格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22纳米 FD-SOI (22FDX®)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案,格芯22FDX eMRAM,为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美国所展示的,格芯22FDX eMRAM具有业界领先的存储单元尺寸,拥有在260°C回流焊中保留数据的能力,同时能使数据在125°C环境下保留10年以上。
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格芯 FD-SOI
格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布计划推出全新12纳米领先性能(12LP)的FinFET半导体制造工艺。该技术预计将提高当前代14纳米 FinFET产品的密度和性能,同时满足从人工智能、虚拟现实到高端智能手机、网络基础设施等最具计算密集型处理需求的应用。 这项全新的12LP技术与当前市场上的16 /14纳米 FinFET解决方案相比,电路密度提高了15%,性能提升超过10%。这表明12LP完全可与其它晶圆厂的12纳米 FinFET产品竞争。这项技术
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格芯 FinFET
格芯今日宣布推出2.5D封装解决方案,展示了其针对高性能14纳米FinFET FX-14™ASIC集成电路设计系统的功能。 该2.5D ASIC解决方案包括用于突破光刻技术限制的硅基板集成技术和与Rambus公司合作开发的每秒两太比特(2Tbps)多通道HBM2 PHY。基于14纳米FinFET的成功方案,该解决方案将整合到下一代基于格芯7纳米 FinFET工艺的FX-7™ ASIC设计系统上。 “随着近年来在互联和封装技术的巨大进步,晶片加工和封
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格芯 2.5D
今日,格芯(GLOBALFOUNDRIES,原名格罗方德)与芯原微电子(VeriSilicon)共同宣布,将携手为下一代低功耗广域网(LPWA)推出业界首款单芯片物联网解决方案。双方计划采用格芯的22FDX® FD-SOI 技术开发可支持完整蜂巢式调制解调器模块的单芯片专利,包括集成基带、电源管理、射频以及结合窄带物联网(NB-IoT)与LTE-M 功能的前端模块。相较于现有产品,该全新方案可望大幅改善功耗、面积及成本。 随着智慧城市、家居与工业应用中互联设备的数量日益
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格芯 芯原
“这是创新最好的时代,技术巨变颠覆生活方式,人工智能的发展将为晶圆厂带来发展的黄金机遇。”格芯(GlobalFoundries,原名:格罗方德)CEO桑杰·贾(SanjayJha)在接受第一财经记者专访时表示。
根据ICInsights的数据,2016年格芯以11%的市场占有率居于全球第二大晶圆代工厂的位置,全年营收55.45亿美元。台积电仍以近300亿美元的营收占据龙头老大地位。
伴随着数字时代的到来,“信息”成为人类社会发展
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格芯 晶圆
伴随着数字时代的全面到来,第一代“数字原住民”正式步入职场,他们正以前所未有的技能、需求和价值体系改变着世界,将“信息”的意义提升至推动人类社会发展的新高度。而作为计算机物质基础的半导体芯片,则无疑是这场运动中的领先者。 “这是一个最好的创新时代,人工智能的发展将为晶圆厂带来发展的黄金时代”,格芯CEO桑杰·贾(Sanjay Jha)在6月30日的MWC 2017上海“产业创新,势在人为”的主题演讲中如是说。 技术巨变颠覆生活方式,人类进入技术创新的
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格芯 晶圆
格芯今日宣布推出其基于7纳米FinFET工艺技术的FX-7TM专用集成电路(ASIC)。FX-7是一个集成式设计平台,将先进的制造工艺技术与差异化的知识产权和2.5D/3D封装技术相结合,为数据中心、机器学习、汽车、有线通信和5G无线应用提供业内最完整的解决方案。 基于FX-14的持续成功,凭借业内领先的56G SerDes技术和专用集成电路专长,FX-7提供包括高速SerDes(60G, 112G)在内的全方位定制接口知识产权和差异化存储解决方案,涵盖低功耗SRAM、高性能嵌入
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格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的(7LP)FinFET半导体技术,其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪,基于7LP技术的第一批客户产品预计于2018年上半年推出,并将于2018年下半年实现量产。 2016年9月,格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀,来研发自己7纳米FinFET技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进,7LP技术的表现远优于最初的性能目标。与先前基于14纳米FinFET技术的产品相比,预
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格芯 FinFET
5月23日,格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布,在成都市政府的引导和支持下,双方将协同合作以推动中国半导体产业的创新发展。双方将合作建立一个世界级的FD-SOI生态系统,其中涵盖多个成都研发中心及高校合作的研究项目。该项累计投资超过1亿美元的计划期望能吸引到更多顶尖的半导体公司落户成都,并使成都成为下一代芯片设计的卓越中心,以满足移动通信、物联网、汽车及其它高增长市场对高性能芯片的需求。 格芯和成都于近期共同出资建设一家300mm晶圆厂,旨在满足全球市场对 22FDX®&nbs
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Global Foundries和成都的合作一开始就面临巨大挑战,现在发生关键变化后,前景如何?芯谋研究认为二者还有更多的事情需要做:首先双方都需要说服背后的“老板”支持,GF需要说服股东,成都需要进入国家战略;双方对彼此定位和实施步骤亦需更加明确。GF眼中的FD-SOI或许是Fully Depend on SOI,但成都眼中的FD-SOI或许是Further-Decision SOI。格芯洗面更要革心;成都需要业界都支持,才能成。
合作的前三个月总是最艰难,婚姻如此,产
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格芯 晶圆
全球代工巨头格罗方德(GF)在成都落子,与成都市政府合资建12英寸生产线,GF占51%,并引入中国半导体业非常有兴趣的22FDX(FD-SOI)技术。
“格芯”之所以引起业界关注有两点:
1)与厦门的”联芯”一样是合资企业,它不同于之前英特尔、海力士、三星及台积电的独资模式;
2)导入SOI技术,目前计划是2018年开始成熟制程量产,以及2019年是22纳米的FD-SOI技术量产。
为什么SOI技术对于中国是个亮点?
在摩尔
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2月10日,“格芯成都十二英寸晶圆制造厂开工典礼”在成都郫县举行[1-2]。据格芯(Globalfoundries,原名格罗方德)新加坡运营部高级副总裁兼总经理KC Ang介绍:芯片厂房将分为一期和二期工程。建成后是8.5万晶圆/月产能。一期是0.18和0.13微米,产能2万晶圆/月,从新加坡工厂转入。预计2019年下半年22nm工艺转到成都,从德国工厂转入,2019年生产。 目前,格芯的全球制造格局是:新加坡40nm,德国28nm,美国是14nm,现在美国在研发7nm。Ang强调,0.1
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