为什么电容通高频阻低频？解释一：电容器有一个充放电的时间问题。当交流电的正半周，给电容器充电的瞬间，电路是有电流流过的，相当于通路，一旦电容器充电完毕，则电路就没有电流流过了，相当于断路。当交流电的负半周到来时，又将产生电流，先抵消掉原来充在电容上的那个相反的电荷，再继续充电至充满。现在假设电容器需要的充电时间t一定，则当一个频率较高的交流电正半周结束时，假设电容器容量够大，还未充满电，负半周就到来了，则电路会一直流着电流，相当于电容器对这个高频的交流电来说，是通路的。如果这个交流电的频率较低，正半周将电
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输入侧的电解电容计算我们一般按照在最低输入电压下，最大输出的情况下，要求电解电容上的纹波电压低于多少个百分点来计算。当然，如果有保持时间的要求，那么需要按照保持时间的要求重新计算，二者之中，取大的值。假如在最低输入电压下，电源的输入功率为Pin，最低输入交流电压有效值为Vinacmin，那么我们一般认为此时整流后的直流电压为Vinmin=1.2×Vinacmin，由于在交流两次充电周期间，对后面变换器的供电都是由电容储能来保证的，那么电压跌落是可以计算出来的：C×ΔV=I×Δt，ΔV是电压纹波，一般取Vi
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9月25日消息，美国分立半导体和无源元件制造商Vishay Intertechnology（威世科技）宣布了重组计划，包括关闭三家制造工厂和裁员约800人。根据Vishay的官方声明，被关闭的工厂包括位于中国上海的二极管封装工厂，以及位于德国菲希特尔贝格和美国威斯康星州密尔沃基的两家电阻器工厂。这些工厂的关闭预计将于2026年底完成，生产转移将于2025年第四季度开始。此次重组将导致Vishay减少约365名直接员工，精简其销售、一般和行政职能，约170名员工将受到影响，制造运营和生产转移也将导致制造和生
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前言肖特基二极管是重要的电子元器件，因为其承载着保护电路的重要作用，所以显得格外的不可或缺，我们都知道在选择肖特基二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的肖特基二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。知道其特性，对于我们的使用也更加得心应手，下面这篇文章将带你一起去探索神秘的肖特基二极管特性。正向导通压降与导通电流的关系在肖特基二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以
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无论是硬件DIY爱好者还是维修技术人员，你能够说出主板、声卡等配件上那些小元件叫做什么，又有什么作用吗？如果想成为元件（芯片）级高手的话，掌握一些相关的电子知识是必不可少的。譬如在检修某硬件时用万用表测量出某个电阻的阻值已为无穷大，虽然可断定这个电阻已损坏，但由于电脑各板卡及各种外设均没有电路图（只有极少数产品有局部电路图），故并不知电阻在未损坏时的具体阻值，所以就无法对损坏元件进行换新处理。可如果您能看懂电阻上的色环标识的话，您就可知道这个已损坏电阻的标称阻值，换新也就不成问题，故障自然也就会随之排除。
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我们都知道电容是电路中使用量最多的器件，我们经常接触的电容是陶瓷电容、铝电解电容、钽电解电容。我们电路设计越来越多的是以MCU、CPU为核心的数字电路设计，周边的时钟、电源电路。所以我们以这三种电容为主。因为数字电路，所以有大量的数字电路输出的“0”“1”翻转导致，需要大量的去耦电容。图中开关Q的不同位置代表了输出的“0”“1”两种状态。假定由于电路状态装换，开关Q接通RL低电平，负载电容对地放电，随着负载电容电压下降，它积累的电荷流向地，在接地回路上形成一个大的电流浪涌。随着放电电流建立然后衰减，这一电
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钽（tan），英文名是Tantalum ，主要存在于钽铁矿中，同铌共生。钽有非常出色的化学性质，具有极高的抗腐蚀性。钽是一种过渡金属元素，化学符号为 Ta，原子序数为 73。它具有一些独特的物理和化学性质，使其在许多高科技和工业应用中非常重要。以下是钽元素的一些关键特性和全球储存情况的介绍：钽的特性高熔点：钽的熔点高达 3017°C，使其在高温应用中非常有价值。抗腐蚀性：钽对许多化学物质具有很强的抵抗力，包括酸和碱，这使其在化工和医疗领域广泛应用。高密度：钽的密度为 16.65 g/cm³，接近黄金的密度
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二极管的参数解释常规参数：正向压降、反向击穿电压、连续电流、反向漏电等；交流参数：开关速度、反向恢复时间、截止频率、阻抗、结电容等；极限参数：最大耗散功率、工作温度、存贮条件、最大整流电流等。一、常规参数1、正向导通压降压降：二极管的电流流过负载以后相对于同一参考点的电势（电位）变化称为电压降，简称压降。导通压降：二极管开始导通时对应的电压。正向特性：在二极管外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时，二极管正
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⼆极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗⼆极管（Ge管）和硅⼆极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波⼆极管、整流⼆极管、稳压⼆极管、开关⼆极管等。按照管芯结构，⼜可分为点接触型⼆极管、⾯接触型⼆极管及平⾯型⼆极管。点接触型⼆极管是⽤⼀根很细的金属丝压在光洁的半导体晶⽚表⾯，通以脉冲电流，使触丝⼀端与晶⽚牢固地烧结在⼀起，形成⼀个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较⼩的电流（不超过⼏⼗毫安），适⽤于⾼频⼩电流电路，如收⾳机的检波等。面接触型⼆极管的“PN结”⾯积较⼤，允许通过较⼤的电流（⼏安到
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1、二极管的定义二极管是一种具有两端（阳极和阴极）的电子元件，它允许电流在一个方向上流动，而在另一个方向上阻止电流流动。这种特性使二极管在电路中起到整流、保护、开关等作用。二极管（英语：diode）又称二极体，是一种具有不对称电导的两个端子（阴阳二极接线端，故名“二极”）的电子器件；此二极使其原则上仅允许电流作单方向传导，它在一个方向为低电阻（理想情况下是零），高电流，而在另一个方向为高电阻。现今，二极用半导材料。 借由二极管的特性，在电力工程上常用作整流器（将交流电变成直流电）；在电子工程上常
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一. 元器件选型基本原则a 普遍性原则所选的元器件要是被广泛使用验证过的，尽量少使用冷门、偏门芯片，减少开发风险。 b 高性价比原则在功能、性能、使用率都相近的情况下，尽量选择价格比较好的元器件，降低成本。 c 采购方便原则尽量选择容易买到、供货周期短的元器件。 d 持续发展原则尽量选择在可预见的时间内不会停产的元器件。 e 可替代原则尽量选择pin to pin兼容芯片品牌比较多的元器件。f 向上兼容原则尽量选择以前老产品用过的元器件。 g 资源节约原则尽量用上元器件的全部功能和管脚。芯片的选型过程是对
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关于三极管，我相信每个搞硬件的应该都有看过基本原理，现在我们算是温故而知新，那么最好是带着问题去看。这里准备了几个问题，我们带着这几个问题往下看。· 集电结为何会发生反偏导通并产生Ic，这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。· 放大状态下集电极电流Ic为什么会只受控于电流Ib而与电压无关；即：Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系。虽然基区较薄，但只要Ib为零，则Ic即为零。· 饱和状态下，Vc电位很弱的情况下，仍然会有反向大电流Ic的产生。以上这三点，都是为什么？很多教科书对于这部
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电容是电路设计中最为普通常用的器件，是无源元件之一，有源器件简单地说就是需能(电)源的器件叫有源器件，无需能(电)源的器件就是无源器件。电容的作用和用途一般都有好多种，如：在旁路、去耦、滤波、储能方面的作用；在完成振荡、同步以及时间常数的作用……下面来详细分析一下：隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。旁路电容：旁路电容，又称为退耦电容，是为某个器件提供能量的储能器件。它利用了电容的频率阻抗特性，理想电容的频率特性随频率的升高，阻抗降低，就像一个水
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电阻1概念电阻元件的电阻值大小一般与温度，材料，长度，还有横截面积有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。导体的电阻通常用字母R表示，电阻的单位是欧姆（ohm），简称欧，符号是Ω（希腊字母，读作Omega)，1Ω=1V/A。比较大的单位有千欧（kΩ）、兆欧（MΩ）（兆=百万，即100万）。1TΩ=1000GΩ；1GΩ=1000MΩ；1MΩ=1000KΩ；1KΩ=1000Ω（也就是一千进率）串联： R=R1+R2+．．．+Rn定义式：R=U/I电阻元件
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电容器，作为电子领域中的基础元件，以其独特的工作原理在电路中发挥着多重作用。本文将从多个方面详细解析电容器在电路中的各种应用及其重要性。滤波作用电容器常被用作滤波器，特别是在直流电源电路中。它们被接在直流电压的正负极之间，目的是滤除直流电源中不需要的交流成分，从而使直流电变得更加平滑。为了达到更好的滤波效果，通常会使用大容量的电解电容，同时也可以在电路中并接其他类型的小容量电容来滤除高频交流电。退耦作用在放大电路中，电容器还能起到退耦的作用。它们被并接在放大电路的电源正负极之间，这样可以防止由电源内阻形成
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无源器件介绍
无源器件
在不需要外加电源的条件下，就可以显示其特性的电子元件。无源元件主要是电阻类、电感类和电容
无源器件类器件，它的共同特点是在电路中无需加电源即可在有信号时工作。
电阻
电流通过导体时，导体内阻阻碍电流的性质称为电阻。在电路中起阻流作用的元器件称为电阻器，简称电阻。电阻器的主要用途是降压、分压或分流，在一些特殊电路中用作负载、反馈、耦合、隔离等。
电阻在电路 [
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