- TSMC今(21)日宣布该公司符合汽车电子AEC-Q100第一级(AEC-Q100 grade1)高规格要求之0.25微米嵌入式快闪记忆体工艺，累积出货量已达到60万片八吋晶圆，为客户产出各种不同汽车电子应用之集成电路产品，相当于微控制器(MCU)的出货量已超过7亿2千万个。在2009年，部分客户产品的实际行车故障率(field failure rate)已达到低于千万分之一(<0.1ppm)的极高水准。
考虑每个产品在测试筛选过程中，其资料写入及消除(endurance cycles)及
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台积电 嵌入式 快闪记忆体
- 日前，序列式快闪记忆体(Serial Flash)生产制造公司旺宏电子(TSE:2337)宣布，领先业界推出全球第一颗256Mbit序列快闪记忆体产品─MX25L25635E。
旺宏电子创新的32位元定址技术，利用简单的切换，即可让原有的记忆体容量提高至256Mbit，并且还提供了能相容于既有24位元定址的模式，使得系统工程师及制造商易于提高原有产品的功能及效能。
据了解，旺宏电子256Mbit序列快闪记忆体产品的主要应用市场，是在需大量程式码及资料存储方面，如高阶网通、WiMAX、服务器
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旺宏 快闪记忆体 MX25L25635E
- 据国外媒体报道，全球第二大电脑记忆体晶片制造商Hynix周四表示，其在韩国建成的新NAND快闪记忆体制造工厂正式投产。
据国外媒体报道，Hynix表示，该新厂位于清州，月产量可达到30万件，并有望于在数月后提高到50万件。
Hynix在清州还建有另外两个芯片制造厂，目前正在运作当中。
Hynix的首席执行官Kim Jong-gap表示，公司计划加强产品在价格方面的竞争力，并在接下来的研发道路中保持高水准的投资。
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NAND Hynix 快闪记忆体
- 磁阻式随机存储器（MRAM）将优于快闪记忆体（Flash闪存）？飞思卡尔半导体正试图证明这一点。
根据消息，飞思卡尔半导体（前摩托罗拉公司芯片部门）周一宣布，它已经获得了几个风险投资公司的加入。据悉他们将联合成立一家命名为Everspin科技的独立技术公司，侧重于研发制造MRAM（磁阻式随机存储器），其目的是为了“扩大MRAM及其相关产品的市场份额”。
MRAM与快闪记忆体不同，它使用了磁性材料与常规硅电路相结合记录方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
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MRAM 快闪记忆体 Flash DRAM Everspin
快闪记忆体介绍
快闪记忆体 百科名片
快闪记忆体的英文名称是"Flash Memory"，一般简称为"Flash"，它属于内存器件的一种。
目录
二、闪存的物理特性与常见的内存的差异
三、性能比较
四、接口差别
五、容量和成本
六、可靠性和耐用性
七、寿命(耐用性)
八、位交换
九、坏块处理
十、易于使用
十一、软件支持
十二、其他作用二、闪存的物理特性与常见的内存的差异
三、性能比较 [
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