化，打破了国外公司在高端IGBT芯片技术上的垄断......
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IGBT 芯片
- 我国首条8英寸绝缘栅双极型晶体管(IGBT)专业芯片线，6月20日在中国南车株洲电力机车研究所有限公司建成，打破了国外在高端IGBT芯片技术上的垄断，对保障国民经济安全和推动节能减排具有重大战略意义。
与微电子技术中芯片技术一样，IGBT芯片技术是电力电子行业中的“心脏”和“大脑”，控制并提供大功率的电力设备电能变换，有效提升设备的能源利用效率、自动化和智能化水平，主要应用于船舶、高压电网、轨道交通等大功率电力驱动设备中。
IGBT芯
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IGBT 电力电子
- (飞驰于大江南北的和谐号机样同样需要IGBT核心器件。)
(一个8英寸IGBT芯片的“诞生”，至少需要2个月以上、历经200多道工艺、由数6万个“细胞”完成。)
(中国南车株洲所功率半导体器件生产区域。)
(“中国智造”的南车株洲所办公楼。)
红网长沙6月11日讯(记者喻向阳)6月下旬，一个长期被发达国家玩转的“魔方”——8英寸IGBT芯片将在
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IGBT 芯片
- 据Yole Developpement市场调查公司2013年报告，2014年IGBT市场总值将达到43亿美元，比2013年的39亿美元多出40亿美元。而从2011~2018年走势可见，主要驱动力是电动汽车/混合动力(EV/HEV)汽车(如图1)。同时，铁路牵引、可再生能源发电等需要越来越高的可靠性。 可靠性成为功率电力电子器件的关键指标。
IGBT等大功率的电力电子器件通常需要大电流，例如地铁需要8A，新能源汽车需要600A，风能需要1500A及以上。同时电力电子器件的可靠性非常关键，例如机
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IGBT Mentor EV/HEV 201406
- 东芝公司(TOKYO：6502)旗下半导体&存储产品公司(Semiconductor & Storage Products Company)于2014年5月20日宣布其门驱动光电耦合器阵容增添新成员，用于驱动中等功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款新的4A输出智能门驱动光电耦合器“TLP5214”采用纤薄的SO16L封装，并具有保护功能，可防止IGBT产生过流状况。这一新产品将于5月底开始量产出货。
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东芝 TLP5214 SO16L IGBT
- 据Yole Developpement市场调查公司2013年报告，2014年IGBT市场总值将达到43亿美元，比2013年的39亿美元多出4亿美元。而从2011年~2018年可见，主要驱动力是电动汽车/混合动力(EV/HEV)汽车(下图草绿色部分)。 可靠性成为功率电力电子器件的关键指标 EV/HEV汽车用IGBT等大功率的电力电子器件不仅对性能指标要求高，目前电流已达600安培左右，同时对可靠性的要求更为严苛，例如汽车应用的期望寿命需要二三十年，需上万次甚至百万次的功率循环要求，而且需要在不同的
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IGBT Mentor MicReD
- 聚焦可靠性 IGBT等大功率的电力电子器件通常需要大电流，例如地铁需要800A，新能源汽车需要600A，风能需要1500A及以上。同时电力电子器件的可靠性非常关键，例如机车牵引的期望寿命超过三十年，功率器件通常需上万次甚至百万次的功率循环要求，对新型IGBT等电力电子器件的可靠性提出了巨大的挑战。 功率循环和热量导致与热相关的器件老化降级，容易导致焊线老化降级，金属层错位，焊接失效，硅芯片和基板的分层等问题。因此需要精密的实验设备对电力电子器件的可靠性进行评估。 传统的功率循环测试和失效分析有诸
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MicReD IGBT 功率循环测试
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